功率半導(dǎo)體器件一直被廣泛應(yīng)用于通信、汽車(chē)、消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域,特別是近年來(lái)節(jié)能減排、新能源的興起,使其市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。隨著人們對(duì)環(huán)保的日益重視,行業(yè)開(kāi)始向著更加節(jié)能的方向發(fā)展,電源系統(tǒng)高效率小型化逐漸成為新的市場(chǎng)需求。
為了滿足這種新需求,亞成微推出了新型高壓超結(jié)MOSFET-RMX65R系列,該系列采用業(yè)內(nèi)先進(jìn)的多層外延工藝,全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性,比導(dǎo)通電阻(Ronsp)和柵極電荷(Qg)更低,開(kāi)關(guān)速度更快,且電磁干擾(EMI)性能更好,可使產(chǎn)品獲得更小的芯片面積、更優(yōu)的參數(shù)性能、更高的競(jìng)爭(zhēng)性價(jià)比,有效的助力電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗,特別適用于快速充電器、LED電源、服務(wù)器電源、電動(dòng)車(chē)充電樁等系統(tǒng)。
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原文標(biāo)題:亞成微推出新型高壓超結(jié)MOSFET,助力電源系統(tǒng)節(jié)能降耗
文章出處:【微信號(hào):reactor-micro,微信公眾號(hào):亞成微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
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