在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開(kāi)發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:50
8296 在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:262551 為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-22 10:58:423053 
的碳化硅模塊產(chǎn)品即將邁進(jìn)量產(chǎn)。 ? 邁進(jìn)800V 平臺(tái)，車企傾向自研功率模塊 ? 芯聯(lián)集成在今年1月30日宣布與蔚來(lái)簽署碳化硅模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議，按照協(xié)議內(nèi)容，芯聯(lián)集成將為蔚來(lái)自研1200V 碳化硅模塊的代工方，而這款碳化硅模塊
2024-04-11 01:21:009031 0? 引言SiC-MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊（簡(jiǎn)稱“SiC 模塊”）由于其高開(kāi)關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開(kāi)關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
從本文開(kāi)始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來(lái)要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
工作等SiC的特征所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。通過(guò)與Si的比較來(lái)進(jìn)行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應(yīng)對(duì)大功率時(shí)，有時(shí)會(huì)使用將多個(gè)晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
項(xiàng)目名稱：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng)，通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源R.Nakagawa, Y.Fukuda,H.Takabayashi, T.Kobayashi, T.TanakaMitsubishi Electric
2017-05-10 11:32:57
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開(kāi)幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
設(shè)計(jì)方面，SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)。 為了提高功率密度，通常的做法是設(shè)計(jì)更高開(kāi)關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器。 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡(jiǎn)介 在許多應(yīng)用中，較高的開(kāi)關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
的高性價(jià)比功率芯片和模塊產(chǎn)品。 傳統(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導(dǎo)通電
2020-07-07 11:42:42
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-05-07 06:21:51
深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
求助誰(shuí)知道怎么樣可以把超聲波測(cè)距模塊發(fā)出的聲波聚焦的啊
2020-04-14 05:55:27
宇瞻科技(Apacer)日前宣布開(kāi)發(fā)了一款專為旗下單板計(jì)算機(jī) (SBC) 量身設(shè)計(jì)的強(qiáng)固型內(nèi)存模塊
2011-04-25 09:20:471087 磁致伸縮對(duì)變頻器供電永磁電機(jī)振動(dòng)噪聲影響_韓雪巖
2017-01-08 11:37:44
1 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691 隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1815771 
作者：Maurizio Di Paolo Emilio CISSOID宣布了專門為降低開(kāi)關(guān)損耗或提高功率而量身定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅（SiC）?MOSFET智能功率模塊（IPM）產(chǎn)品
2021-05-28 14:49:401753 碳化硅半導(dǎo)體器件供應(yīng)商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日，毅達(dá)資本在官方微信宣布，已完成對(duì)致瞻科技的投資。依托核心團(tuán)隊(duì)10余年的碳化硅功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)
2020-11-30 10:33:272827 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:512174 
國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商——上海瞻芯電子科技有限公司，近日宣布完成由小鵬汽車獨(dú)家投資的戰(zhàn)略融資。距離去年10月融資，短短數(shù)月，瞻芯電子再次獲得新能源汽車企業(yè)的投資
2022-03-22 13:52:052983 當(dāng)前功率器件的研究已經(jīng)進(jìn)入一個(gè)新高度，而SiC功率模塊就是其中的熱門研究方向。
2022-10-19 09:22:231740 上海瞻芯電子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港，致力于開(kāi)發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅功率模塊產(chǎn)品，并圍繞碳化硅功率半導(dǎo)體應(yīng)用，為客戶提供一站式(Turn-key)芯片解決方案。
2022-11-23 09:47:541882 一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT的尾
2023-01-12 16:35:471139 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:231562 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:211335 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:221533 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234 
功率半導(dǎo)體和芯片公司，瞻芯電子將攜最新碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體、芯片產(chǎn)品和解決方案參展，在N5館儲(chǔ)能技術(shù)及裝備、逆變器、電源國(guó)際品牌館亮相，并期待與您共同探討未來(lái)的綠色能源發(fā)展之路。 ? 瞻芯電子致力于開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率器件和模塊、柵極驅(qū)動(dòng)芯片、控制芯片產(chǎn)品
2023-05-25 14:59:222047 
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-23 14:33:222623 
瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品（IV1Q12160D7Z），該產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:487870 
比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
2023-07-21 16:18:249539 
比鄰驅(qū)動(dòng)?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
2023-07-25 16:26:146756 
瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開(kāi)發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規(guī)
2023-08-21 09:42:122839 
致瞻科技成立于2019年，是一家聚焦于碳化硅功率模塊和先進(jìn)電驅(qū)系統(tǒng)的高科技公司。為滿足自身的快速發(fā)展，致瞻科技于2021年落戶臨港浦江高科技園區(qū)，建設(shè)了超5000㎡先進(jìn)碳化硅器件及電能變換實(shí)驗(yàn)室。
2023-09-13 16:29:312329 
致瞻科技成立于2019年，是一家將重點(diǎn)放在碳化硅功率模塊和先進(jìn)電驅(qū)系統(tǒng)的企業(yè)。核心研究開(kāi)發(fā)成員是畢業(yè)于清華大學(xué)、浙江大學(xué)、南部航空、華科等大學(xué)的世界500強(qiáng)中央研究院出身。
2023-09-14 10:08:261430 ?
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:141231 在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢(shì)需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:362060 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:522610 
本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等，探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因，助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:301593 
SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:301752 
“）的碳化硅(SiC)晶圓廠，繼獲得ISO9001質(zhì)量管理體系與ITAF16949汽車行業(yè)質(zhì)量管理認(rèn)證之后，再獲2項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，表明公司的管理體系在持續(xù)完善，體現(xiàn)了公司對(duì)環(huán)境保護(hù)、員工健康安全保護(hù)的責(zé)任與承諾，并將助力公司健康、持續(xù)發(fā)展。 未來(lái)，瞻芯電子將持續(xù)改
2023-12-25 10:14:131597 
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）宣布，與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中
2024-01-18 10:04:051398 今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:161639 
在科技不斷進(jìn)步和新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅速崛起的當(dāng)下，高效、穩(wěn)定且符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的電子元器件成為市場(chǎng)的迫切需求。上海瞻芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）憑借其深厚的碳化硅（SiC）半導(dǎo)體技術(shù)積累，成功開(kāi)發(fā)
2024-03-07 09:37:272118 近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:241748 近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。
2024-04-07 11:37:323562 
近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試
2024-06-24 09:13:201944 
Ω SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）成功通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性（AEC-Q101）測(cè)試認(rèn)證，這一里程碑式的成果標(biāo)志著瞻芯電子在SiC MOSFET領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力達(dá)到了新的高度。
2024-06-24 10:05:431444 ，標(biāo)志著產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性得到了市場(chǎng)驗(yàn)證。 SiC MOSFET作為功率變換系統(tǒng)的核心元器件，其性能表現(xiàn)影響應(yīng)用系統(tǒng)的效率表現(xiàn)。而產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性則更為關(guān)鍵，它決定了應(yīng)用系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定。 瞻芯電子CTO葉忠博士說(shuō)：“對(duì)SiC MOSFET來(lái)說(shuō)，產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證過(guò)程是一場(chǎng)馬拉松長(zhǎng)跑。產(chǎn)品
2024-09-27 10:43:23908 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品，具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn)，讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效，組裝時(shí)能自動(dòng)化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:201444 
為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要，瞻芯電子開(kāi)發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品，其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12060T2Z滿足車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)
2024-12-02 09:07:342155 
較多的闡述，比如IGBT模塊可靠性設(shè)計(jì)與評(píng)估，功率器件IGBT模塊封裝工藝技術(shù)以及IGBT封裝技術(shù)探秘都比較詳細(xì)的闡述了功率模塊IGBT模塊從設(shè)計(jì)到制備的過(guò)程，那今天講解最近比較火的SiC模塊封裝給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 SiC近年來(lái)在光伏，工業(yè)電
2025-01-02 10:20:241787 
BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試，并在光伏客戶導(dǎo)入驗(yàn)證。
2025-03-01 09:27:101307 
綜合分析充電樁電源模塊的功率等級(jí)發(fā)展趨勢(shì)及國(guó)產(chǎn)SiC模塊的關(guān)鍵作用，國(guó)產(chǎn)SiC模塊賦能充電樁電源模塊功率等級(jí)跳躍和智能電網(wǎng)融合 1. 未來(lái)充電樁模塊的功率級(jí)別 隨著電動(dòng)汽車對(duì)快速充電需求的增長(zhǎng)，充電
2025-03-05 16:50:451053 
近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲(chǔ)能和充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景，提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試。
2025-03-11 15:22:521253 
質(zhì)量亂象：未通過(guò)可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果 國(guó)產(chǎn)SiC（碳化硅）功率模塊在APF（有源電力濾波器）和PCS（儲(chǔ)能變流器）等電力電子設(shè)備中的應(yīng)用趨勢(shì)日益顯著，主要受益于技術(shù)性
2025-04-02 18:24:49826 
珠聯(lián)璧合，SiC模塊及SiC驅(qū)動(dòng)雙龍出擊 ——BASiC基本股份賦能電力電子新未來(lái) 珠聯(lián)璧合，雙龍出擊 ——BASIC Semiconductor SiC功率模塊與SiC驅(qū)動(dòng)板重塑電力電子行業(yè)價(jià)值
2025-05-03 15:29:13628 
SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾
2025-05-04 13:23:07839 
Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。
2025-05-05 12:01:57555 
碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行
2025-05-18 14:52:081324 
傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
2025-06-24 17:26:28493 亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
2025-06-08 11:13:471100 
近期，中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬(wàn)顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048 
、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行
2025-09-05 08:36:442200 
、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力
2025-09-07 14:57:042117 
電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
2025-09-19 15:32:57665 
汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自
2025-10-09 17:48:42598 
電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主
2025-10-22 15:50:382351 
銅價(jià)高企時(shí)代的電力電子重構(gòu)：基本半導(dǎo)體SiC MOSFET功率模塊提頻應(yīng)用與整機(jī)成本優(yōu)化深度研究報(bào)告， 唯有提頻，方能破局；唯有SiC，方能提頻 對(duì)于光伏、儲(chǔ)能、工控及其他工業(yè)電源的工程師和決策者
2025-11-22 10:14:331010 
、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，分銷代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力
2025-11-24 09:00:23495 
電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在
2025-12-08 08:42:211084 
電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力
2025-12-13 16:17:03669 
汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用
2025-12-14 07:32:011375 
、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模
2025-12-15 07:48:22466 
汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全
2025-12-15 15:44:25283 
電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模
2025-12-20 14:25:301087 
專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車
2025-12-26 10:11:4371 
工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)S
2026-01-03 17:30:48258
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