瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 基于最近的趨勢，提高效率成為關鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關器件的權衡并不值得。超級結可在平面MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。
2014-04-17 11:24:121699 更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744 RDSON值的低電壓MOSFET。對于較高電壓的器件，它正快速接近一位數字。實現這些改進的兩個主要MOSFET技術進展是溝槽柵極和電荷平衡結構［1］。電荷平衡技術最初是為能夠產生超結
2021-01-26 15:47:306675 
本文簡述功率在轉換器電路中的轉換傳輸過程，針對開關器件MOSFET在導通和關斷瞬間，產生電壓和電流尖峰的問題，進而產生電磁干擾現象，通過對比傳統平面MOSFET與超結MOSFET的結構和參數，尋找使用超結MOSFET產生更差電磁干擾的原因，進行分析和改善。
2023-08-29 14:14:251322 
本文就MOSFET的開關過程進行相關介紹與分析，幫助理解學習工作過程中的相關內容。首先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關斷的過程，然后從漏極導通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關斷的過程，以及MOSFET在開關過程中所處的狀態。
2023-12-04 16:00:483527 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產品陣容。該系列器件主要適用于開關電源（SMPS）、太陽能系統、電池保護、固態繼電器（SSR）、電機啟動器和固態斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）
2023-07-28 15:05:301501 
超結MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導體領域中突破傳統性能限制的關鍵器件。它通過在器件結構中引入交替分布的P型與N型柱區，實現了在高耐壓下仍保持低導通電阻的特性，顯著提升了功率轉換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:461621 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
過程中MOSFET開關損耗功率MOSFET的柵極電荷特性如圖1所示。值得注意的是：下面的開通過程對應著BUCK變換器上管的開通狀態，對于下管是0電壓開通，因此開關損耗很小，可以忽略不計。
圖1 MOSFET
2025-02-26 14:41:53
關于MOSFET的寄生容量和溫度特性關于MOSFET的開關及其溫度特性關于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應用？
2021-07-09 07:45:34
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性在功率轉換中，MOSFET基本上被用作開關。MOSFET的開關特性一般提供導通延遲時間：Td(on）、上升時間：tr
2018-11-28 14:29:57
mosfet里的jte結終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
開關MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
MOSFET－開關特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級結MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級結MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-09 17:45:55
，功率MOSFET很少接到純的阻性負載，大多數負載都為感性負載，如電源和電機控制；還有一部分的負載為容性負載，如負載開關。既然功率MOSFET所接的負載大多數為感性負載，那么上面基于阻性負載的開關特性
2016-12-16 16:53:16
電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高。 為滿足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET。 本文在實際
2018-11-20 10:52:44
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電
2023-02-27 10:02:15
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結型晶體管（BJT）/第二個場效應晶體管）圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
MOSFET的開關特性是什么D類MOSFET在射頻功放中的應用MOSFET器件的維護和存儲
2021-04-22 07:08:48
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
MOSFET的柵極電荷特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性與開關過程
2021-04-14 06:52:09
更優的雪崩耐量，提高了器件應用中的可靠性。同時，采用自主創新先進的多層外延技術，優化了器件開關特性，使其在系統應用中具有更好的表現，為系統設計提供更多選擇。 安森德SJ MOSFET優勢 效率高
2023-06-13 16:30:37
范圍。因為接下來的幾篇將談超級結MOSFET相關的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據其特征和特性對使用區分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出
2018-11-28 14:28:53
結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以發現，超結型結構實際是綜合了平面型和溝槽型結構兩者的特點，是在平面型結構中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結構的高耐壓和溝槽型結構低電阻的特性。內建橫向
2018-10-17 16:43:26
采用快速體二極管的全新超結器件的優點。 1. 引言隨著功率密度不斷提高，半橋（例如HID半橋或LLC）和全橋（例如ZVS全橋）等軟開關拓撲成為理想的解決方案。由于改善了功率器件上di/dt 和dv/dt
2018-12-03 13:43:55
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發了EN系列。該系列產品融合了
2018-12-03 14:27:05
PN結的形成及特性一、 PN結的形成 二、 PN結的單向導電性 三、 PN結的電流方程 四、 PN結的伏安特性 五、 PN結的電容效應
2008-07-14 14:09:29
0 摘 要： 對超結理論的產生背景及其發展過程進行了介紹。以應用超結理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結器件的工作原理、存在的缺點以及提出的改進方法；并對其他基于超結
2008-11-14 15:32:100 超結理論的產生與發展及其對高壓MOSFET器件設計的影響:對超結理論的產生背景及其發展過程進行了介紹。以應用超結理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:2731 圖一 PN結物理特性的測量實驗裝置全圖
伏安特性是PN結的基本特性，測量PN結的擴散電流與PN結電壓之間的關系，可以驗證它們遵守波爾茲曼分布，并進而求出波爾茲曼常數
2010-07-17 08:49:4731 伏安特性是PN 結的基本特性，測量PN 結的擴散電流與PN 結電壓之間的關系，可以驗證它們遵守波爾茲曼分布，并進而求出波爾茲曼常數的值．PN 結的擴散電流很小，為10-6～10-8
2010-07-17 10:00:5130 PN結的擊穿特性：
當反向電壓增大到一定值時，PN結的反向電流將隨反向電壓的增加而急劇增 加，這種現象稱為PN
2008-09-10 09:26:0414470 
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢，可降低設
2009-06-23 21:17:44728 N 溝道結型開關場效應管的主要特性參數。
2009-08-22 16:04:392369 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程。開關過程中，功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在
2011-03-15 15:19:17566 眾所周知，超級結MOSFET的高開關速度自然有利于減少開關損耗，但它也帶來了負面影響，例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅動設計中，一個關鍵的控制參數就是外部串聯柵電阻（Rg）。這會抑制峰值漏-源電壓，并防止由功率MOSFET的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴。
2013-02-25 09:01:443841 
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS（on），同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-11-10 15:40:039 基于漏極導通區特性理解mosfet開關過程資料
2018-05-10 10:53:115 本文主要詳細闡述了pn結的基本特性是什么，其次介紹了PN結的擊穿特性、PN結的單向導電性以及PN結的電容特性。
2018-09-06 18:09:11108548 電力MOSFET開關概述及工作原理
2019-04-19 06:33:006666 
為驅動快速開關超級結MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應對開關性能的影響，以及為使用超級結所做的PCB布局調整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結MOSFET。在這些電壓額定值中
2019-05-13 15:20:231792 
逐漸成為新的市場需求。 為了滿足這種新需求，亞成微推出了新型高壓超結MOSFET-RMX65R系列，該系列采用業內先進的多層外延工藝，全面提升了器件的開關特性和導通特性，比導通電阻（Ronsp）和柵極電荷（Qg）更低，開關速度更快，
2021-05-27 17:06:182505 MOSFET的開關特性解析|必看 MOS管最顯著的特點也是具有放大能力。不過它是通過柵極電壓uGS控制其工作狀態的，是一種具有放大特性的由電壓uGS控制的開關元件。 1、靜態特性 MOS管作為開關
2021-07-23 09:44:3910418 
ST超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS（on）x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業和汽車應用。
2022-05-24 16:02:012335 超級結又稱超結，是制造功率場效應晶體管的一種技術，其名稱最早岀現于1993年。傳統高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區形成的pn結耗盡區的耐壓決定，又因p型體區摻雜濃度較高，耗盡區承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199 超結也稱為超級結，是英文Super Junction 的直譯，而英飛凌之前將這種技術稱之為CoolMOS。因而超結（Super Junction，CoolMOS）一直混用至今。瑞森半導體多年前就進軍超結領域，經過多年研發生產，目前已擁有完整的超結系列產品。
2022-10-14 11:54:285165 
650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復超結 MOSFET，適用于高效率和可靠的電動汽車充電應用
2022-11-15 20:17:570 維安高壓超結MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221505 
WAYON維安高壓超結MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2023-01-06 13:04:511315 
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關被廣為應用的Si-MOSFET的特性作補充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結構上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:244953 
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性：在功率轉換中，MOSFET基本上被用作開關。
2023-02-09 10:19:244502 
繼上一篇MOSFET的開關特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:2510360 
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:012717 
新一代的超結結構的功率MOSFET中有一些在關斷的過程中溝道具有提前關斷的特性，因此，它們的關斷的特性不受柵極驅動電阻的控制，但是，并不是所有的超結結構的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內部結構、單元尺寸以及電壓額定等多個因素相關。
2023-02-16 10:39:361600 
功率MOSFET在開通的過程中，當VGS的驅動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統的最大的電流，VGS和ID保持由跨導GFS所限制的傳輸特性曲線的關系，而VDS
2023-02-16 10:45:042430 
功率MOSFET的輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現出非線性的特性，超結結構的高壓功率MOSFET采用橫向電場的電荷平衡技術
2023-02-16 10:52:421544 
－ 您已經介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻，多次提到“因為內置超級結MOSFET，......”。接下來請您介紹一下超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:152191 
新型硅基快速恢復體二極管超結 MOSFET系列為全橋相移ZVS拓撲提供理想的效率和可靠性 ? ST超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷(Qrr)和超快快恢復時間(trr)，以及出色
2023-02-22 15:26:581508 場效應晶體管 (MOSFET) 的溫度特性進行了分析， 闡述了本征載流子濃度、 載流子遷移率等參 數受溫度的影響機理， 分析了器件阻斷特性、 輸出特性、 轉移特性等參量， 以便找到能夠表征結 溫特性
2023-04-15 10:03:067735 安森德歷經多年的技術積累，攻克了多層外延超結（SJ）MOSFET技術，成功研發出具備自主知識產權的超結（SJ）MOSFET系列產品
2023-06-02 10:23:101909 
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態基本工作原理，還有必要關注MOSFET在通態時的特性，會出現與結型場效應晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區域。
2023-06-03 11:22:092558 
探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性
2023-01-12 14:33:033281 
寄生電容和開關時間：功率MOS具有極快的開關速度，器件導通或關斷前需要對寄生電容進行充放電，而電容的充放電需要一定時間
2023-07-13 17:50:521520 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162414 
摘要: 針對傳統結構超結 IGBT 器件在大電流應用時的電導調制效應較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導通壓降優點的問題，設計了 p 柱浮空的超結 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要。超結
2023-08-18 08:32:562019 
碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 14:46:532072 
超結VDMOS是一種發展迅速、應用廣泛的新型功率半導體器件。
2023-09-18 10:15:008919 
，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓
2023-10-18 16:05:022427 【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:161895 
，這些差異對它們的雪崩耐量和性能產生一定影響。在選擇哪種類型的MOSFET時需要仔細評估應用的需求和要求。在本篇文章中，我們將詳細探討平面型VDMOS和超結型VDMOS的差異并討論如何選擇適合的類型。 平面型VDMOS與超結型VDMOS的基本結構有所不同。平面型VDMOS的結構相對簡單
2023-11-24 14:15:432352 舞臺燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結MOS系列，具有低導通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關損耗，提高整個電源系統的效率
2024-01-17 17:31:281035 
Si-MOSFET根據制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導致導通電阻增加的問題。
2024-03-19 13:57:2211603 
(SJ)MOSFET，今天來聊聊他們創新的eMOSE7和eSiCMOSFET技術。eMOSE7超結技術提供了快速的開關性能，同時具有低開關噪音和過沖尖峰。這提高了
2024-06-11 10:49:211020 
摻雜對PN結伏安特性的影響是半導體物理學中的一個重要議題。PN結作為半導體器件的基礎結構，其性能在很大程度上取決于摻雜濃度、摻雜類型以及摻雜分布等因素。以下將詳細探討摻雜對PN結伏安特性的影響，包括正向特性、反向特性以及擊穿特性等方面。
2024-07-25 14:27:145465 根據Global Market Insights的調查，超級結MOSFET在去年在能源和電力領域中的市場份額超過30%，覆蓋了電動車充電樁、服務器和數據中心電源、LED驅動、太陽能逆變器、家電控制等多個領域。預計到2032年，全球超級結MOSFET市場的年復合增長率將超過11.5%。
2024-07-29 14:38:451237 
作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 2024-06-12 長期以來，超結功率 MOSFET 在高電壓開關應用中一直占據主導地位，以至于人們很容易認為一定有更好的替代
2024-10-02 17:51:001664 
在我們進入超結MOSFET的細節之前，我們先了解一些背景知識。
2024-10-15 14:47:482578 
超結MOSFET的優勢在于其具有高耐壓和低電阻的特點。相較于普通高壓VDMOS，超結MOSFET的導通電阻遠小，適用于高能效和高功率密度的快速開關應用。此外，超結MOSFET的額定電壓越高，導通電
2024-11-27 09:28:28960 超結MOSFET體二極管性能優化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
2024-11-28 10:33:16885 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
在橋式電路中，國產碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替換超結（SJ）MOSFET具有顯著優勢，但也需注意技術細節。傾佳電子楊茜從性能優勢和技術注意事項兩方面進行深度分析： 傾佳電子
2025-02-11 22:27:58833 
#超結硅功率MOS電源管理芯片U8621展現低功耗特性#在全負載范圍內，相比傳統功率器件，超結硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節省更多的電能。同時，在空載狀態下，U8621的低功耗特性得以
2025-02-20 16:37:581050 
隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441054 
MOSFET的開關頻率（如B3M040065H的開關時間低至14ns）遠超SJ 超結MOSFET，可減少電源系統中的磁性元件體積，提升功率密度（如數據手冊中提到的“開關能量降低至160μJ”）。 高溫可靠性
2025-03-02 11:57:01899 
電壓的平衡。另超結MOSFET具有更低的導通電阻和更優化的電荷分布，因此其開關速度通常比普通MOSFET更快，有助于減少電路中的開關損耗。由于其出色的高壓性能和能效比，超結MOSFET更適合于高壓、大功率的應用場景。
2025-05-06 15:05:381499 
隨著AI技術井噴式快速發展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
瑞能G3 超結MOSFET Analyzation 瑞能超結MOSFET “表現力”十足 可靠性表現 ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴謹執行三批次可靠性測試，確保產品品質。? ?瑞能超級結 MOSFET
2025-05-22 13:59:30491 
在功率半導體領域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰。隨著電力電子設備向高壓、高效方向快速發展，傳統MOSFET結構已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結MOSFET技術如何通過創新
2025-06-25 10:26:291701 
新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術，為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017 OBC（車載充電機）、AI算力電源、服務器電源及通信電源領域，高功率密度、超高效率和高溫穩定性已成為核心訴求。傳統超結MOSFET雖曾推動技術進步，但面對新一代電源的MHz級開關頻率、多相并聯及高溫運行需求，其開關損耗大、體二極管反向恢復差等瓶頸日益凸顯。 傾佳電子 力推 BA
2025-08-15 09:52:38609 
傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應用中取代超結MOSFET的優勢和邏輯 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要
2025-09-01 09:50:372523 
龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET，其內置FRD，適應LLC應用，并適合多管應用，具有更快的開關速度，更低的導通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統效率和優異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
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