功率MOSFET的輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場的電荷平衡技術(shù)，如圖1所示。相對于傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)，超結(jié)結(jié)構(gòu)將P型體區(qū)下沉，這樣在其內(nèi)部形成P柱，和N區(qū)非常寬的接觸面產(chǎn)生寬的耗盡層，也就是空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)形成的電場，也就是橫向電場，保證器件的耐壓；同時，原來N區(qū)漂移層就可以提高摻雜濃度，降低導通電阻。和標準MOSFET相比，橫向電場電荷平衡技術(shù)可以極大的減小硅片尺寸，得到更低的RDSON和更低的電容。

(a) 平面結(jié)構(gòu)

(b) 超結(jié)結(jié)構(gòu)

圖1：平面結(jié)構(gòu)和超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET

超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET在VDS電壓上升、橫向電場建立產(chǎn)生耗盡層（空間電荷區(qū)）過程中，N型漂移層兩側(cè)的空間電荷區(qū)邊界會向中心移動，如圖2所示，隨著VDS電壓的升高，兩側(cè)空間電荷區(qū)邊界會接觸碰到一起，然后向再下繼續(xù)移動。在這個過程中，直接影響輸出電容Coss和反向傳輸電容Crss的主要參數(shù)有漏極和源極、柵極和漏極相對的面積、形狀、厚度，以及相應的空間電荷區(qū)相對的距離。

(a) VDS電壓非常低

(b) VDS增加到電容突變電壓

(c) VDS處于電容突變電壓區(qū)

(d) VDS達到最大值

圖2：空間電荷區(qū)建立過程

VDS電壓低時，P柱結(jié)構(gòu)周邊的空間電荷區(qū)厚度相對較小，而且空間電荷區(qū)沿著P柱的截面發(fā)生轉(zhuǎn)折，相對的有效面積很大，如圖2(a)所示，因此輸出電容Coss和反向傳輸電容Crss的電容值非常大。

VDS電壓提高，空間電荷區(qū)沿著P柱的截面發(fā)生下移，當VDS電壓提高到某一個區(qū)間，兩側(cè)的空間電荷區(qū)相互接觸時，同時整體下移，電容的有效面積急劇降低，同時空間電荷區(qū)厚度也急劇增加，因此Coss和Crss電容在這個VDS電壓區(qū)間也隨之發(fā)生相應的突變，產(chǎn)生非常強烈的非線性特性，如圖2(b) 和(c)所示。

VDS電壓提高到更高的值，整個N區(qū)全部耗盡變?yōu)榭臻g電荷區(qū)空間，此時電容的有效面積降低到非常、非常小的最低時，如圖2(d)所示，輸出電容Coss也降低到非常、非常小的最低值。

VDS在20V，100V空間電荷區(qū)電場分布仿真圖，可以看到：在低電壓時，相對于柱結(jié)構(gòu)和單元尺寸，空間電荷區(qū)厚度相對的小，P柱結(jié)構(gòu)周邊空間電荷區(qū)發(fā)生轉(zhuǎn)折，導致輸出電容的有效面積變大。這二種因素導致在低壓時，Coss的值較大。高壓時，空間電荷區(qū)的形狀開始變化，首先沿著補償?shù)慕Y(jié)構(gòu)，然后進入更低有效面積的水平電容，因此高壓的輸出電容降低到二個數(shù)量級以下。

(a) 20V空間電荷區(qū)電場分布

(b) 100V空間電荷區(qū)電場分布

圖3：空間電荷區(qū)電場分布

Crss和Coss相似，電容曲線的突變正好發(fā)生在上面二種狀態(tài)過渡的轉(zhuǎn)變的過程。

圖4展示了平面和超結(jié)結(jié)構(gòu)高壓功率MOSFET的電容曲線，從圖中的曲線可以的看到，當偏置電壓VDS從0變化到高壓時，輸入電容Ciss沒有很大的變化，Coss和Crss在低壓的時候非常大，在高壓時變得非常小。在20-40V的區(qū)間，產(chǎn)生急劇、非常大的變化。

圖4：平面和超結(jié)結(jié)構(gòu)高壓功率MOSFET的電容曲線

不同的工藝，轉(zhuǎn)折點的電壓不一樣，轉(zhuǎn)折點的電壓越低，電容的非線性特性越強烈，對功率MOSFET的開關(guān)特性以及對系統(tǒng)的EMI影響也越強烈。