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電子發燒友網>新品快訊>東京電子器件開始在中國推IGBT柵極驅動板

東京電子器件開始在中國推IGBT柵極驅動板

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2025-06-04 14:11:4646772

ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅動器技術手冊

ADuM4135是一款單通道柵極驅動器,專門針對驅動絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進行了優化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術輸入信號與輸出柵極驅動器之間實現隔離
2025-06-04 09:52:241083

矽塔柵極驅動IC原廠代理供應

柵極驅動IC 矽塔的柵極驅動解決方案具有全系統化、性能高效穩定的產品特點,同時可為客戶有效降低方案成本, 可用于60-900V 雙NMOS柵極驅動,P+N MOS驅動和單NMOS驅動。我矽塔的柵極
2025-05-30 15:20:34

ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅動器技術手冊

ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅動進行優化的單通道柵極驅動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術輸入信號和輸出柵極驅動器之間實現隔離。
2025-05-30 14:14:441382

ADuM4137具有故障檢測功能的高電壓隔離式IGBT柵極驅動器技術手冊

ADuM4137^1^ADuM4138 是一款已專門針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅動進行優化的單通道柵極驅動器。ADI 公司的 **i**Coupler*^?^* 技術輸入信號和輸出柵極
2025-05-30 10:32:44837

LM5110系列 具有 4V UVLO、專用輸入接地和關斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅動器數據手冊

(IN_REF) 為基準。柵極驅動器 輸出擺幅從 V 開始~抄送~到輸出接地 V~EE 系列~哪 相對于 IN_REF 可以是負數。欠壓鎖定保護和關斷輸入引腳 。驅動器可以輸入和輸出連接到 驅動電流能力翻倍。該器件采用 SOIC-8 封裝,采用 熱增強型 WSON-10 封裝。
2025-05-21 17:40:12806

UCC27517A 具有 5V UVLO 和負輸入電壓處理能力的 4A/4A 單通道柵極驅動器數據手冊

UCC27517A 單通道、高速、低側柵極驅動器件能夠 有效驅動 MOSFET 和 IGBT 功率開關。使用本質上最小化 擊穿電流,UCC27517A 能夠拉出和吸收高峰值電流脈沖 轉換為電容負載
2025-05-20 10:00:38960

HPD2606X 600V半橋柵極驅動器技術手冊:高壓高速MOSFET和IGBT驅動設計

內容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300

UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS,4A/6A雙通道隔離柵極驅動器數據手冊

UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅動器,具有可編程死區時間和寬溫度范圍。該器件極端溫度條件下表現出一致的性能和穩健性。它采用 4 A 峰值拉電流和 6 A 峰值灌電流設計,可驅動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。
2025-05-17 10:04:39778

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅動器數據手冊

UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻器的過流
2025-05-16 17:32:51728

UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅動器,具有5V UVLO和3.3mm通道間距數據手冊

UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅動器,具有可編程死區時間和寬溫度范圍。該器件極端溫度條件下表現出一致的性能和穩健性。它采用 4 A 峰值拉電流和 6 A 峰值灌電流設計,可驅動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。
2025-05-16 15:49:15585

UCC5871-Q1 具有高級保護功能的汽車類 30A 隔離式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅動器數據手冊

UCC5871-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻器的過流
2025-05-16 14:02:45593

UCC5880-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流
2025-05-15 16:48:57870

UCC5881-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流
2025-05-15 11:32:02821

UCC5350L-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 ±10A 單通道隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設計用于驅動 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350L-Q1
2025-05-15 11:00:09865

中微愛芯9A高速柵極驅動器AiP4422介紹

AiP4422是一款9A高速柵極驅動器。該電路主要用于驅動低側功率器件,如N型MOSFET或IGBT等。該電路主要功能是將單路兼容TTL輸入轉換為單路大電流高壓輸出,輸出有一定的驅動能力,輸入輸出同相。
2025-05-14 17:23:59925

IGBT 柵極驅動器:電力電子系統的核心組件

電力電子行業,隨著對功率電平和開關頻率要求的不斷提升,半導體器件的性能面臨更高的挑戰。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)憑借其高效性和可靠性,成為中高功率
2025-04-27 15:45:02693

新品 | 驅動無刷直流 (BLDC) 電機用三相柵極驅動器評估

新品驅動無刷直流(BLDC)電機用三相柵極驅動器評估評估EVAL-6EDL04I065PR采用英飛凌最新的采SOI技術的EiceDRVIER柵極驅動器6EDL04I065PR
2025-04-25 17:05:074661

電機控制器電子器件可靠性研究

控制器電子器件儲存狀態下的可靠性。純分享帖,需要者可點擊附件獲取完整資料~~~*附件:電機控制器電子器件可靠性研究.pdf 【免責聲明】本文系網絡轉載,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請第一時間告知,刪除內容!
2025-04-17 22:31:04

功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件,具有結構簡單、容量大、損耗低等優點,被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將MOSFET的高效和快速開關能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298

電機控制中IGBT驅動為什么需要隔離?

探討電機控制中IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)驅動為何需要隔離的問題時,我們首先要了解IGBT的基本工作原理及其電機控制中的應用,進而分析隔離技術在其中的重要性。 IGBT是一種結合了MOS柵器件
2025-04-15 18:27:451075

EMC中,MOSFET 柵極驅動電路常見類型

EMC中,MOSFET 柵極驅動電路常見類型
2025-04-14 16:48:121010

驅動電路設計(九)——柵極鉗位

,然后詳細講解如何正確理解和應用驅動器的相關功能。現在市場上功率半導體器件IGBT,MOSFET,SiCMOSFET和GaN,大都是電壓柵控器件驅動起來比電流型
2025-04-07 18:06:111108

33V單通道數字隔離柵極驅動器 拉/灌6A電流驅動SIC MOSFET及IGBT

33V,適合驅動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關。集成的 UVLO 保護確保異常情況下輸出保持低電平。輸入側供電電壓 VCC1 2.5V 到 5.5V 之間工作,支持大多數
2025-04-03 14:23:02

半導體精密劃片機電子器件中劃切應用

半導體精密劃片機電子器件制造中扮演著至關重要的角色,其高精度、高效率與多功能性為光通信、光電傳感等領域帶來了革命性的技術突破。一、技術特性:微米級精度與多維適配精度突破劃片機可實現微米級(甚至
2025-03-31 16:03:34791

TI 旋轉電機-電機驅動與控制解決方案指南

保 護與電平移位;控制器-可根據主機的反饋與運動軌跡信息 生成正確的開關模式,以控制電機的運動;柵極驅動器-可生成用于準確和高效地驅 動 MOSFET或 IGBT 所需的電壓和電流;功率級-IGBT
2025-03-18 12:27:45

IGBT驅動設計資料

電子發燒友網站提供《IGBT驅動設計資料.zip》資料免費下載
2025-03-17 17:58:554

電力電子器件的換流方式

由于采用電力電子器件作為開關器件,各支路間電流的轉移必然包含著電力電子器件開關狀態的變化,它包括關斷退出工作的已處通態的器件和接通進入工作的原處斷態的器件。由于器件和電路元件都具有慣性,上述器件開關
2025-03-12 09:58:351318

東芝推出應用于工業設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器

東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布,最新推出一款可用于驅動碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備+6.8 A/–4.8 A的輸出電流,采用小型
2025-03-11 15:11:55512

2025被廣泛視為SiC碳化硅電力電子應用中全面替代IGBT的元年

,2025年伊始電力電子行業就全面加速推動SiC替代IGBT的風潮,這一趨勢的驅動因素涉及技術突破、成本優化、政策支持及市場需求等多方面。以下是具體分析: 1. 技術性能的全面超越 SiC器件高頻、高溫、高壓場景下的性能優勢顯著,逐步克服了IGBT的固有缺陷: 高
2025-03-07 09:17:271316

東芝TLP5814H 具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器

SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能,今日開始支持批量供貨。 逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中,當下橋臂[2]關閉時,米勒電流[1]可能會產生柵極電壓,進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有,柵極關閉時,對柵極施加負電壓。 對于部分SiC MO
2025-03-06 19:24:014001

新成果展示:發光-探測雙功能AlGaN基集成光電子器件模型的開發與應用

開發了 發光-探測雙功能物理模型 ,同時提出并設計了具有非對稱多量子阱結構的AlGaN基發光-探測雙功能集成光電子器件發射區中采用極化自屏蔽的有源區結構,探測區中采用常規有源區結構。 ? ? ? 圖1展示了LED與PD原位集成光電子器件結構
2025-03-03 11:45:22713

柵極驅動器的定義和結構

的操作。柵極驅動器通過轉換和放大控制信號,確保MOSFET或IGBT能夠在其工作范圍內穩定、快速地切換狀態,從而提高整個系統的性能和可靠性。本文將深入探討柵極驅動器的概念、工作原理、結構以及其電力電子系統中的應用。
2025-02-02 13:47:001718

IGBT模塊頗具挑戰性的逆變器應用中提供更高能效

背景:電力驅動的能效雖高,但電動汽車、數據中心、熱泵等應用仍需大量能源運行,因此提高能效至關重要。 技術原理:IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種電力電子器件,它結合了MOSFET的高輸入阻抗、易
2025-01-16 10:47:24927

ESD對于電子器件的破壞機理分析

靜電放電(ESD)是電子設備和組件在生產、運輸和使用過程中常見的一種靜電現象。當帶電物體與電子器件接觸或靠近時,電荷快速轉移會形成瞬間高電壓和大電流,這種現象可能對電子器件造成不可逆的損害。以下將
2025-01-14 10:24:042806

川土微電子發布CA-IS3212單通道隔離式柵極驅動

川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離式柵極驅動器新品發布,該系列產品為驅動SiC、IGBT和GaN功率管而優化設計。
2025-01-10 18:08:421602

柵極驅動DCDC電源模塊電機驅動系統中的應用

現代電機驅動系統中,高效能與高安全性是設計的核心目標。而功率半導體器 (如 IGBT、MOSFET、SiC 和 GaN器件) 的性能直接決定系統的效率和穩定性。
2025-01-09 09:42:022214

采用 LLC 拓撲結構設計隔離式柵極驅動器電源,低成本 LLC 轉換器的設計指南

的相關內容,包括 LLC 拓撲結構隔離式柵極驅動器電源設計中的應用、具體設計方案、變壓器設計、整流二極管選擇等方面,旨在為 IGBT 和 Si/SiC MOSFET 器件的隔離式柵極驅動器提供低成本
2025-01-08 14:17:212485

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