IGBT的柵極電壓可通過不同的驅動電路來產生。這些驅動電路設計的優劣對IGBT構成的系統長期運行可靠性產生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化通態損耗，同時還要限制短路電流和功率應力，正向柵極電壓必須控制在適當范圍內。

此外，IGBT的正柵壓VGE與其導通電阻和損耗密切相關。VGE越大，導通電阻越低，從而損耗越小。然而，過大的VGE可能導致IGBT在過流時出現內部寄生晶閘管的靜態擎柱效應，進而導致器件失效。相反，如果VGE過小，IGBT的工作點可能進入線性放大區，最終因過熱而損壞。因此，開通時的柵極驅動電壓應維持在12至20V之間。

在IGBT處于斷態時，其柵極電壓為零。由于IGBT的關斷過程中可能承受高dv/dt，伴隨產生關斷浪涌電流，這可能干擾柵極關斷電壓并導致誤開通。為了避免這種情況，必須在柵極上施加一個反向關斷偏壓，以保持IGBT在集電極-發射極電壓上出現dv/dt噪聲時的關斷狀態。此外，采用反向偏壓還有助于減少關斷損耗。理想情況下，反向偏壓應在-5至-15V之間。

光耦合器-ICPL-155E

光電耦合器主要由三部分組成：光的發射、光的接收及信號放大。光的發射部分主要由發光器件構成，發光器件一般都是發光二極管，發光二極管加上正向電壓時，能將電能轉化為光能而發光，發光二極管可以用直流、交流、脈沖等電源驅動，但發光二極管在使用時必須加正向電壓。光的接收部分主要由光敏器件構成，光敏器件一般都是光敏晶體管，光敏晶體管是利用PN結在施加反向電壓時，在光線照射下反向電阻由大變小的原理來工作的。

在光電耦合器輸入端加電信號使發光源發光，光的強度取決于激勵電流的大小，此光照射到封裝在一起的受光器上后，因光電效應而產生了光電流，由受光器輸出端引出，這樣就實現了電一光一電的轉換。

工采網代理的光耦合器 - ICPL-155E由砷化鎵紅外發光二極管和集成的高增益、高速光電探測器組成。該器件采用SOP5封裝。光電探測器內部配備有法拉第屏蔽，確保了±20 kV/us的共模瞬態抗擾度。ICPL-155E適用于IGBT或功率MOSFET的直接柵極驅動電路。

引腳配置和真值表：

引腳配置和真值表

光耦 - ICPL-155E的特性：

工作溫度范圍：-40℃~+105℃

較大傳播延遲為200納秒

共模瞬態抗擾度：±20kV/us（較小值）

傳播延遲偏斜：±85納秒（較大值）

絕緣電壓：3750 Vrms（較小值）

監管批準（待批準）

-UL-UL1577

-VDE-EN60747-5-5 VDE0884-5

-CQC - GB4943.1

光電耦合器 - ICPL-155E的應用：

等離子顯示器（PDPs）

晶體管逆變器

MOSFET柵極驅動器

IGBT門驅動器

安芯微在國產光耦合器領域頗有建樹，技術以及產品方面已經很完善，如果想了解更多光耦合器的技術資料，請登錄工采網官網進行咨詢。

審核編輯 黃宇