LM5110 雙通道柵極驅(qū)動器以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管，共同從容性負(fù)載吸收超過 5A 的峰值電流。 結(jié)合 MOS 和雙極器件的獨(dú)特特性，減少驅(qū)動電流變化 電壓和溫度。獨(dú)立的輸入和輸出接地引腳提供負(fù)驅(qū)動 該功能允許用戶使用正和負(fù) VGS 電壓驅(qū)動 MOSFET 柵極。這 柵極驅(qū)動器控制輸入以專用輸入接地 （IN_REF） 為基準(zhǔn)。柵極驅(qū)動器 輸出擺幅從 V 開始抄送到輸出接地 VEE 系列哪 相對于 IN_REF 可以是負(fù)數(shù)。欠壓鎖定保護(hù)和關(guān)斷輸入引腳 。驅(qū)動器可以在輸入和輸出連接到 驅(qū)動電流能力翻倍。該器件采用 SOIC-8 封裝，采用 熱增強(qiáng)型 WSON-10 封裝。
*附件：lm5110.pdf

特性

• 獨(dú)立驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
• 復(fù)合 CMOS 和雙極輸出可減小輸出電流變化
• 5A 灌電流/3A 拉電流能力
• 兩個通道可以并聯(lián)，以實(shí)現(xiàn)雙倍的驅(qū)動電流
• 獨(dú)立輸入（TTL 兼容）
• 快速傳播時(shí)間（典型值為 25ns）
• 快速上升和下降時(shí)間（14n/12ns 上升/下降，負(fù)載為 2nF）
• 專用輸入接地引腳 （IN_REF） 用于雙電源或單電源作
• 輸出擺幅從 V 開始抄送到 VEE 系列相對于 input ground 可以是負(fù)數(shù)
• 提供雙通道同相、雙通道反相和組合配置
• 停機(jī)輸入提供低功耗模式
• 電源軌欠壓鎖定保護(hù)
• 引腳排列與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器兼容
• 包：
  • SOIC-8 封裝
  • WSON-10（4 毫米× 4 毫米）

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM是一款雙A復(fù)合柵極驅(qū)動器，具有負(fù)輸出電壓能力。它專為獨(dú)立驅(qū)動兩個N溝道MOSFET設(shè)計(jì)，適用于同步整流器、開關(guān)模式電源、電磁閥和電機(jī)驅(qū)動器等應(yīng)用。

二、主要特性

• ?高電流驅(qū)動能力?：每個輸出通道可提供A的峰值沉電流和A的峰值源電流。
• ?復(fù)合輸出結(jié)構(gòu)?：結(jié)合了CMOS和雙極型晶體管，優(yōu)化了寬輸出電壓和溫度范圍內(nèi)的電流能力。
• ?負(fù)輸出電壓能力?：輸出電壓范圍從VCC到VEE，VEE可以相對于輸入地IN_REF為負(fù)值。
• ?獨(dú)立輸入?：TTL兼容邏輯輸入，適用于獨(dú)立控制兩個輸出通道。
• ?快速傳播時(shí)間?：典型值為ns，快速上升和下降時(shí)間分別為ns和ns（nF負(fù)載）。
• ?關(guān)斷輸入?：提供低功耗模式，通過SHDN引腳控制。
• ?欠壓鎖定保護(hù)?：防止VCC電壓過低時(shí)驅(qū)動器誤操作。

三、引腳功能

• ?IN_REF?：輸入地參考引腳，用于連接輸入控制信號的參考地。
• ?IN_A/IN_B?：控制輸入A和B，TTL兼容邏輯輸入。
• ?VEE?：輸出地引腳，連接MOSFET柵極驅(qū)動的負(fù)電源。
• ?VCC?：正電源引腳，為驅(qū)動器提供工作電壓。
• ?OUT_A/OUT_B?：輸出A和B，用于驅(qū)動MOSFET柵極，輸出電壓范圍從VCC到VEE。
• ?SHDN?：關(guān)斷輸入引腳，低電平有效，用于啟用/禁用驅(qū)動器。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VCC對IN_REF的電壓差為.V至V。
• ?靜態(tài)電流?：正常工作時(shí)為mA，關(guān)斷模式下小于μA。
• ?輸出電阻?：高電平輸出電阻典型值為Ω至Ω，低電平輸出電阻典型值為.Ω至.Ω。
• ?傳播延遲?：低電平到高電平和高電平到低電平的傳播延遲典型值均為ns至ns。

五、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：包括同步整流器、開關(guān)模式電源、電磁閥和電機(jī)驅(qū)動器等。
• ?設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?：需根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的VCC和VEE電壓，以及考慮驅(qū)動電流和功率耗散。在布局時(shí)，應(yīng)盡量減少輸入和輸出引腳的寄生電感，以降低噪聲和干擾。

六、布局與熱管理

• ?布局指南?：推薦在VCC和VEE引腳之間使用低ESR/ESL的旁路電容，并盡量靠近IC放置。輸入和輸出信號路徑應(yīng)盡可能短，以減少噪聲和干擾。同時(shí)，應(yīng)注意接地設(shè)計(jì)，以避免地回路帶來的問題。
• ?熱管理?：LM提供SOIC-和WSON-兩種封裝選項(xiàng)，其中WSON-封裝具有更好的散熱性能。在設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)考慮散熱路徑和散熱片的使用，以確保IC結(jié)溫不超過最大允許值。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：SOIC-和WSON-。
• ?訂購代碼?：具體訂購代碼請參考數(shù)據(jù)手冊中的訂購信息部分。

八、文檔與支持

• ?數(shù)據(jù)手冊?：提供了詳細(xì)的技術(shù)規(guī)格、電氣特性、應(yīng)用信息和封裝尺寸等。
• ?應(yīng)用指南?：可能包含額外的設(shè)計(jì)考慮、布局示例和故障排除技巧。
• ?社區(qū)資源?：TI提供了EE在線社區(qū)和其他支持資源，方便用戶交流問題和經(jīng)驗(yàn)。

九、安全警示

• ?靜電放電（ESD）防護(hù)?：提醒用戶在存儲或處理過程中注意靜電防護(hù)，以防止損壞器件。
• ?使用注意事項(xiàng)?：用戶應(yīng)仔細(xì)閱讀數(shù)據(jù)手冊中的安全警示和使用注意事項(xiàng)，確保正確、安全地使用產(chǎn)品。