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?UCC2773x 高邊/低邊柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要

科技綠洲 ? 2025-10-10 14:53 ? 次閱讀
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UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFETIGBT。該器件由一個(gè)接地基準(zhǔn)通道 (LO) 和一個(gè)浮動(dòng)通道 (HO) 組成,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋配置的 MOSFET 和使用自舉電源工作的 IGBT。該器件具有強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)功能,具有出色的噪聲和瞬態(tài)抗擾度,包括輸入端的大負(fù)電壓容差、高dV/dt容差、開關(guān)節(jié)點(diǎn)(HS)上的寬負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū)(NTSOA)和互鎖。

該器件接受10V至21V的寬偏置電源輸入,并為VDD和HB偏置電源引腳提供UVLO保護(hù)。UCC2773x 采用各種封裝,額定工作溫度范圍為 –40°C 至 150°C。
*附件:ucc27734.pdf

特性

  • 高側(cè)、低側(cè)配置,具有獨(dú)立輸入
  • 最大自舉電壓為 +700V(HB 引腳)
  • 4A 灌電流峰值輸出電流,3.5A 源電流
  • 典型 32ns 傳播延遲
  • HO/LO之間的傳播延遲匹配在最大6ns以內(nèi)
  • VDD 偏置電源范圍為 10V 至 21V
  • 能夠處理 –6V 的輸入引腳
  • 專為引導(dǎo)作而設(shè)計(jì)的浮動(dòng)通道
  • HS引腳上最大共模瞬態(tài)抗擾度為200V/ns
  • 輸入聯(lián)鎖功能(UCC2773x)
  • 兩個(gè)通道均內(nèi)置 8V 欠壓鎖定 (UVLO)
  • SOIC 14引腳封裝,SOIC 8引腳封裝

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?
UCC27734/UCC27735是德州儀器(TI)推出的700V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,專為驅(qū)動(dòng)MOSFET/IGBT設(shè)計(jì),具有3.5A源電流和4A灌電流能力。關(guān)鍵特性包括:

  • ?高電壓支持?:最大自舉電壓700V(HB引腳),適用于高壓半橋/全橋拓?fù)洹?/li>
  • ?快速響應(yīng)?:典型傳播延遲32ns,通道間延遲匹配≤6ns。
  • ?寬電源范圍?:VDD供電10V-21V,兼容TTL/CMOS輸入邏輯。
  • ?強(qiáng)抗干擾?:200V/ns共模瞬態(tài)抗擾度(HS引腳),支持SiC/GaN應(yīng)用。

?2. 核心功能?

  • ?獨(dú)立控制?:高邊(HO)和低邊(LO)通道通過HI/LI引腳獨(dú)立控制,支持半橋/全橋配置。
  • ?保護(hù)機(jī)制?:
    • 輸入互鎖功能(防止上下管直通)。
    • 雙通道欠壓鎖定(UVLO):VDD與HB電壓監(jiān)測。
    • 負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū)(NTSOA):HS引腳支持-9V瞬態(tài)(HB-HS=12V時(shí))。
  • ? 可選使能端(UCC27735) ?:EN引腳可快速關(guān)斷輸出,響應(yīng)時(shí)間32ns。

?3. 典型應(yīng)用?

  • ?電源轉(zhuǎn)換?:離線AC/DC電源、服務(wù)器/電信電源。
  • ?新能源?:EV充電器(OBC)、儲(chǔ)能系統(tǒng)(BESS)DC/AC轉(zhuǎn)換。
  • ?工業(yè)驅(qū)動(dòng)?:白色家電PFC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

?4. 封裝與配置?

  • ?封裝選項(xiàng)?:
    • SOIC-8(3.91mm×4.90mm,UCC27734)。
    • SOIC-14(3.91mm×8.65mm,UCC27735)。
  • ?引腳功能?:
    • HB:高邊浮動(dòng)電源,需外接自舉電容(推薦≥10倍柵極電容)。
    • HS:開關(guān)節(jié)點(diǎn)返回端,支持高壓瞬變。

?5. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

  • ?布局建議?:
    • 縮短HO/LO至MOSFET的走線,降低寄生電感。
    • VDD與HB引腳需就近放置低ESR陶瓷電容(如1μF X7R)。
  • ?柵極電阻?:推薦3.01Ω以平衡開關(guān)速度與振鈴抑制。
  • ?功耗估算?:驅(qū)動(dòng)87nC柵極電荷的MOSFET時(shí),總損耗約111mW(100kHz開關(guān)頻率)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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