UCC5871-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻器的過流、基于 NTC 的過熱和 DESAT 檢測,包括在這些故障期間可選的軟關斷或兩級關斷。為了進一步減小應用尺寸,UCC5871-Q1 在開關期間集成了一個 4A 有源米勒箝位,在驅動器未通電時集成了一個有源柵極下拉。集成的 10 位 ADC 可監控多達 6 個模擬輸入和柵極驅動器溫度,以增強系統管理。集成了診斷和檢測功能,以簡化系統設計。這些功能的參數和閾值可通過 SPI 接口進行配置,這使得該器件幾乎可以與任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一起使用。
*附件:ucc5871-q1.pdf
特性
- 分離式輸出驅動器提供 30A 峰值拉電流和 30A 峰值灌電流
- 具有 150ns(最大)傳播延遲和可編程最小脈沖抑制的互鎖和擊穿保護
- 初級側和次級側有源短路 (ASC) 支持
- 可配置的功率晶體管保護
- 基于 DESAT 的短路保護
- 基于分流電阻器的過流和短路保護
- 基于 NTC 的過熱保護
- 功率晶體管故障期間的可編程軟關斷 (STO) 和兩級關斷 (2LTOFF)
- 符合功能安全標準
- 集成診斷:
- 集成 4A 有源米勒鉗位或用于米勒鉗位晶體管的可選外部驅動器
- 先進的高壓箝位控制
- 內部和外部電源欠壓和過壓保護
- 有源輸出下拉和默認低電平輸出,具有低電源或浮動輸入
- 驅動器芯片溫度感應和過熱保護
- V 時最小共模瞬態抗擾度 (CMTI) 為 100kV/μs
厘米= 1000 伏 - 基于 SPI 的器件重配置、驗證、監控和診斷
- 集成 10 位 ADC,用于功率晶體管溫度、電壓和電流監控
參數
方框圖
一、產品概述
UCC-Q是一款專為汽車電子應用設計的A隔離IGBT/SiC MOSFET門驅動器,集成了高級保護特性和高度可配置功能,適用于混合動力汽車(HEV)和電動汽車(EV)的牽引逆變器及功率模塊。
二、主要特性
- ?高電流驅動能力?:提供A峰值源和A峰值沉電流。
- ?互鎖與直通保護?:具有ns(最大)傳播延遲和可編程最小脈沖抑制。
- ?高級保護功能?:包括DESAT基短路保護、NTC基過溫保護、可編程軟關斷(STO)和兩級關斷(LTOFF)。
- ?功能安全合規?:符合功能安全應用要求,文檔支持ISO 系統設計。
- ?集成診斷功能?:內置自檢(BIST)、內部時鐘監控、故障報警(nFLT)和警告(nFLT)輸出。
- ? 高共模瞬態抑制能力(CMTI) ?:最小kV/μs。
- ?可配置性?:通過SPI接口實現參數和閾值配置,支持廣泛的SiC MOSFET和IGBT。
- ?集成ADC?:位ADC用于監控功率晶體管溫度、電壓和電流。
三、應用領域
- HEV和EV牽引逆變器
- HEV和EV功率模塊
四、功能描述
. 驅動與保護
- ?分裂輸出驅動?:提供高電流源和沉能力,支持SiC MOSFET和IGBT的高效切換。
- ?互鎖與直通保護?:防止上下橋臂同時導通,避免短路。
- ?高級保護?:包括短路、過流、過溫和DESAT檢測,支持快速響應和軟關斷。
. 配置與診斷
- ?SPI接口?:支持設備重配置、驗證、監控和診斷。
- ?集成ADC?:實現多通道模擬輸入監控,增強系統管理能力。
- ?診斷功能?:通過BIST、時鐘監控和故障輸出,提供全面的系統健康監控。
. 隔離與傳感
- ?高隔離電壓?:支持高電壓應用中的可靠隔離。
- ?隔離模擬傳感?:支持隔離的模擬信號輸入,用于溫度或電壓感測。
五、典型應用
文檔提供了UCC-Q在半橋電路中的典型應用電路,包括布局指南、設計要求和詳細設計步驟,如電源設計、輸入濾波、SPI接口配置、模擬信號監控等。
六、電源推薦
- ? 初級側電源(VCC) ?:推薦V至.V。
- ? 次級側電源(VCC) ?:推薦V至V。
- ? 次級側負電源(VEE) ?:推薦-V至V。
- ?電源旁路?:建議在電源引腳附近放置低ESR/ESL的旁路電容,以穩定電源電壓。
七、布局指南
- ?最小化寄生電感?:驅動器應盡可能靠近被驅動的功率器件。
- ?電源旁路?:電源旁路電容應盡可能靠近電源引腳放置。
- ?信號完整性?:保持輸入信號的完整性,避免長距離傳輸和干擾。
- ?熱管理?:考慮PCB布局以優化熱傳導,減小熱阻。
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