據悉，三星電子利用具有“夢幻新材料”之稱的石墨烯（graphene）研制出了新的晶體管結構。如果石墨烯晶體管開發獲得最終成功可提高運算能力100倍。三星電子18日表示，綜合技術院突破了現有半導體材料——硅的局限性，大大提高了開發未來晶體管的可能性，而有關該內容的論文刊登在了世界權威學術雜志《科學》的網絡版。

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在半導體中有以硅為材料的數十億個晶體管，如果想提高半導體的性能需要縮小晶體管的大小以拉近電子的移動距離，或是利用可提高電子移動速度的材料，盡可能使電子快速移動。

石墨烯因擁有較快的電子移動速度而受到關注，但由于其金屬性質無法隔離電流成為一個難題。

晶體管中用數據信號“0和1”來表示電流的流動與切斷。如果想用石墨烯來代替硅，需要通過半導體化過程。但在這個過程中石墨烯內電子的移動速度會明顯降低，所以有不少人對石墨烯產生質疑。

三星電子綜合技術院研發出了不改變石墨烯本身也可隔離電流的材料。接合石墨烯和硅，形成一個叫做肖特基勢壘(Schottky Barrier)的能源壁壘，通過調整這個壁壘的高度可以實現電流的開關。由于要直接調整這個壁壘，三星電子為這個元件命名為“Barristor”。

三星電子此次發表的論文解決了石墨烯研究中的一大難題，為今后的研究開啟了新的方向，并為在這個領取保持領先地位創造了條件。

目前，三星電子擁有有關石墨烯晶體管的工作方式和結構等9項核心專利。