盛美半導體設備(上海)有限公司近日宣布第一臺Ultra C 12英寸單片兆聲波清洗設備已經銷售給韓國存儲器制造巨頭。采用盛美的空間交變相移兆聲波技術(SAPS)，Ultra C無需用高濃度的化學藥液，而是采用極低濃度的功能水即可實現優越的顆粒去除率(PRE)，并且使材料的流失降到最低。該設備將用于客戶最先進器件的制造工藝上，該設備現已運出，最終驗收預計在近期完成。

　　這是中國本土的半導體設備廠商第一次能夠進入國際主流半導體廠商的供應鏈中，而且還是對新工藝新技術最最敏感的存儲器廠商，就更加不容易。相信進入這家存儲巨頭的供應鏈以后，會有更多國際半導體制造商敢于采用來自這家公司的設備，而中國半導體行業的最大短板——半導體制造設備終于有了巨大的突破。

　　Ultra C定位于高端的清洗工藝。通過客戶端大生產線驗證，Ultra C清洗后的PRE在65nm及以上顆粒達到96%，在44nm至65nm顆粒之間PRE達到74%，單道清洗后的材料損失控制在0.2 ?之內，而競爭對手只能做到PRE在65nm及以上顆粒做到84%，44nm至65nm顆粒之間僅為13%，清洗效果顯著優于其它與之競爭的技術。在45nm技術節點，Ultra C的單道清洗將生產良率提高了1.3%。

　　對于大型半導體制造公司來說，每提高1%的良率都可增加一億美元的凈收入，所以Ultra C給客戶帶來的巨大良率提升是盛美能夠打入半導體巨頭設備供應鏈的根本原因，因為半導體制造企業對于設備的采購與更改供應商會極端謹慎，如果沒有巨大的技術創新，你不可能說服他們更改設備供應商。盛美的創始人及CEO王暉說，“這臺訂單證明市場認可了我們的SAPS清洗技術，越小器件的技術節點對材料流失的工藝參數要求越高，并且影響最終良率的特征顆粒尺寸趨小，因而更難以清洗。我們的SAPS聲波清洗技術已被半導體制造業巨頭接受，成為去除這些納米級顆粒的可行方案。在45nm及以下技術節點，Ultra C將成為取代現有清洗技術的突破性技術。” 盛美擁有自主知識產權的技術“SAPS”可以控制兆聲波能量在硅片面內以及硅片到硅片之間的非均勻度都小于2%。而目前在市面上的單片兆聲波清洗設備只能控制兆聲波能量非均勻度在10-20%。

　　同時，盛美也推出了其無應力拋光集成設備(the Ultra iSFP)。該設備能夠對65nm及以下的銅互聯結構進行無應力、無損傷拋光。該設備整合了無應力拋光技術(SFP)、熱氣相蝕刻技術 (TFE)以及低下壓力化學機械平坦化技術(ULDCMP)，利用其各自獨特的技術優點，確保在整個拋光過程中對銅互連結構無任何損傷。使用無應力拋光設備制造以二氧化硅(SiO2)為基體的空氣穴互連結構有諸多優點。其工藝簡單，可以使用傳統的二氧化硅介電質及大馬士革工藝，因此不需要開發新材料和新工藝。該工藝對于窄的銅線和極小的互聯結構沒有任何損傷，具有自動對準功能，不需要硬光掩膜，并只在小線距區域選擇性的形成空氣穴，而不在大線距區域形成空氣穴，這樣既能在小線距區域提供低于2.2的有效超低k特性，又能給互連結構提供出色的機械強度及良好的散熱特性，以此抵擋封裝時帶來的機械壓力，并解決器件運行時的發熱問題。“無應力拋光技術的問世代表著銅/超低k介質互聯的整合工藝取得了重大突破，特別是在以二氧化硅(SiO2)為基體的空氣穴互聯結構的應用解決了三維封裝TSV遇到的發熱難題。”王暉補充道。據悉，盛美所掌握的是獨家技術，目前在全世界無直接競爭對手，連應用材料公司等世界前三大半導體設備商和IBM和Intel等公司都未能掌握。