（1）產品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數，在實際的應用中要結合這些因素綜合考慮。
（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個尖峰
2025-12-23 08:37:26
MOSFET能夠承受最大的電流值。
（3）Id電流具有負溫度系數，電流值會隨著結溫度升高而降低，因此應用時需要考慮的其在高溫時的 Id值能否符合要求。
2025-12-23 08:22:48
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
（1）Vth是指當源極與漏極之間有指定電流時，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負溫度系數，選擇參數時需要考慮。
（3）不同電子系統選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據系統的驅動
2025-12-16 06:02:32
在電池管理系統（BMS）設計中，辰達半導體MOSFET作為開關元件，負責電池充放電、均衡、過流保護和溫度控制等功能的實現。MOSFET的性能直接影響系統的效率、可靠性和安全性。因此，在選擇
2025-12-15 10:24:57
238 
：LFUS）是一家多元化的工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布推出采用行業標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業應用的電源封裝技術帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎設施及儲能系統等市場的高功率、高電壓應用提供增強的散熱性能、可靠性和設計靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 威兆半導體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負電源切換、小型負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道增強型
2025-12-10 09:44:34249 
Diodes 公司（Diodes）（納斯達克代碼：DIOD）推出AL3069Q，一款符合汽車標準的高效率 60V 升壓控制器，適用于背光應用。該器件包含四個80V高精度灌電流（Current
2025-12-01 16:15:311023 在電子工程師的日常設計工作中，MOSFET 作為關鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個電路的運行效率和穩定性。今天，我們就來詳細剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 這款 100V、3.9mΩ、138A 的單 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
℃，250uA電流，溫度越高，VGS(th)值會越低。
問題31：VDS超過最大額定電壓，但通過電流很小，會使損壞器件嗎？
回復：要計算功率損耗，同時，校核安全工作區。
問題32：封裝對結電容、開關時間
2025-11-19 06:35:56
/11.5V欠壓保護
雙輸入設計，靈活配置同相或反相驅動
工業級溫度范圍（-40°C~140°C），SOT23-5小封裝
優勢解析：
-之前用NPN+PNP搭驅動電路，光是匹配器件、布局布線就煩惱了
2025-11-12 08:27:29
仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統逆變器
2025-11-05 15:28:39205 
中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T，以150V耐壓、51A連續電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標簽，精準匹配3-8kW級中壓場景的功率控制需求，其參數設計與應用表現，為理解中壓小功率器件的適配性發展邏輯提供了典型樣本。
2025-11-04 16:27:15481 
Diodes 公司（Nasdaq： DIOD）宣布推出符合汽車標準*的PI2DPT1021Q，這是一款全新的比特級重定時器，設計用于滿足汽車市場的嚴格要求。該器件支持 USB Type-C
2025-11-03 17:14:40674 在中小型功率電子設備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級的進程中，MOSFET作為電能控制的核心器件，其性能與尺寸的平衡成為設計關鍵。中科微電推出的ZK100G08TN溝道MOSFET，以100V
2025-10-21 10:54:37320 
Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq：DIOD）宣布推出PI7C9X762Q，這是一款符合汽車標準*的高性能 I2C/SPI 總線至雙通道 UART 網橋。該器件在工作狀態和睡眠模式下
2025-10-17 17:51:131015 圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應用于 VBUS 過壓保護開關、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關及 DC/DC 轉換器。
2025-10-14 17:34:482209 
，Wolfspeed 面向汽車和工業市場發布商業化量產的頂部散熱U2封裝器件，來擴展系統設計選項。U2封裝可作為對其他供應商生產的 MOSFET 的直接替代，為客戶成熟的設計提供了采購靈活性，并改善了封裝爬電距離，以支持 650 V 至 1200 V 系統的設計。符合車
2025-10-13 05:17:006242 PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態均流功能，專為需要并聯多個匹配MOSFET的高功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅動系統，或高功率工業電機。
2025-10-10 11:22:27700 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電
2025-09-18 18:19:141109 Nexperia（安世半導體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產品組合，該系列采用行業標準微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應用設計。
2025-09-12 09:38:45630 Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）宣布推出符合車用規范*的全新矩陣式LED驅動器AL5958Q，具備48通道恒定電流源，支持最多32組掃描。該器件為車用動態照明帶來變革，提升全新汽車平臺的安全、個性與美學。
2025-09-11 17:17:31693 新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現有
2025-09-08 17:06:34931 
SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應用是有所不同的，在耐受時間上通常在?2-7μs?范圍內。多數規格書標稱的短路時間是供應商在評估器件初期，使用單管封裝測試的，2-3μs;到模塊
2025-09-02 14:56:561098 
Diodes公司（Nasdaq：DIOD）推出四款符合車用規范*的異步降壓轉換器，適用于48V 低電壓軌負載點（PoL）應用。
2025-09-01 17:26:591933 ]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-09-01 16:33:492081 
電力電子器件作為現代能源轉換與功率控制的核心載體，正經歷著從傳統硅基器件向SiC等寬禁帶半導體器件的迭代升級，功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的集成化與高性能化發展，推動著封裝技術向高密度集成、高可靠性與高效散熱方向突破。
2025-08-25 11:28:122524 
新潔能研發團隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強型N溝道MOSFET 系列產品。
2025-08-22 18:02:351527 
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AP7372低噪聲低壓差 (LDO) 穩壓器，用于為數據轉換器 (ADC、DAC)、電壓控制振蕩器 (VCO) 和鎖相環 (PLL) 等精密元器件供電。
2025-08-18 09:32:25892 碳化硅（SiC）功率半導體技術引領者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統級可靠性，為新能源發電、工業電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
(Wafer Sort)，剔除不良品，提升后端封裝良率。 功率器件研發與特性分析：全面表征器件靜態參數（IV特性：BVdss, Rds(on), Vth, Igss等）和動態參數研究器件在不同溫度下的性能表現
2025-07-29 16:21:17
全球連接與傳感領域領軍企業TE Connectivity (TE) 新推出的ELCON Micro線到板電源解決方案升級系統載流能力，該解決方案采用3.0mm的標準工業封裝，各引腳提供的電流高達
2025-07-21 12:51:25
隨著云服務、AI訓練、超大規模分布式存儲的興起，大型數據中心對時鐘源提出更高標準：需要支持超高頻率、極低抖動、寬溫運行與高可靠性。FCO 系列差分晶體振蕩器提供完整封裝（25207050）、電壓兼容
2025-07-16 11:32:26
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設計方面的進展，重點關注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關損耗方面的作用，以及開爾文源極連接結構對高頻應用效率的優化效果。同時分析了
2025-07-08 10:28:25552 
碳化硅MOSFET和肖特基二極管產品，通過頂部散熱（TSC）封裝，可以顯著提升系統功率密度和效率，同時優化熱管理性能并增強電路板布局靈活性。 ? 本次新推出的U2系列產品全系采用頂部散熱封裝，提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項，面向電動汽車車載充電機及快速充電基礎設
2025-07-08 00:55:003493 
UPS的“芯”動力在數據中心、醫療設備、工業自動化等關鍵領域，不間斷電源(UPS)如同“電力衛士”，保障著系統的穩定運行。而作為UPS核心“開關”的功率器件——MOSFET，其性能直接影響著整機
2025-07-01 17:41:351173 
隨著全球對能源效率與低碳技術的需求日益增長，商空熱泵(Commercial HVAC)作為大型建筑供暖、通風與空調系統的核心設備，亟需更高性能的功率器件以提升能效與可靠性。BASiC
2025-06-19 16:44:44676 
隨著工業領域的不斷發展，大型工業設備的運行診斷和優化變得至關重要。為了確保工業生產的高效性和可靠性，需要一種先進的大型工業設備運行診斷系統。 針對大型機器設備的運行進行監測，監測其運行狀態下的震動
2025-06-18 15:43:38522 面對大功率和高電壓應用不斷增長的需求，Nexperia（安世半導體）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩定性、超快的開關速度以及超強的短路耐受性，是電動汽車充電基礎設施、光伏逆變器以及電機驅動的不二選擇。
2025-06-14 14:56:401365 
作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破，其研發團隊持續創新，正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產品
2025-06-11 08:59:592500 
Diodes 公司擴大碳化硅 (SiC) 產品組合，推出五款高性能、低品質因數 (FOM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。
2025-06-06 16:09:51867 
糕的是：這種缺點在工作溫度更高的情況下會加重。另外一個結果是需要能夠快速泵出和吸收電流的相當復雜的基極驅動電路。相比之下，(MOS)FET 這種器件在柵極實際上消耗的電流為零；甚至在 125°C 的典型柵極電流
2025-06-03 15:39:43
通過并聯SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統的要求。本章節主要介紹了SiC MOSFET并聯運行實現靜態均流的基本要求和注意事項。
2025-05-23 10:52:481552 
”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901 
在服務器電源、工業驅動及新能源領域，MOSFET的性能直接決定系統的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優化技術，為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
電子元器件封裝大全,附有詳細尺寸
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（如果內容有幫助可以關注、點贊、評論支持一下哦~）
2025-05-15 13:50:12
，聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業注入強勁新動能。
2025-05-14 17:55:021060 納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現行業最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規性。
2025-05-14 15:39:301341 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產品組合，推出五款高性能、低品質因數 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
2025-05-12 16:06:34897 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規級碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件
2025-05-09 19:42:5351531 圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉換器、功率負載開關以及筆記本電池管理等領域。
2025-05-09 16:57:26971 
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽車標準* 的 3D 線性霍爾效應傳感器。AH4930Q 可檢測 X、Y、Z 軸的磁場，實現可靠且高精度的非接觸旋轉運動與接近檢測。產品應用包括信息娛樂系統上的按壓旋鈕、換擋撥片、門把手和門鎖，以及電動座椅調角器。
2025-04-23 17:01:41961 ，其中， Tj 表示 MOSFET 的結溫，最大能承受 150℃Tc 表示 MOSFET 的表面溫度通過上面公式可以計算一下，表面溫度在 25℃的情況下，管子能承
2025-04-22 13:29:18
5 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 首次推出先進的銻化銦 (InSb) 霍爾器件傳感器系列，可檢測旋轉速度和測量電流，適用于筆記本電腦、手機、游戲手柄等消費產品應用
2025-04-14 15:19:07880 引言
隨著電力半導體器件的發展[1-2]，已經出現了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
(零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外，新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
中國上海–2025年3月13日–近日，全球知名的電子元器件授權代理商富昌電子（Future Electronics）榮獲Diodes 公司頒發的“2024年度亞洲最佳分銷商獎（Asia Best
2025-03-18 09:29:46409 
高效運行、穩定續航的“底層密碼”。原理與應用N溝道MOSFET通過控制柵源電壓來調節源漏間的電子通路，實現電流的導通與截止。這種特性使得N溝道MOSFET在智能機器人中能夠高效地應用于電機驅動、傳感器
2025-03-14 14:14:082251 
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL）推出兩款先進的表面貼片封裝選項，擴展其行業領先的高功率MOSFET產品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產品的推出，標志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外，新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET
2025-03-06 15:59:14
RS-232接口及Ethernet接口，可實現遠程自動控制。
可針對以下封裝的半導體器件進行高精度自動溫度實驗測量
(1)石英晶體諧振器、振蕩器
(2)電阻、電容、電感
(3)二極管、三極管、場效應管
2025-03-06 10:48:56
無法在 OVMS 上運行來自 Meta 的大型語言模型 （LLM），例如 LLaMa2。
從 OVMS GitHub* 存儲庫運行 llama_chat Python* Demo 時遇到錯誤。
2025-03-05 08:07:06
隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產品研發部門推出HO系列MOSFET產品，優化了SOA工作區間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅動、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
進入2025年以來，全行業出現SiC碳化硅MOSFET價格開始低于傳統IGBT的現象，比行業認知提前十幾年見證功率半導體歷史拐點：SiC碳化硅MOSFET價格開始低于IGBT！主要源于技術突破、產能
2025-03-03 16:28:221386 
隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
在現代智能電子設備中，體積與效率的博弈從未停止。為應對5G、新能源、汽車電子對高密度設計的需求，其中，MOSFET作為電源管理的核心器件,我們KUU原廠推出全新產品——MOSFET
2025-02-27 12:02:084596 
記GaNPX?封裝器件的熱設計.pdf 應用筆記--GaNPX?封裝器件的熱設計 1. 控制器件溫度的重要性 ? 溫度對電氣參數的影響 ?：Rds(on)（導通電阻）和跨導gm隨溫度升高而增加，導致導通損耗和開關損耗增加。 ? 熱設計目標 ?：通過良好的熱設計降低結溫Tj，防止熱失衡，提
2025-02-26 18:28:471205 電池，無需額外的預穩壓電路。該系列LDO集成了短路保護、過流保護及熱關斷等保護功能，并可在-40℃到125℃（環境溫度）或-40℃到150℃（結溫）范圍內穩定運行。此外，該系列中的部分器件配備Power
2025-02-26 11:01:33
公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
SiC 器件性能表現突出，能實現高功率密度設計，有效應對關鍵環境和能源成本挑戰，也因此越來越受到電力電子領域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運行頻率更高
2025-02-20 10:08:051343 
DLPA3005工作溫度范圍是0℃以上，在低于0℃工作會有什么問題以及怎樣解決低溫工作這個問題呢？
2025-02-19 08:17:30
Diodes公司近日推出其首款自我保護型且符合汽車規范的高側IntelliFET產品——DIODES ZXMS81045SPQ。這款小型化設備不僅能提供高功率電源，還集成了保護和診斷功能，專為驅動
2025-02-18 11:49:32
IGBT的溫度及安全運行 IGBT的溫度可由下圖描述： 溫差 (平均值)和熱阻關系如下式： Rthjc = ΔTjc ÷ 損耗 Rthch = ΔTch ÷ 損耗 Rthha = ΔTha ÷ 損耗
2025-02-14 11:30:5933047 
近日，Diodes公司宣布推出全新85V、符合汽車標準的LED驅動器——AL8866Q，進一步擴展了其汽車級產品組合。這款直流開關LED驅動控制器專為高功率LED照明系統設計，能夠驅動外部
2025-02-06 11:08:321623 射頻電路中常見的元器件封裝類型有以下幾種： 表面貼裝技術（SMT）封裝 方型扁平式封裝（QFP/PFP）：引腳間距小、管腳細，適用于大規模或超大型集成電路，可降低寄生參數，適合高頻應用，外形尺寸
2025-02-04 15:22:001351 在射頻電路這片對性能要求極高的領域中，元器件封裝絕非簡單的物理包裹，而是關乎電路整體性能優劣的關鍵環節。恰當的封裝選擇與處理，能讓射頻電路在高頻環境下穩定、高效地運行，反之則可能引發一系列棘手
2025-02-04 15:16:00972 碳化硅（SiC）功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性，在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發揮SiC器件的性能，封裝技術至關重要。本文將詳細解析碳化硅功率器件的封裝技術，從封裝材料選擇、焊接技術、熱管理技術、電氣連接技術和封裝結構設計等多個方面展開探討。
2025-02-03 14:21:001292 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
Diodes公司（納斯達克代碼：DIOD）近日正式宣布推出其最新的AL8866Q LED驅動器，進一步豐富了其符合汽車標準的產品線。這款直流開關LED驅動控制器專為外部MOSFET設計，能夠支持降壓
2025-01-23 15:44:402758 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8866Q LED 驅動器，擴大符合汽車標準*的產品組合。這款直流開關 LED 驅動控制器可驅動外部 MOSFET，支持
2025-01-23 13:53:231245 全球連接與傳感領域領軍企業TE Connectivity (TE) 新推出的ELCON Micro線到板電源解決方案升級系統載流能力，該解決方案采用3.0mm的標準工業封裝，各引腳提供的電流高達
2025-01-23 11:42:26
隨著半導體功率器件的使用環境和性能要求越來越高，器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問題導致的失效占了總失效的一半以上，而通過封裝技術升級，是提高器件散熱能力的有效途徑之一。
2025-01-23 11:13:441955 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）都是重要的半導體功率器件，它們在電子電路中發揮著關鍵作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介紹：IGBT的特性
2025-01-23 08:20:361161 
電子發燒友網站提供《常用電子元器件的物理封裝.pdf》資料免費下載
2025-01-21 14:56:012 大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯形成的混合器件實現了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572634 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8891Q LED 驅動器，擴大符合汽車標準*的產品組合。這款同步降壓 LED 驅動器簡單易用，具有高側電流感測功能
2025-01-17 13:51:28907 BASiC國產SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級拓撲實測效率高于進口器件
2025-01-13 09:58:291463 
Diodes 公司 (Diodes)(Nasdaq：DIOD)推出新款符合汽車規格*的 36 通道線性 LED 電流驅動器。AL5887Q 具備驅動 RGB 配置及單獨 LED 的能力，可幫助設計人
2025-01-09 16:17:481039 圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應用于 VBUS 過電壓保護開關，電池充放電開關和直流-直流轉換器。
2025-01-08 16:34:241182
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