概述

ADRF5515A是一款雙通道、集成RF、前端、多芯片模塊，設計用于時分雙工(TDD)應用。該設備的工作頻率為3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515A采用雙通道配置，包含級聯兩級低噪聲放大器(LNA)和高功率硅單刀雙擲(SPDT)開關。

在高增益模式下，級聯兩級LNA和開關提供1.05 dB的低噪聲系數和36 dB的高增益（頻率為3.6 GHz）以及35 dBm（典型值）的輸出3階交調(OIP3)點。在低增益模式下，兩級LNA的一級處于旁路狀態，在48 mA的較低電流下提供17 dB的增益。在關斷模式下，LNA都會關閉且器件功耗為13 mA。

在發射操作中，當RF輸入連接到端電極引腳（TERM-CHA或TERM-CHB）時，該開關提供0.5 dB的低插入損耗，并在整個生命周期內處理43 dBm的長期演進(LTE)平均功率（9 dB峰值/平均值比(PAR)）。

該器件采用符合RoHS標準的緊湊型、6 mm × 6 mm、40引腳架構芯片級封裝(LFCSP)。
數據表：*附件：ADRF5515A雙通道，3.3GHz至4.0GHz，20W接收器前端技術手冊.pdf

應用

• 無線基礎設施
• TDD大規模多路輸入和多路輸出和有源天線系統
• 基于TDD的通信系統
  特性
• 集成式雙通道 RF 前端
  • 2 級 LNA 和高功率硅 SPDT 交換芯片
  • 片內偏置和匹配
  • 單電源供電
• T~CASE= 105°C 時具有高功率處理能力
• LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整個生命周期：43 dBm
• 增益
• 高增益模式：3.6 GHz 時為 36 dB（典型值）
• 低增益模式：3.6 GHz 時為 17 dB（典型值）
• 低噪聲指數
• 高增益模式：3.6 GHz 時為 1.05 dB（典型值）
• 低增益模式：3.6 GHz 時為 1.05 dB（典型值）
• 高隔離
  • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：47 dB（典型值）
  • TERM-CHA 和 TERM-CHB：75 dB（典型值）
• 低插入損耗：3.6 GHz 時為 0.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：35 dBm（典型值）
• 關斷模式和低增益模式
• 低電源電流
• 高增益模式：5 V 時為 95 mA（典型值）
• 低增益模式：5 V 時為 48 mA（典型值）
• 關斷模式：5 V 時為 13 mA（典型值）
• 正邏輯控制
• 6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝
• 與[ADRF5515] 和 [ADRF5519]，以及 10 W 版本，[ADRF5545A] 和 [ADRF5549] 的引腳兼容。

框圖

引腳配置

接口示意圖

輪廓尺寸