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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進口器件征程的品質(zhì)底色
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進口器件征程的品質(zhì)底色:以基本半導體可靠性報告為核心的深度解析 BASiC Semiconductor基本半導體一級...
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):交錯與硬并聯(lián)
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):基于基本半導體產(chǎn)品矩陣的交錯與硬并聯(lián)策略全景研究 BASiC Semiconductor基本半導體一級...
NCEPOWER新潔能推出鋰電池保護應(yīng)用原理分析及溝槽型MOSFET對應(yīng)方案~
NCEPOWER新潔能推出鋰電池保護應(yīng)用原理分析及溝槽型MOSFET對應(yīng)方案~
聞泰科技斬獲2026 IC風云榜年度車規(guī)芯片技術(shù)突破獎
近日,2026半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮舉行,聞泰科技憑借研發(fā)創(chuàng)新實力斬獲“年度車規(guī)芯片技術(shù)突破獎”,旗下1200V車規(guī)級碳化硅(SiC)MOS...
固態(tài)變壓器SST即電力電子變壓器(PET)拓撲架構(gòu)解析與演進趨勢研究報告
傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)建立在交流電(AC)與低頻變壓器(LFT)的基礎(chǔ)之上,這一架構(gòu)在一個多世紀以來一直是全球能源傳輸?shù)幕?/p>
2026-01-20 標簽:MOSFET碳化硅固態(tài)變壓器 811 0
MDD辰達半導體分立器件在清潔電器中的應(yīng)用優(yōu)勢
隨著生活水平的提高和智能家居概念的深入人心,清潔家電正以前所未有的速度走進千家萬戶。據(jù)統(tǒng)計,全球智能掃地機器人市場規(guī)模已超過百億美元,在這一快速發(fā)展的市...
探索意法半導體新型40V STripFET F8功率MOSFET
STripFET F8技術(shù)可在提供極低導通電阻的同時,有效降低內(nèi)部電容和柵極電荷,堪稱功率MOSFET的一次重大突破。該技術(shù)能夠降低導通損耗和開關(guān)損耗,...
2026-01-13 標簽:MOSFET意法半導體汽車系統(tǒng) 543 0
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號
新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET...
合科泰解析LED背光驅(qū)動中MOSFET先短路后開路的故障原因
在LED背光驅(qū)動的升壓電路中,功率MOSFET出現(xiàn)先短路后開路的損壞情況,是一種典型的故障過程。先因電氣過載導致芯片內(nèi)部擊穿短路,隨后因大電流燒斷內(nèi)部連...
合科泰解析MOSFET在48V輕混系統(tǒng)電源管理中的應(yīng)用
隨著全球汽車電動化浪潮的加速,48V輕混系統(tǒng)(MHEV)憑借其高效、低成本的優(yōu)勢,正成為傳統(tǒng)燃油車向純電動汽車過渡的重要技術(shù)路徑。48V輕混系統(tǒng)通過集成...
2026-01-13 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電源管理 551 0
ODC軌道數(shù)據(jù)中心算力電源架構(gòu)與SiC碳化硅MOSFET應(yīng)用研究報告
隨著人工智能(AI)大模型參數(shù)量向萬億級邁進,地面數(shù)據(jù)中心的能源消耗與散熱需求正逼近物理與環(huán)境承載的極限。傳統(tǒng)的地面基礎(chǔ)設(shè)施面臨著土地資源緊張、清潔能源...
SOFC燃料電池功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)(PCS)研究報告
在全球能源轉(zhuǎn)型的宏大背景下,氫能與燃料電池技術(shù)正逐漸從邊緣走向舞臺中央。作為一種高效、燃料靈活且排放極低的發(fā)電技術(shù),固體氧化物燃料電池(Solid Ox...
在工業(yè)控制、電機驅(qū)動、逆變電源等核心領(lǐng)域,柵極驅(qū)動光耦作為IGBT/MOSFET的“神經(jīng)中樞”,長期被海外品牌壟斷。但進口依賴帶來的供貨周期長、成本高、...
SiC碳化硅MOSFET銷售團隊電力電子行業(yè)認知教程:基于電磁場論的電壓、電流與能量傳輸本質(zhì)解析
傾佳電子楊茜SiC碳化硅MOSFET銷售團隊電力電子行業(yè)認知教程:基于電磁場論的電壓、電流與能量傳輸本質(zhì)解析 BASiC Semiconductor基本...
SiC碳化硅MOSFET串擾抑制研究報告:基于電容分壓與負壓關(guān)斷機制全維解析
隨著第三代寬禁帶半導體技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其高耐壓、低導通電阻和極高的開關(guān)速度,已成為新能源汽車、光伏逆變器及高密度開關(guān)電源...
據(jù)參考消息網(wǎng)報道,美國太空探索技術(shù)公司計劃未來數(shù)月內(nèi)將4400顆“星鏈”衛(wèi)星軌道高度從550公里降至約480公里。目前已有9000余顆“星鏈”衛(wèi)星在軌運...
合科泰中低壓MOSFET的產(chǎn)品優(yōu)勢和應(yīng)用案例
在當今競爭激烈的半導體市場中,中低壓MOSFET的應(yīng)用日益廣泛,涵蓋了消費電子、工業(yè)控制、新能源等多個領(lǐng)域。作為專業(yè)的半導體分立器件廠商,合科泰憑借多年...
UCC27284:高性能N溝道MOSFET驅(qū)動芯片的卓越之選
UCC27284:高性能N溝道MOSFET驅(qū)動芯片的卓越之選 在電子工程師的設(shè)計世界里,一款性能出色的MOSFET驅(qū)動芯片往往能為整個電路設(shè)計帶來質(zhì)的飛...
B3M系列碳化硅MOSFET軟反向恢復技術(shù)特性及其在橋式拓撲中的應(yīng)用價值研究報告
基本半導體B3M系列碳化硅MOSFET軟反向恢復技術(shù)特性及其在橋式拓撲中的應(yīng)用價值研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和...
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