符合AEC-Q101標準、適合汽車應用的低壓MOSFET

STripFET F8技術可在提供極低導通電阻的同時，有效降低內部電容和柵極電荷，堪稱功率MOSFET的一次重大突破。該技術能夠降低導通損耗和開關損耗，從而提高整體效率。該系列MOSFET可提供40V和100V兩種可選方案，且支持標準電平和邏輯電平兩種驅動功能，是各種汽車應用的理想之選。

如今我們的產品組合包含了采用PowerFLAT（5x6mm）封裝的全新STL325N4F8AG，以及采用創新型PowerLeaded（8x8mm）封裝的STK615N4F8AG。

探索新型40V STripFET F8功率MOSFET

先進的STripFET F8技術能夠在減少輸出電容的同時，最大限度降低尖峰電壓和能量損耗。此外，該低壓MOSFET系列還采用了經過改進的體漏極二極管，其開關更軟，且能夠有效降低電磁干擾。這些增強特性可幫助設計人員滿足EMC要求，并簡化低壓汽車應用的合規驗證過程。

STK615N4F8AG

車規級N溝道40V、0.48mΩ（最大值）

該器件采用全新的PowerLeaded（8x8mm）封裝，不僅占用空間更小，功率密度更高，電流處理能力更強，而且可將RDS(on)控制在0.48mΩ的極低水平。

STL325N4F8AG

車規級N溝道40V、0.85mΩ（最大值）

該器件采用高效、可靠的PowerFLAT（5x6mm）緊湊型封裝，通過將RDS(on)保持在較低水平來降低功率損耗，并提升汽車系統的熱性能。

eDSim：快速且功能強大的電氣模擬軟件，用于SMPS和模擬IC

eDSim可為STripFET F8 MOSFET系列提供支持，并為SMPS和模擬IC提供快捷可靠的電氣模擬功能。該工具性能強大，能夠幫助用戶設計和優化汽車系統，并確保將其無縫集成并有效應用于各個汽車應用領域。