hbm3e

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HBM（High Bandwidth Memory，HBM）性能強(qiáng)大成為 AI/ML 和其他高性能計(jì)算工作負(fù)載的首選內(nèi)存。AI服務(wù)器需求的爆發(fā)使得HBM供不應(yīng)求。HBM3 于2022 年正式推出，是最新一代的高帶寬內(nèi)存；我們可以認(rèn)為HBM3的擴(kuò)展版本就是HBM3E。

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hbm3e資訊

DRAM定價(jià)提升帶來(lái)營(yíng)收上揚(yáng)！受益于AI數(shù)據(jù)中心需求，美光上調(diào)第四財(cái)季營(yíng)收和盈利預(yù)期

8月11日，美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光科技公司發(fā)布截止8月28日的第四財(cái)季預(yù)報(bào)，公司預(yù)計(jì)該財(cái)季營(yíng)收將達(dá)到112億美元，上下浮動(dòng)1億美元，受樂(lè)觀業(yè)績(jī)指引的影響，...

2025-08-12 標(biāo)簽：amd AI 美光 9.1k 0

SK海力士攜HBM4及面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合亮相2025國(guó)際電腦展

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2025-06-05 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SK海力士 HBM 2k 0

三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤，商討HBM3E供應(yīng)

近期，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門負(fù)責(zé)人兼副董事長(zhǎng)全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達(dá)公司CEO黃仁勛，在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達(dá)總部...

2025-02-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器英偉達(dá)三星 1.1k 0

SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動(dòng)中，SK hynix（SK海力士）透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e ...

2024-11-14 標(biāo)簽：芯片 SK海力士 HBM3E 1.5k 0

三星存儲(chǔ)，開始反擊！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，三星電子公布了其第三季度財(cái)報(bào)，顯示該公司芯片季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)3.86萬(wàn)億韓元，遠(yuǎn)低于上一季度的6.45萬(wàn)億韓元，環(huán)比爆...

2024-11-04 標(biāo)簽：存儲(chǔ)三星 HBM3E 4.4k 0

三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路

近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星電子向英偉...

2024-10-23 標(biāo)簽：芯片 DRAM 三星電子 1.3k 0

GPU需求高漲,原廠競(jìng)相把握HBM3e市場(chǎng)機(jī)遇

AI芯片需求在人工智能浪潮中持續(xù)攀升，近期消息顯示，不僅HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）出現(xiàn)供不應(yīng)求、原廠積極擴(kuò)產(chǎn)的情況，英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)的GPU也面...

2024-10-15 標(biāo)簽：gpu AI HBM 1.6k 0

風(fēng)景獨(dú)好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）在早前的報(bào)道中，對(duì)于HBM產(chǎn)能是否即將過(guò)剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲(chǔ)芯片廠商對(duì)HBM產(chǎn)品升級(jí)的步伐。 ? 三大廠...

2024-10-06 標(biāo)簽：SK海力士 HBM3 HBM3E 5.8k 0

SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。...

2024-09-27 標(biāo)簽：AI SK海力士 HBM3E 1.3k 0

今日看點(diǎn)丨華為 Mate 70 系列被曝整機(jī)已量；SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

1. 臺(tái)積電2nm 小規(guī)模試產(chǎn) ? 臺(tái)積電將于2025年量產(chǎn)其2nm工藝，日本SMC社長(zhǎng)高田芳樹近日表示，臺(tái)積電已經(jīng)在其2nm芯片試產(chǎn)線上采用SMC的水...

2024-09-26 標(biāo)簽：臺(tái)積電華為 SK海力士 1.9k 0

美光12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動(dòng)交付

美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動(dòng)交付，標(biāo)志著AI計(jì)算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴...

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SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

9月4日，半導(dǎo)體行業(yè)傳來(lái)重要?jiǎng)討B(tài)，SK海力士社長(zhǎng)金柱善（Kim Ju Seon）在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講，分享了公司在高帶寬內(nèi)存（...

2024-09-05 標(biāo)簽：內(nèi)存 SK海力士 HBM 1.8k 0

TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨

9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi（即24...

2024-09-04 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存 HBM3E 2k 0

三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動(dòng)

進(jìn)入八月，市場(chǎng)傳言四起，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子（簡(jiǎn)稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而，三星迅速澄清...

2024-08-23 標(biāo)簽：內(nèi)存 SK海力士三星 1.8k 0

三星否認(rèn)HBM3E芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。

2024-08-08 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星 HBM3E 1.3k 0

今日看點(diǎn)丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7；三星：HBM3e先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)

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2024-08-01 標(biāo)簽：蘋果三星 wifi7 1.4k 0

HBM3E量產(chǎn)后，第六代HBM4要來(lái)了！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）眼下各家存儲(chǔ)芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展，原本SK...

2024-07-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)HBM HBM3E 7.2k 0

三星電子否認(rèn)HBM3e芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

韓國(guó)新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過(guò)英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而...

2024-07-05 標(biāo)簽：三星電子英偉達(dá)HBM3E 1.6k 0

英偉達(dá)巨資預(yù)訂HBM3E，力拼上半年算力市場(chǎng)

在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，英偉達(dá)以其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)影響力，始終保持著領(lǐng)先地位。最近，這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨(dú)特的戰(zhàn)略眼光和強(qiáng)大的資金...

2024-06-22 標(biāo)簽：美光 SK海力士 AI芯片 1.5k 0

美光HBM3E解決方案，高帶寬內(nèi)存助力AI未來(lái)發(fā)展

美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能，功耗...

2024-05-28 標(biāo)簽：DRAM GPT 大模型 1.9k 0

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