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MP1918數據手冊#100V、高頻、半橋 GaN/MOSFET 驅動器

MP1918 是一款 100V 半橋驅動器，用于在半橋或同步應用中驅動具有低柵極閾值電壓的增強型氮化鎵 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。...

2025-03-01 標簽：GaN MOSFET驅動 1.9k 0

全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開發者論壇向你發出邀請

英飛凌全球寬禁帶開發者論壇連續多年舉辦，匯集了來自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領域的專家，更有一個來自中國客戶的特邀報告。2025年3月11日北京時間下午...

2025-02-27 標簽：英飛凌氮化鎵 GaN 795 0

羅姆EcoGaN產品GaN HEMT被村田AI服務器電源采用

全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產品GaN HEMT，被先進的日本電子元器...

2025-02-26 標簽：GaN HEMT 羅姆 1.2k 0

納微半導體APEC 2025亮點搶先看

近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣...

2025-02-25 標簽：SiC APEC GaN 2k 0

TI DRV7308具有保護和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)技術文檔

DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN)，用于驅動高達 450V 直流電源軌的三相 ...

2025-02-20 標簽：電流檢測電源模塊 GaN 1.2k 0

Nexperia推出全新CCPAK GaN FET產品組合

Nexperia（安世半導體）融合其近20年來在高質量、高穩健性SMD封裝方面的豐富生產經驗，推出全新CCPAK GaN FET產品組合。基于此久經考驗...

2025-02-19 標簽：封裝 GaN Nexperia 1.3k 0

香港科技大學陳敬課題組揭示GaN與SiC材料的最新研究進展

香港科技大學電子與計算機工程系陳敬教授課題組，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electron Devices Mee...

2025-02-19 標簽：SiC GaN 1.6k 0

ROHM攜手ATX量產650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070T...

2025-02-18 標簽：半導體封裝 GaN 1.4k 0

AMEYA360代理：羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2070TD-...

2025-02-17 標簽：封裝 GaN 804 0

聞泰科技榮獲GaN年度優秀產品獎

近日，在深圳舉辦的行家說第三代半導體年會——碳化硅&氮化鎵產業高峰論壇上，聞泰科技半導體業務憑借其卓越的創新產品“針對工業和可再生能源應用的CCPAK封...

2025-02-17 標簽：GaN 可再生能源聞泰科技 859 0

藍紫光VCSEL中的反射鏡應用探索

在氮化鎵發光二極體的發展過程中已受到許多的阻礙，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化鎵鎂的低活化率、電子電洞移動率差異大、與?quantum-confi...

2025-02-14 標簽：VCSEL GaN 反射鏡 1.2k 0

探討 GaN FET 在人形機器人中的應用優勢

德州儀器的 Eason Tian 和 Kyle Wolf 撰寫，主要探討了 GaN FET（氮化鎵場效應晶體管）在人形機器人中的應用優勢，旨在說明其如何...

2025-02-14 標簽：GaN 人形機器人 1.7k 0

650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

~同時加快車載GaN器件的開發速度，以盡快投入量產~ ? 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的...

2025-02-13 標簽：封裝 GaN HEMT 929 0

GaN技術:顛覆傳統硅基,引領科技新紀元

在開關模式電源中使用 GaN 開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰，并...

2025-02-11 標簽：GaN 硅基 1.5k 0

意法半導體推出250W MasterGaN參考設計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝（SiP...

2025-02-06 標簽：意法半導體 GaN 諧振轉換器 1.3k 0

本土Tier1推出GaN OBC：單級拓撲、6.1kW/L功率密度、98%峰值效率

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近期GaN在OBC上的應用方案開始陸續推出市場，在一月初，陽光電動力推出了一款全新的二合一OBC方案，采用GaN器件以...

2025-02-05 標簽：GaN OBC Tier1 1.2萬 0

豐田合成開發出8英寸GaN單晶晶圓

近日，日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術突破：成功開發出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。

2025-01-23 標簽：晶圓晶體管 GaN 1.5k 0

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

2025-01-23 標簽：MOSFET SiC 氮化鎵 2.1k 0

解析GaN器件金剛石近結散熱技術：鍵合、生長、鈍化生長

在追求更高功率密度和更優性能的電子器件領域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不斷提升，器件內部的熱積累問題日益嚴重，成...

2025-01-16 標簽：散熱 GaN 金剛石 2.1k 0

京東方華燦與晶通半導體簽署合作備忘錄

隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲能等新興市場的蓬勃發展，高性能功率器件的需求呈現出前所未有的增長態勢。在這一背景下，2025年1月8日于珠海金灣工...

2025-01-14 標簽：半導體功率器件 GaN 1.2k 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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　　智能工業：是將具有環境感知能力的各類終端、基于泛在技術的計算模式、移動通信等不斷融入到工業生產的各個環節，大幅提高制造效率，改善產品質量，降低產品成本和資源消耗，將傳統工業提升到智能化的新階段。
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藍牙5.0是由藍牙技術聯盟在2016年提出的藍牙技術標準，藍牙5.0針對低功耗設備速度有相應提升和優化，藍牙5.0結合wifi對室內位置進行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區，是一家先進、專業的無晶圓半導體公司，致力于研發設計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統級芯片，提供移動通訊和物聯網解決方案。
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