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????????意法半導體推出一系列GaN反激式轉換器，幫助開發者輕松研發和生產體積緊湊的高能效USB-PD充電器、快充和輔助電源。新系列轉換器在低負載...
自我正式擔任納微半導體（Navitas Semiconductor）首席執行官至今，已有 60 天時間。今天，我們迎來了關鍵時刻：納微正加速轉型，成為一...
Power Integrations高壓PowiGaN技術助力新興800VDC數據中心總線架構發展
Power Integrations正利用其高壓PowiGaN技術，助力新興800VDC數據中心總線架構的發展。作為已實現量產1250V和1700V高壓...
在電氣化、可再生能源和人工智能數據中心的推動下，電力電子領域正經歷一場變革。安森美(onsemi)憑借創新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術引領這一浪潮，...
近日，在廈門舉辦的國際半導體照明聯盟（ISA）2025年度大會上，晶能憑借“大尺寸硅襯底GaN Micro LED外延”技術，成功入選“全球半導體照明創...
11月12日，2025年中國家用電器技術大會上，必易微系統應用總監Peng受邀發表專題演講《必易微家電整體解決方案及第三代半導體器件在家電領域的應用與展...
一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優劣勢對比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統半導...
11月8日，中國電源學會第28屆學術年會暨展覽會，在寶安國際會展中心盛大啟幕，來自海內外電力電子、電源行業專家、學者、知名企業、科研機構、高校等5000...
2025年11月7日，由充電頭網主辦的“2025金充獎頒獎典禮”在深圳成功舉辦。晶豐明源作為國內領先的電源管理芯片企業，憑借公司創新的“直驅GaN高頻磁...
雙向創“芯” — 云鎵半導體國內首發高壓 GaN 雙向器件 （GaN BDS）
云鎵半導體雙向創“芯”—云鎵半導體國內首發高壓GaN雙向器件MBDS1.前言長期以來，器件工程師都在追求一種可雙向導通且雙向耐壓的開關元件，該類器件在A...
云鎵半導體云鎵半導體發布3kW無橋圖騰柱GaNPFC評估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術文檔將重點...
為促進車規半導體芯片產業鏈技術升級和行業發展，10月31日，“2025’半導體技術賦能車規芯片創新交流會——廣州小鵬汽車科技有限公司”專場在廣州隆重舉行...
云鎵半導體樂高化組裝，一鍵式測試|云鎵GaN自動化雙脈沖測試平臺作為一種新型開關器件，GaN功率器件擁有開關速度快、開關損耗低等優點。當前不同GaN工藝...
世界第一！云鎵發布650V/150A增強型GaN芯片，向汽車電子進發
云鎵半導體世界第一！云鎵發布650V/150A增強型GaN芯片，向汽車電子進發1.GaN—引領新能源汽車領域的未來隨著GaN器件在數據中心及光伏逆變等領...
“芯”品發布 | 高可靠GaN專用驅動器，便捷GaN電源設計
芯品發布高可靠GaN專用驅動器，便捷GaN電源設計GaN功率器件因為其高工作頻率和高轉化效率的優勢，逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強型GaN功率器件的...
電子發燒友網綜合報道 近日，安森美發布器垂直GaN功率半導體技術，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構與多項性能突破，為全球高功率應用領域帶來革命性解決...
英飛凌推出首款100V車規級晶體管，推動汽車領域氮化鎵（GaN）技術創新
【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會（AE...
2025年11月8-9日，第四屆中國電力電子與能量轉換大會暨展覽會、中國電源學會第二十八屆學術年會將在深圳國際會展中心召開，各領域的新技術、新成果、新產...
10月30日，2025自發光顯示產業研討會在深圳隆重舉行。來自顯示產業鏈的多位專家以及TrendForce分析師在會上發表專題演講，深入剖析自發光顯示的...
新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現高頻工況下的效率提升，并滿足最高質量標準，...
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