來(lái)源：晶能光電

10月30日，2025自發(fā)光顯示產(chǎn)業(yè)研討會(huì)在深圳隆重舉行。來(lái)自顯示產(chǎn)業(yè)鏈的多位專(zhuān)家以及TrendForce分析師在會(huì)上發(fā)表專(zhuān)題演講，深入剖析自發(fā)光顯示的發(fā)展前景與未來(lái)機(jī)遇。

晶能光電外延工藝專(zhuān)家郭嘯攜《硅襯底GaN技術(shù)助力Micro-LED微顯產(chǎn)業(yè)落地》應(yīng)邀出席了活動(dòng)。

他在分享中指出Micro-LED微顯示可用于AR/MR/VR、HUD及微投影，其中AR最具成長(zhǎng)空間，而光學(xué)模組成本占比高達(dá)43%，Micro-LED+光波導(dǎo)被視為輕量化AR的理想光引擎。目前，Micro-LED微顯示的全彩技術(shù)、鍵合、襯底等均有不同的技術(shù)路線。

其中，在Micro-LED產(chǎn)業(yè)逐漸朝向更大尺寸襯底發(fā)展的背景，硅襯底（GaN-on-Si）技術(shù)被視為最佳產(chǎn)業(yè)化方案，而大尺寸硅襯底GaN也是Micro-LED微顯的主流路線。相較于4–6英寸的藍(lán)寶石襯底，硅襯底更易擴(kuò)展至8英寸并向12英寸演進(jìn)，同時(shí)具備襯底成本低、波長(zhǎng)一致性高、可兼容CMOS工藝以及便于無(wú)損剝離等優(yōu)勢(shì)，可以充分借助集成電路的工藝和設(shè)備，實(shí)現(xiàn)高良率、低成本、高效率的Micro-LED微顯模組制造。

晶能光電深耕硅襯底GaN基LED產(chǎn)業(yè)化技術(shù)近20年，率先突破12英寸硅襯底GaN基RGB三基色Micro-LED外延，可與最先進(jìn)的硅CMOS制程兼容。產(chǎn)品方面，晶能光電已開(kāi)發(fā)覆蓋365–650nm的全色系8英寸外延片，其中，硅襯底藍(lán)光LED的EQE峰值接近80%，綠光約為50%，公司也在持續(xù)推進(jìn)InGaN紅光外延技術(shù)及硅襯底高PPI Micro-LED陣列技術(shù)的研發(fā)工作。

晶能光電認(rèn)為，隨著硅襯底GaN基Micro-LED技術(shù)向8英寸和12英寸演進(jìn)，以及基于硅襯底Micro-LED的各種全彩技術(shù)（量子點(diǎn)光刻，三色堆疊，三色合光）的發(fā)展, 硅襯底Micro-LED一定會(huì)迎來(lái)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)機(jī)遇。