來源:晶能光電
近日,在廈門舉辦的國際半導體照明聯盟(ISA)2025年度大會上,晶能憑借“大尺寸硅襯底GaN Micro LED外延”技術,成功入選“全球半導體照明創新100佳”。這不僅是對晶能技術實力的高度認可,更彰顯了中國企業在全球微顯示領域的創新引領能力。

該獎項由國際半導體照明聯盟(ISA)組織設立,評審團由全球半導體照明領域的權威專家組成,旨在推動產業可持續發展,鼓勵技術創新與應用突破。晶能此次獲獎,標志著其在大尺寸硅襯底GaN 基Micro LED技術方面的突破已獲得國際權威機構的充分肯定。
大尺寸硅襯底GaN Micro LED技術被業界視為實現Micro LED微顯示產業化的最佳路線之一。它具備襯底成本低、波長一致性高、可兼容CMOS工藝以及便于無損剝離等優勢,可以有效借助集成電路的工藝和設備,實現高良率、高效率、低成本的Micro LED微顯模組制造。目前晶能已實現大尺寸硅襯底GaN Micro LED外延片的批量供貨,為全球眾多企業和科研院所提供關鍵技術支撐,有力推動Micro LED產業化進程。

值得一提的是,晶能已多次在“全球半導體照明創新100佳”評選中脫穎而出,此前曾憑借“硅襯底薄膜結構高能量密度圓形發光芯片”、“硅基垂直結構Mini LED藍綠芯片”等技術斬獲殊榮。連續獲獎不僅體現了晶能在技術研發與產品迭代上的持續投入,也展現出其在半導體照明領域的深厚積累與創新能力。
此次再獲國際認可,既是一份榮譽,更是一份責任。晶能將堅持創新驅動發展戰略,持續聚焦核心技術突破,致力于為全球客戶提供更優質的產品與解決方案,助力半導體照明產業邁向高質量、可持續發展新階段。
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原文標題:再獲國際殊榮!大尺寸硅襯底GaN Micro LED外延入選“全球半導體照明創新100佳”
文章出處:【微信號:lattice_power,微信公眾號:LED廠商消息】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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