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基于氮化鎵器件的集成化技術詳解
- SiC(68650)
- 氮化鎵(119343)
- GaN(79580)
- 寄生電感(15048)
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Smartpa應用的需求，對于立體聲雙box的需求以及對天線、中殼等高度集成化需求等等，所有這些需求對Box的設計方案提出了更高的專業要求。 一個好的Box設計必然會對智能手機帶來更好的音頻性能以及更好的可靠性，而集成化的Box設計方
2018-06-05 09:32:27
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集成化信息化信號采集處理系統有哪些
信息化信號采集處理系統的基本概念、組成、應用和發展趨勢進行詳細闡述。 基本概念 集成化信息化信號采集處理系統是一種基于計算機技術、通信技術、傳感器技術等多種技術的綜合應用系統。它通過將各種傳感器、信號處理設備
2023-12-14 11:19:171976
19762009汽車電子智能化集成化應用技術研討會暨采購配對會
和技術應用水平，以及加強汽車節能低耗建設和保障安全系數等綜合指標的完美結合，需要中外汽車整車企業，電子技術及零部件供應商和元器件開發精英的大力支持和積極應對。 蓋世繼“汽車底盤電子化、集成化應用技術
2009-08-19 11:40:42
氮化鎵: 歷史與未來
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵技術推動電源管理不斷革新
的數十億次的查詢，便可以獲得數十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵GaN技術助力電源管理革新
結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應用(如集成電機驅動)的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵一瓦已經不足一元，并且順豐包郵？聯想發動氮化鎵價格戰伊始。
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實現更高的效率？
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優勢
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵發展評估
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應用
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產品的替代技術。我們期待這項合作讓這些GaN創新在硅供應鏈內結出碩果，最終服務于要求最高的客戶和應用。”意法半導體汽車與分立器件產品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化鎵器件成本優勢
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現在已經在用8英寸晶圓生產氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設備生產碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術用途廣泛，在雷達、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
MACOM：適用于5G的半導體材料硅基氮化鎵（GaN）
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好？
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
什么是氮化鎵技術
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵功率芯片？
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片？
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵（GaN）？
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵（GaN）？
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發展
帶寬更高，這一點很重要，載波聚合技術的使用以及準備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。[color=rgb(51, 51, 51) !important]與硅或者其他器件相比，氮化鎵速度更快
2019-07-08 04:20:32
如何用集成驅動器優化氮化鎵性能
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術介紹
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
汽車底盤電子化、集成化應用技術研討會暨采購配對會
2009汽車底盤電子化、集成化應用技術研討會暨采購配對會（8月，上海）時間： 2009年8月27-28日 地點： 上海汽車會展中心(嘉定安亭鎮博園路7575號)會議背景 ： 如今汽車底盤控制技術正向
2009-07-23 09:31:04
請問candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
誰發明了氮化鎵功率芯片？
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化鎵器件
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
采用SOC方案來實現電路開發集成化
目前電路開發集成化是個趨勢，采用SOC方案來開發可以省掉不少開發難度，但也存在一些問題，比如使用過程中系統跑飛死機的情況，如果板子沒有額外的MCU，則需要由看門狗復位IC來監控系統是否跑飛死機。筆者
2022-02-11 06:23:28
高壓氮化鎵的未來分析
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
高度集成化電路趨勢---無源器件內置
本身仍是許多導線的連接體。而采用無源器件內置技術后，電路板將變得完全不同于以往。其被動器件（如：電阻、電容）將會被集成在PCB內部,而外部不會留下任何無源器件，這樣PCB的空間和尺寸會被壓縮至最小！無源
2017-09-19 11:52:04
集成化建筑設計系統
集成化建筑設計系統(Integrated Building Design System,IBDS)是當今計算機輔助建筑設計領域的一個十分活躍的課題。近年來，IBDS有較大發展，并逐漸引起學術界和工業界的重視。本文分析IBD
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4射頻集成化薄膜電感的設計和制備
射頻集成化薄膜電感的設計和制備
介紹了一種新型的基于硅IC 模擬電路工藝的射頻集成薄膜電感。描述了集成薄膜電感的工作原理。采用一個緊湊集總電路模型來等
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國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
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國際整流器公司(IR)推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的i
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集成化熱插拔IC芯片LTC4219
描述
LTC®4219 是一款面向熱插拔 (Hot SwapTM) 應用的集成化解決方案，允許在帶電背板上安全地進行電路板的插拔操作。該器件在單個封裝中集成了一個熱插拔
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ADI高度集成化的設計大大簡化控制系統設計
ADI的集成化射頻發射機、接收機和收發器提供完整性的高性能射頻和混合信號芯片操作系統。ADI高度集成化的設計大大簡化了控制系統設計，縮短了上市時間，減少了BOM成本，并提供了頂級的性能指標，尤其是
2021-11-10 10:41:341269
1269什么是氮化鎵技術
什么是氮化鎵技術 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件
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4119氮化鎵技術是什么原理
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什么是硅基氮化鎵 氮化鎵和碳化硅的區別
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
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硅基氮化鎵技術成熟嗎 硅基氮化鎵用途及優缺點
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氮化鎵半導體技術制造
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業鏈已經初步形成，相關器件快速發展。第三代半導體氮化鎵產業范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。
2023-02-07 09:36:562410
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硅基氮化鎵介紹
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硅基氮化鎵技術原理 硅基氮化鎵的優缺點
硅基氮化鎵技術原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結合在一起，形成一種新的復合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
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2277氮化鎵技術是誰突破的技術
氮化鎵技術是誰突破的技術 作為支撐“新基建”建設的關鍵核心器件，氮化鎵應用范圍非常廣泛，氮化鎵在數據中心，新能源汽車等領域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技術是誰突破的技術？ 氮化鎵技術是誰突破的技術
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5868氮化鎵為何這么強 從氮化鎵適配器原理中剖析
?這兩款適配器，看似體積以及外形都差別不大，但是從原理出發確是天壤之別。今天，我們從原理出發剖析市面上氮化鎵的功能以及參數。 右側為氮化鎵脫掉外衣的樣子，那么！氮化鎵氮化鎵！到底是哪個電子元器件添加
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合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優點。與傳統的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
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13933行業關注丨威邁斯IPO上市推動集成化發展
如何應對？據了解，新能源汽車核心零部件的集成化能夠在產品生產、整車制造以及售后、整車性能等多個方面帶來較多明顯的技術優勢，具體如下：一是核心零部件的集成化，通過復用部
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氮化鎵功率器件測試方案
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規范的測試方案至關重要。
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，氮化鎵芯片具有許多優點和優勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優缺點，以及與硅芯片的區別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導體
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11008什么是氮化鎵合封芯片科普，氮化鎵合封芯片的應用范圍和優點
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
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1796意法半導體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片
2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。
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2024-01-09 18:06:416137
6137氮化鎵技術的用處是什么
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2024-01-09 18:06:363961
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氮化鎵是一種半導體材料，由氮氣和金屬鎵反應得到。它具有優異的光電特性和熱穩定性，因此在電子器件、光電器件、化學傳感器等領域有著廣泛的應用。本文將從氮化鎵的制備方法、特性、應用等方面進行詳細介紹
2024-01-10 10:06:302384
2384氮化鎵（GaN）的最新技術進展
本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988
1988
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