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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
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隨著系統對內存容量、帶寬、性能等方面的需求提高,系統會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式,會帶來不同的...
由于閃存比傳統媒介有著更為明顯的優(yōu)勢,在過去一年里,閃存的普及率開始飆升。不過,我們總是很難判斷不同閃存產品之間的區(qū)別。在本文中,我們對四種常見閃存設計...
深入解析泛林集團Striker ICEFill電介質填充技術
沉積技術是推進存儲器件進步的關鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現,現有填充方法的局限性已開始凸顯。
20世紀70 年代到 90年代中期,動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ,DRAM) 采用的是異步接口,這樣...
目前有多種基于 3D 堆疊方法, 主要包括: 芯片與芯片的堆疊( D2D) 、芯片與圓片的堆疊( D2W ) 以及圓片與圓片的堆疊( W2W) 。
存儲器是集成電路最重要的技術之一,是集成電路核心競爭力的重要體現。然而,我國作為IC產業(yè)最大的消費國,相較于國外三星、英特爾等大型半導體公司的存儲器技術...
在FPGA上對傳統內存進行基準測試。先前的工作[20],[22],[23],[47]試圖通過使用高級語言(例如OpenCL)在FPGA上對傳統存儲器(例...
NVIDIA首席科學家Bill Dally:深度學習硬件趨勢
Bill Dally于2009年1月加入NVIDIA擔任首席科學家,此前在斯坦福大學任職12年,擔任計算機科學系主任。Dally及其斯坦福團隊開發(fā)了系統...
我們花了十多次的篇幅,說明了常用的交換式電源的原理。從可以升壓的 boost converter 開始,到降壓用的 buck converter,我們用...
隨著AI設計對內部存儲器訪問的要求越來越高,SRAM在工藝節(jié)點遷移中進一步增加功耗已成為一個的問題。
萬物智聯時代的到來,大幅提升了人工智能 (AI) 及邊緣計算 (Edge Computing)等巨量運算架構的應用需求。但是傳統存儲器均在耗電量、數據訪...
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