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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關機就會丟失數(shù)據(jù)）

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什么是存儲器的刷新

存儲器的刷新是動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）維護所存信息的一種重要機制。由于DRAM利用存儲元中的柵極電容來存儲電荷，而電容本身存在漏電流，導致電荷會逐...

2024-09-10 標簽：DRAM 存儲器 cpu 3.7k 0

SRAM和DRAM的區(qū)別在哪

RAM(Random Access Memory)中文是隨機存取存儲器。為什么要強調隨機存儲呢？因為在此之前，一些的存儲器都是順序存儲（Direct-A...

2022-10-24 標簽：DRAM 存儲器 sram 3.7k 0

DRAM靈敏放大器的工作原理

DRAM 靈敏放大器是由兩個交叉耦合的CMOS反相器組成的簡單電路，因此它是一個SRAM單元。

2024-07-30 標簽：放大器 DRAM 晶體管 3.6k 0

聊一聊IC領域中的SRAM

在IC領域，SRAM（Static Random-Access Memory）是一種靜態(tài)的隨機存取存儲器。“靜態(tài)”是相對于動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）...

2023-03-21 標簽：DRAM IC 存儲器 3.6k 0

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異

DDR內存通過在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個時鐘周期內，DDR內存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù)，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。

2024-04-27 標簽：DRAM SDRAM 存儲器 3.6k 0

DRAM產(chǎn)品低功耗設計與演化

前期我們從工作電壓，頻率，容量等產(chǎn)品規(guī)格，prefetch/burst length內部訪問方式的角度介紹了DDR3/DDR4/LPDDR4(X)的一些...

2023-06-01 標簽：DRAM DDR3 接口 3.6k 0

DRAMless并非永遠代表低預算還有這些設計須知

除了設計沒有DRAM的SSD或USB磁盤驅動器的成本外，還有其他原因。閃存控制器的設計要么具有外部DRAM（動態(tài)隨機存取內存）接口，要么就沒有具備。一...

2020-02-12 標簽：閃存 DRAM 3.6k 0

DRAM存儲器的基本單元

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的內存組件。其基本單元的設計簡潔而...

2024-09-10 標簽：DRAM 存儲器計算機 3.6k 0

利用DDR控制器讀取重排序緩沖器，將DRAM帶寬提高十倍

DDR 控制器部產(chǎn)品營銷總監(jiān) 概述 DDR DRAM內存控制器要滿足眾多市場競爭的需求。一款出色的內存控制器必須能夠增加存儲器接口的帶寬，滿足CPU、圖...

2017-11-18 標簽：dram ddr 3.6k 0

關于SRAM存儲容量及基本特點

通常我們將存儲容量表示為：字數(shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構成一個字，一共有64個字。這個概念要相當熟悉，后面理解題目很有用。

2024-01-09 標簽：放大器 DRAM 存儲器 3.5k 0

DRAM內存分為哪幾種 dram存儲器的存儲原理是什么

DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容...

2023-08-21 標簽：電容器 DRAM 存儲器 3.5k 0

知存科技助力AI應用落地：WTMDK2101-ZT1評估板實地評測與性能揭秘

隨著當今數(shù)據(jù)迅速增長，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構內存墻正在成為計算性能進一步提升的阻礙。新一代的存內計算（IMC）和近存計算（NMC）架構有望突破這一瓶頸，顯著...

2024-05-16 標簽：DRAM AI 憶阻器 3.5k 0

我們常用存儲器知道有哪些嘛

存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。

2023-03-30 標簽：DRAM 存儲器 sram 3.4k 0

DRAM公司告訴英特爾他們在承諾Rambus之前需要有約束力的訂單

SAN JOSE - 參加英特爾公司匆忙召集的Direct Rambus承諾會議的DRAM制造商告訴MPU據(jù)芯片公司官員在會議上透露，只有當PC OEM...

2019-08-13 標簽：DRAM PCB打樣華強PCB 3.4k 0

HBM：突破AI算力內存瓶頸，技術迭代引領高性能存儲新紀元

HBM制造集成前道工藝與先進封裝，TSV、EMC、鍵合工藝是關鍵。HBM制造的關鍵在于TSV DRAM，以及每層TSV DRAM之間的連接方式。

2024-03-14 標簽：DRAM 寄存器 cpu 3.3k 0

IEDM 2022上的新型存儲器簡介

在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們仍然希望存內計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。

2023-02-14 標簽：DRAM 存儲器 CMOS工藝 3.3k 0

永久記憶會解決性能問題嗎

持久性內存為DRAM和SSD之間的內存層次結構添加了一個全新的內存層。

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長江存儲晶棧Xtacking架構的原理就是在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時也實現(xiàn)了更高的...

2024-01-16 標簽：DRAM SSD NAND閃存 3.3k 0

應對存儲器芯片封裝技術挑戰(zhàn)的長電解決方案

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