dram

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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

借助虛擬工藝加速CMOS工藝優(yōu)化

我們不斷向先進(jìn)的CMOS的微縮和新存儲(chǔ)技術(shù)的轉(zhuǎn)型，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化。例如，在3D NAND內(nèi)存中，容量的擴(kuò)展通過(guò)垂直堆棧層數(shù)的增加來(lái)實(shí)現(xiàn)，...

2023-01-06 標(biāo)簽：CMOS DRAM 虛擬工藝 1.9k 0

單片機(jī)解密為什么是撬開(kāi)芯片國(guó)產(chǎn)化的第一步呢

芯片國(guó)產(chǎn)化是中國(guó)在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實(shí)踐領(lǐng)域之一，作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體集成電路持續(xù)得到國(guó)家政策的扶持。

2023-02-27 標(biāo)簽：集成電路 DRAM 存儲(chǔ)器 1.9k 0

ZNS SSD設(shè)計(jì)架構(gòu)及性能優(yōu)化

ZNS使基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)具有更高的性能和更低的每字節(jié)成本。通過(guò)將管理擦除塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織的責(zé)任從FTL轉(zhuǎn)移到主機(jī)軟件，ZNS消除了設(shè)備內(nèi)LBA到頁(yè)的映射、...

2023-06-29 標(biāo)簽：閃存 DRAM 存儲(chǔ)介質(zhì) 1.9k 0

不同的存儲(chǔ)器技術(shù)介紹如何選擇正確的存儲(chǔ)器技術(shù)

存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) ...

2023-08-17 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 DDR 1.9k 0

升級(jí)版PCIe 5.0 SSD深度評(píng)測(cè)解析

為了提升SSD的性能，HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了獨(dú)立緩存設(shè)計(jì)。本次測(cè)試的2TB產(chǎn)品配備了多達(dá)4GB獨(dú)立緩存（編號(hào)為H...

2023-09-12 標(biāo)簽：DRAM PWM 散熱器 1.9k 0

3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，3D DRAM開(kāi)發(fā)路線圖

目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行3D DRAM的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。

2024-04-17 標(biāo)簽：處理器 DRAM 三星電子 1.9k 0

內(nèi)存接口芯片技術(shù)有哪些

CXL 增加了芯片內(nèi)部的技術(shù)復(fù)雜性，這需要集成電路（IC）和復(fù)雜的片上系統(tǒng)（SoC）專業(yè)知識(shí)來(lái)設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和執(zhí)行復(fù)雜的 SoC。在 CXL 存儲(chǔ)器解決方案...

2023-08-24 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存接口芯片 1.9k 0

以更低的系統(tǒng)成本實(shí)現(xiàn)更高的移動(dòng)存儲(chǔ)性能

以更低的成本獲得更高的存儲(chǔ)性能可能會(huì)在存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì)中造成瓶頸。為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，設(shè)備必須使用片上DRAM，這增加了總體成本。這就是統(tǒng)一內(nèi)存擴(kuò)展（UM...

2023-05-26 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 1.9k 0

動(dòng)態(tài)時(shí)鐘停止重啟太快，可通過(guò)編程LPDDR2控制器解決

在沒(méi)有內(nèi)存事務(wù)處理執(zhí)行以及如果接收到內(nèi)存請(qǐng)求重啟時(shí)鐘時(shí)，用戶可通過(guò)編程 LPDDR2 控制器來(lái)停止 DRAM 時(shí)鐘。

2018-06-23 標(biāo)簽：dram soc 1.8k 0

半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 晶圓 1.8k 0

存儲(chǔ)器工藝概覽:常見(jiàn)類型介紹

? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本...

2025-02-14 標(biāo)簽：CMOS DRAM 存儲(chǔ)器 1.8k 0

先進(jìn)ic封裝常用術(shù)語(yǔ)有哪些

TSV是2.5D和3D集成電路封裝技術(shù)中的關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)技術(shù)。半導(dǎo)體行業(yè)一直在使用HBM技術(shù)將DRAM封裝在3DIC中。

2023-11-27 標(biāo)簽：集成電路 CMOS DRAM 1.8k 0

談?wù)凬RAM的“用武之地”

NRAM是一個(gè)近些年出現(xiàn)的新東西，它具備眾多優(yōu)點(diǎn)：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM芯片的可擴(kuò)展性和對(duì)閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。

2024-01-09 標(biāo)簽：DRAM 閃存芯片人工智能 1.8k 0

金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；

2023-04-28 標(biāo)簽：DRAM 晶圓晶體管 1.8k 0

面向圖形、網(wǎng)絡(luò)和HPC的下一代內(nèi)存技術(shù)

在過(guò)去的十年中，GDDR5已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，并在所有面向圖形的技術(shù)中占據(jù)重要地位。GDDR5 專注于使用更多功率來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的時(shí)鐘速度。GDDR5 芯片以單...

2023-05-26 標(biāo)簽：芯片 DRAM 接口 1.8k 0

DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization

隨著系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì)帶來(lái)不同的...

2017-03-28 標(biāo)簽：DRAM 1.8k 0

對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的...

2022-08-01 標(biāo)簽：DRAM 3D 晶體管 1.7k 0

借助虛擬工藝加速工藝優(yōu)化

二維（2D）設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）已不足以用來(lái)規(guī)范設(shè)計(jì)以達(dá)成特定性能和良率目標(biāo)的要求。同時(shí)完全依賴實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) （DOE）來(lái)進(jìn)行工藝表征和優(yōu)化也變...

2020-07-03 標(biāo)簽：電容器 DRAM 3d 1.7k 0

AMD可以把內(nèi)存堆在CPU上嗎？

先進(jìn)制程工藝進(jìn)度緩慢的情況下，多芯片整合封裝成了半導(dǎo)體行業(yè)的大趨勢(shì)，各家不斷玩出新花樣。

2023-02-23 標(biāo)簽：amd 半導(dǎo)體 DRAM 1.7k 0

全新沉積技術(shù)SPARC實(shí)現(xiàn)先進(jìn)邏輯和DRAM集成設(shè)計(jì)

使用 SPARC 或單個(gè)前驅(qū)體活化自由基腔室技術(shù)制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅(jiān)固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...

2022-09-29 標(biāo)簽：DRAM SPARC 碳化硅 1.7k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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