20世紀70 年代到 90年代中期，動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM)采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應控制輸入信號的變化從而直接影響內部功能，這種產品也被稱作異步 DRAM 。 DRAM的存儲單元的長寬比接近 1：1，為陣列（Array）形狀，存儲器的地址線則被分為行（Row）（地）址線和列（Column）（地）址線。行址線用來選擇（等待）執行讀操作或寫操作的行；列址線用來從被選中的相應行中選出;一個用于真正執行讀操作或寫操作的存儲單元。

同步 DRAM ( Synchronous DRAM. SDRAM)的概念至少從20世紀 70年代就已經被人們所熟悉，在早期 Intel 的處理器上已被采用，但從 1993 年才開始被電子產業廣泛接受。1993 年，三星展示了其型號為 KM48SL2000 的新產品SDRAM。但是直到 2000 年，SDRAM 才實際上取代了其他類型 DRAM 在計算機中的地位。

SDRAM 與異步 DRAM 相比具有以下特點：可以并行多管線操作；數據傳輸速率可以隨 MCU 的速度不斷提高；可減少因輸入信號的失真而數據出錯的概率；低功耗與高帶寬；所有指令信號都和系統時鐘同步，因而更為快速和易于管理；結構設計更為復雜。SDRAM 在結構上由許多板塊（Bank，簡稱塊）組成。每一個板塊由行址線和列址線以及行址緩沖器組成，每一個板塊都可以認為是一個獨立的存儲器，只是各個板塊之間共用輸入/輸出接口(I/O)。SDRAM 地址線要分兩次送出：先送行地址線，再送列地址線。這種方式被稱作分時復用方式。由于每個板塊的數據位寬與整個存儲器的位寬相同，這樣，板塊內的字線（Word-Line）和位線（Bit-Line）的長度就可被限制在合適的范圍內，從而加快存儲器單元的訪問速度。SDRAM 的容量是由地址數 (Number ofAddresses)、位寬（ Number of Bits）和存儲塊數（Number of Banks）決定的：SDRAM 容量=地址數x位寬x存儲塊數。

DRAM 的結構比 SRAM 簡單，它只需一個晶體管和一個電容(1T1C）就可組成一個存儲器單元 （RAM Cell)，所以可以達到很高的密度和容量。DRAM 為易失型存儲器 （Volatile Memory），廣泛用作主機內存，因此，它的發展是和CPU 中央處理器的發展緊密相關的。隨著高性能計算(High PerformanceComputing, HPC）和3D 圖形處理對內存要求的提高，老一代 DRAM 架構不再適用。簡單來說，如果以讀取方式來區分，有同步 DRAM (SDRAM)和異步DRAM。 如果以數據讀取速率來區分，有單倍數據速率( Single Data Rate,SDR）、雙倍數據速率 （Double Data Rate， DDR）和四倍數據速率 (Quad DataRate, QDR)的 SDRAM。如果單看應用，還有專為圖像處理器服務的 GDDR。根據電平大小，又分為普通 DDR 和低功耗 LPDDR。當 DRAM 和其他功能模塊(例如 CPU 等）集成在同一塊芯片上時，這種產品被稱作嵌入式(Embedded)DRAM，簡稱為 eDRAM。

審核編輯：湯梓紅