20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM)采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響內(nèi)部功能，這種產(chǎn)品也被稱作異步 DRAM 。 DRAM的存儲(chǔ)單元的長(zhǎng)寬比接近 1：1，為陣列（Array）形狀，存儲(chǔ)器的地址線則被分為行（Row）（地）址線和列（Column）（地）址線。行址線用來(lái)選擇（等待）執(zhí)行讀操作或?qū)懖僮鞯男校涣兄肪€用來(lái)從被選中的相應(yīng)行中選出;一個(gè)用于真正執(zhí)行讀操作或?qū)懖僮鞯拇鎯?chǔ)單元。

同步 DRAM ( Synchronous DRAM. SDRAM)的概念至少?gòu)?0世紀(jì) 70年代就已經(jīng)被人們所熟悉，在早期 Intel 的處理器上已被采用，但從 1993 年才開(kāi)始被電子產(chǎn)業(yè)廣泛接受。1993 年，三星展示了其型號(hào)為 KM48SL2000 的新產(chǎn)品SDRAM。但是直到 2000 年，SDRAM 才實(shí)際上取代了其他類型 DRAM 在計(jì)算機(jī)中的地位。

SDRAM 與異步 DRAM 相比具有以下特點(diǎn)：可以并行多管線操作；數(shù)據(jù)傳輸速率可以隨 MCU 的速度不斷提高；可減少因輸入信號(hào)的失真而數(shù)據(jù)出錯(cuò)的概率；低功耗與高帶寬；所有指令信號(hào)都和系統(tǒng)時(shí)鐘同步，因而更為快速和易于管理；結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)更為復(fù)雜。SDRAM 在結(jié)構(gòu)上由許多板塊（Bank，簡(jiǎn)稱塊）組成。每一個(gè)板塊由行址線和列址線以及行址緩沖器組成，每一個(gè)板塊都可以認(rèn)為是一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器，只是各個(gè)板塊之間共用輸入/輸出接口(I/O)。SDRAM 地址線要分兩次送出：先送行地址線，再送列地址線。這種方式被稱作分時(shí)復(fù)用方式。由于每個(gè)板塊的數(shù)據(jù)位寬與整個(gè)存儲(chǔ)器的位寬相同，這樣，板塊內(nèi)的字線（Word-Line）和位線（Bit-Line）的長(zhǎng)度就可被限制在合適的范圍內(nèi)，從而加快存儲(chǔ)器單元的訪問(wèn)速度。SDRAM 的容量是由地址數(shù) (Number ofAddresses)、位寬（ Number of Bits）和存儲(chǔ)塊數(shù)（Number of Banks）決定的：SDRAM 容量=地址數(shù)x位寬x存儲(chǔ)塊數(shù)。

DRAM 的結(jié)構(gòu)比 SRAM 簡(jiǎn)單，它只需一個(gè)晶體管和一個(gè)電容(1T1C）就可組成一個(gè)存儲(chǔ)器單元 （RAM Cell)，所以可以達(dá)到很高的密度和容量。DRAM 為易失型存儲(chǔ)器 （Volatile Memory），廣泛用作主機(jī)內(nèi)存，因此，它的發(fā)展是和CPU 中央處理器的發(fā)展緊密相關(guān)的。隨著高性能計(jì)算(High PerformanceComputing, HPC）和3D 圖形處理對(duì)內(nèi)存要求的提高，老一代 DRAM 架構(gòu)不再適用。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，如果以讀取方式來(lái)區(qū)分，有同步 DRAM (SDRAM)和異步DRAM。 如果以數(shù)據(jù)讀取速率來(lái)區(qū)分，有單倍數(shù)據(jù)速率( Single Data Rate,SDR）、雙倍數(shù)據(jù)速率 （Double Data Rate， DDR）和四倍數(shù)據(jù)速率 (Quad DataRate, QDR)的 SDRAM。如果單看應(yīng)用，還有專為圖像處理器服務(wù)的 GDDR。根據(jù)電平大小，又分為普通 DDR 和低功耗 LPDDR。當(dāng) DRAM 和其他功能模塊(例如 CPU 等）集成在同一塊芯片上時(shí)，這種產(chǎn)品被稱作嵌入式(Embedded)DRAM，簡(jiǎn)稱為 eDRAM。

審核編輯：湯梓紅