一、試驗(yàn)的目的和意義 1、 電介質(zhì)又稱絕緣介質(zhì)，也就是絕緣材料。絕緣材料在電場(chǎng)的作用下，總會(huì)流過(guò)一定的電流，以發(fā)熱的形式產(chǎn)生能量損耗。在電壓的作用下，電介質(zhì)中產(chǎn)生的損耗稱為介質(zhì)損耗。如果介質(zhì)損耗很多
2023-09-24 15:14:40
3946 
近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲(chǔ)密度，以滿足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用的需求。
2019-08-19 16:27:401476 泛林集團(tuán) （Nasdaq:LRCX） 宣布推出一款全新的工藝方案——先進(jìn)的Striker? FE平臺(tái)——用于制造高深寬比的芯片架構(gòu)。S
2020-09-23 11:50:101012 這一使用突破性技術(shù)的合作將為全球芯片制造商提供強(qiáng)大的化學(xué)品供應(yīng)鏈，并支持下一代 EUV 應(yīng)用的研發(fā) 北京時(shí)間2022年7月15日——泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX)、Entegris
2022-07-19 10:47:091117 
`1.介質(zhì)損耗因數(shù)的定義 絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下,電介質(zhì)中的部分電能將轉(zhuǎn)變成熱能,這部分能量稱為電介質(zhì)損耗,介質(zhì)損耗因數(shù)一般用正切值tanδ表示。電介質(zhì)損耗由電導(dǎo)損耗、游離損耗和極化損耗三部
2020-09-21 21:55:48
定義變量假設(shè)介質(zhì)的相對(duì)電介質(zhì)常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率分別為：Epslr = 4 - 0.3 iMiur = 1.2 - 0.6i則有：材料 1 復(fù)數(shù)介電常數(shù)-實(shí)部：epsr1_r = 4材料 1 復(fù)數(shù)
2019-05-21 06:06:05
林頻股份曾為中鋼集團(tuán)各下屬研究所提供鹽霧試驗(yàn)箱、高低溫箱、恒溫恒濕箱、烘箱、振動(dòng)臺(tái)、步入室實(shí)驗(yàn)室、氙燈老化箱等系列環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備。近日，再次攜手中鋼集團(tuán)安徽天源股份有限公司，定購(gòu)一臺(tái)換氣式老化試驗(yàn)
2011-04-07 14:27:46
隨著信息通信技術(shù)日新月異地發(fā)展，信息社會(huì)一步步走向現(xiàn)實(shí)，一種強(qiáng)調(diào)“無(wú)所不在”或“ 泛在”通信理念的特征正日漸清晰， “泛在”將是信息社會(huì)重要的特征，泛在網(wǎng)將成為信息社會(huì)的重要載體并已經(jīng)成為信息通信業(yè)
2019-10-10 09:12:14
深入解析傳感器網(wǎng)絡(luò)中實(shí)時(shí)通信的研究
2021-05-26 06:00:09
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
電介質(zhì)。電介質(zhì)在電子工業(yè)中用來(lái)做集成電路的基板、電容器等。如果將一塊電介質(zhì)放入一平行電場(chǎng)中，則可發(fā)現(xiàn)在介質(zhì)表面感應(yīng)出了電荷，即正極板附近的電介質(zhì)感應(yīng)出了負(fù)電荷，負(fù)極板附近的介質(zhì)表面感應(yīng)出正電荷。這種
2025-04-21 10:49:27
嗨，我正在嘗試使用兩種材料定義基板，如附圖所示，用于ADS EM仿真。據(jù)我所知，我需要為此定義電介質(zhì)通路，但我想知道是否有人可以建議如何完成。非常感謝，Mojtaba編輯：Mojtaba77于
2018-12-24 16:46:36
泛在網(wǎng)絡(luò)基本概念泛在網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)泛在網(wǎng)感知延伸層的關(guān)鍵技術(shù)IPv6技術(shù)在泛在網(wǎng)感知延伸層的應(yīng)用
2021-06-08 09:03:08
異向介質(zhì)填充非輻射介質(zhì)波導(dǎo)和犎波導(dǎo)中的高次模及漏波抑制:通過(guò)對(duì)加載異向非輻射介質(zhì)波導(dǎo)（ＮＲＤ）和Ｈ 波導(dǎo)的全波分析，研究了此新型導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的傳輸特性。由于開(kāi)口諧振環(huán)
2009-10-26 16:49:15
14 品詳情：Agilent 16451B精確測(cè)量與評(píng)估電介質(zhì)材料，與ASTM d150兼容。Agilent 16451B采用平行極板技術(shù)，將被測(cè)材料夾于兩電極間形成電容
2024-06-19 17:29:46
Agilent16451B 電介質(zhì)材料測(cè)試夾、、商品詳情：Agilent 16451B精確測(cè)量與評(píng)估電介質(zhì)材料，與ASTM d150兼容。Agilent 16451B采用平行極板技術(shù)，將被測(cè)材料夾于
2024-11-18 17:34:34
泛亞電池技術(shù)解析
2009-10-30 10:24:45730 高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡(jiǎn)稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點(diǎn)得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。后柵極又稱為可替換柵極(以下簡(jiǎn)稱
2012-05-04 17:11:518073 
比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041526 的EMC要點(diǎn)出發(fā)，深入地闡述電介質(zhì)的特點(diǎn)及應(yīng)用。 電磁兼容所要研究的內(nèi)容涉及廣泛，它從EMC三要素出發(fā)，以國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織研究并出具標(biāo)準(zhǔn)及方法，以第三方實(shí)驗(yàn)室模擬測(cè)試為評(píng)估，以實(shí)際應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)與最終裁判。
2018-05-18 02:19:004392 
本文將介紹MDTV用變頻芯片電介質(zhì)天線的電感器選定示例。變頻芯片電介質(zhì)天線改變天線的諧振頻率，涵蓋了超過(guò)相對(duì)帶寬50%的470-800MHz頻段。采用變?nèi)荻O管來(lái)改變頻率，按頻道切換頻率。由于本天線實(shí)現(xiàn)了小型化，因此可以采用LQW系列，內(nèi)置于手機(jī)終端內(nèi)。
2018-01-13 09:34:0811661 耐高溫聚合物電介質(zhì)材料以其優(yōu)良的耐高溫穩(wěn)定性、優(yōu)異的介電性能以及良好的耐環(huán)境穩(wěn)定性等在電工絕緣領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。系統(tǒng)綜述了國(guó)內(nèi)外近年來(lái)在耐高溫聚合物電介質(zhì)材料基礎(chǔ)與應(yīng)用領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。從
2018-01-15 11:31:350 介電常數(shù)是電介質(zhì)物理里面常見(jiàn)的一物理概念，但是物理意義不是十分清楚，是些書(shū)本上說(shuō)，介電常數(shù)表征的是電介質(zhì)的束縛電荷的能力，也可表征材料的絕緣性能，介電常數(shù)越大，束縛電荷的能力越強(qiáng)，材料的絕緣性能越好，既然介電常數(shù)越大。
2018-03-07 16:16:33318475 
分享到 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商 泛林 集團(tuán)今天攜旗下前沿半導(dǎo)體制造工藝與技術(shù)出席于上海舉辦的年度半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì) SEMICON China。泛林集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官
2018-03-18 11:34:004068 ，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí)，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測(cè)量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路（Cn）和一被試回路（Cx）。
2018-03-20 10:24:042820 本文主要介紹了介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作原理。介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)量方式及原理、介質(zhì)損耗計(jì)算公式。在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上
2018-03-20 11:08:2922118 泛林集團(tuán)宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 （ALD） 工藝，標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS? 產(chǎn)品系列又添新成員。通過(guò)業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的低氟鎢（LFW） ALD 工藝，ALTUS Max
2018-05-24 17:19:003486 高儲(chǔ)能密度和高可靠性電介質(zhì)儲(chǔ)能材料在各種電力、電子系統(tǒng)中扮演著越來(lái)越重要的角色，特別是在高能脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域有著不可替代的應(yīng)用。
2018-07-16 11:02:044826 集團(tuán)對(duì)其前沿科技、解決方案，以及公司的發(fā)展歷程和企業(yè)文化進(jìn)行了全面展示，并與集成電路產(chǎn)業(yè)的同仁們進(jìn)行了深入切磋與交流。 泛林集團(tuán)亮相首屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì) 泛林集團(tuán)全球客戶運(yùn)營(yíng)高級(jí)副總裁 Scott Meikle 先生表示：對(duì)于泛林集團(tuán)來(lái)說(shuō)，中國(guó)是我
2018-11-15 09:05:002287 上海——3月20-22日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)攜旗下前沿半導(dǎo)體制造工藝與技術(shù)亮相SEMICON China 2019，并分享其對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的深刻見(jiàn)解與洞察。作為中國(guó)半導(dǎo)體
2019-03-21 16:57:464754 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布其自維護(hù)設(shè)備創(chuàng)下半導(dǎo)體行業(yè)工藝流程生產(chǎn)率的新標(biāo)桿。通過(guò)與領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商合作，泛林集團(tuán)成功實(shí)現(xiàn)了刻蝕工藝平臺(tái)全年無(wú)間斷運(yùn)行。
2019-05-15 17:49:271505 固體介質(zhì)廣泛用作電氣設(shè)備的內(nèi)絕緣，常見(jiàn)的有絕緣紙、紙板、云母、塑料等。高壓導(dǎo)體總是需要用固體絕緣材料來(lái)支持或懸掛，這種固體絕緣稱為絕緣子，而用于制造絕緣子的固體介質(zhì)有電瓷、玻璃、硅橡膠等。
2019-11-30 16:31:3015678 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布其半導(dǎo)體制造系統(tǒng)產(chǎn)品組合推出全新功能，以進(jìn)一步改善晶圓邊緣的產(chǎn)品良率，從而提高客戶的生產(chǎn)效率。
2019-12-09 15:39:361027 近日，泛林集團(tuán)發(fā)布了一項(xiàng)革新性的等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案，旨在為芯片制造商提供先進(jìn)的功能和可擴(kuò)展性，以滿足未來(lái)的創(chuàng)新需求。泛林集團(tuán)開(kāi)創(chuàng)性的Sense.i 平臺(tái)基于小巧且高精度的架構(gòu)，能提供
2020-03-10 08:44:552819 近日，泛林集團(tuán)發(fā)布了革新性的等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案Sense.i? 平臺(tái)，旨在為芯片制造商提供先進(jìn)的功能和可擴(kuò)展性，以滿足未來(lái)的創(chuàng)新需求。
2020-03-12 14:07:523417 電介質(zhì)物理學(xué)的相關(guān)知識(shí)，這是做電介質(zhì)材料的基礎(chǔ)，它對(duì)各章節(jié)的內(nèi)容根據(jù)教學(xué)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了精選，物理圖象和基本概念解釋的清晰透徹。而且內(nèi)容中涉及到了量子力學(xué)，統(tǒng)計(jì)物理學(xué)，熱力學(xué)，電動(dòng)力學(xué)，固體物理和半導(dǎo)體科學(xué)等.
2020-05-28 08:00:0071 電阻、氧化物漏電、氧化物與半導(dǎo)體間不希望有的損耗介電薄層、多晶硅耗盡層和表面粗糙度等等的影響。減少納米級(jí)MOS器件中柵極漏電的迫切需求刺激了用高k電介質(zhì)替代SiON的努力。但是，將高k電介質(zhì)引入生產(chǎn)線將再次引起C-V測(cè)量曲線積累區(qū)處的頻率離散。到目前為止，頻率離散的準(zhǔn)確來(lái)源仍有待討論。
2020-08-13 14:44:001062 
泛林集團(tuán)旗下GAMMA系列干式光刻膠剝離系統(tǒng)推出最新一代產(chǎn)品，將該系列GxT系統(tǒng)晶圓加工能力從300mm拓展至200mm。作為專供特種技術(shù)市場(chǎng)的產(chǎn)品，GAMMA GxT系統(tǒng)在相關(guān)應(yīng)用中體現(xiàn)出了極高
2020-11-26 15:48:252689 泛林集團(tuán)Sense.i刻蝕平臺(tái)具有Equipment Intelligence?（設(shè)備智能）功能，可以從數(shù)百個(gè)傳感器收集數(shù)據(jù)，監(jiān)測(cè)系統(tǒng)和工藝性能。
2021-01-28 16:45:181055 泛洪填充(Flood Fill)很多時(shí)候國(guó)內(nèi)的開(kāi)發(fā)者稱它為漫水填充，該算法在圖形填充與著色應(yīng)用程序比較常見(jiàn)，屬于標(biāo)配。在圖像處理里對(duì)二值圖像的Hole可以通過(guò)泛洪填充來(lái)消除，這個(gè)是泛洪填充在圖像處理
2021-04-09 10:25:052751 
薄膜電容的分類介紹 電介質(zhì)分類 按電介質(zhì)的不同可將薄膜電容器分為以下三種類型： T型：即PET –Polyethylene(聚乙烯對(duì)苯二酸鹽（或酯）)P型：即PP-Polypropylene（聚丙烯
2021-05-25 00:18:572839 平時(shí)所看到的電容器，雖然外表體型很小，但是內(nèi)部卻另有乾坤，現(xiàn)在市場(chǎng)的電容器，大多數(shù)規(guī)格和尺寸都是差不多的，所以更多是比拼的是內(nèi)部質(zhì)量，而電介質(zhì)作為核心產(chǎn)品原料，它的質(zhì)量和發(fā)揮會(huì)直接影響到電容的優(yōu)劣勢(shì)。很負(fù)責(zé)任的告訴各位，對(duì)于電介質(zhì)的了解很重要，尤其是注意電介質(zhì)的意外和相關(guān)處理方法。
2021-06-17 14:34:131100 泛林集團(tuán)今日發(fā)布了年度《環(huán)境、社會(huì)和公司治理（ESG）報(bào)告》，詳細(xì)闡述了公司在減少對(duì)環(huán)境的影響、打造健康安全的工作場(chǎng)所、推進(jìn)包容性和多樣性、以及積極回饋社區(qū)、擴(kuò)大社區(qū)覆蓋方面的進(jìn)展。
2021-07-05 14:48:281661 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體創(chuàng)新晶圓制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)攜全新的品牌形象及突破性技術(shù)亮相第四屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“進(jìn)博會(huì)”）。
2021-11-08 11:50:411288 
北京時(shí)間2022年2月10日，泛林集團(tuán) （NASDAQ： LRCX） 宣布推出一系列新的選擇性刻蝕產(chǎn)品，這些產(chǎn)品應(yīng)用突破性的晶圓制造技術(shù)和創(chuàng)新的化學(xué)成分，以支持芯片制造商開(kāi)發(fā)環(huán)柵 （GAA） 晶體管結(jié)構(gòu)。
2022-02-10 14:45:401576 
泛林集團(tuán)推三款開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 泛林集團(tuán)深信創(chuàng)新不僅來(lái)自于創(chuàng)新者，更需要共同合作、精確細(xì)致和努力交付才能實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命，也是世界領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)值得信賴的伙伴。 日前泛林集團(tuán)
2022-03-22 14:35:593474 泛林集團(tuán)非常榮幸地宣布獲頒英特爾全球供應(yīng)鏈中的最高榮譽(yù)“英特爾EPIC（Excellence， Partnership， Inclusion and Continuous Improvement卓越、合作、包容和持續(xù)精進(jìn)）杰出供應(yīng)商獎(jiǎng)”。
2022-04-13 14:48:341838 半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者發(fā)布年度《環(huán)境、社會(huì)和公司治理報(bào)告》，并且公布旨在增強(qiáng)社會(huì)影響力的新計(jì)劃?? 北京時(shí)間2022年7月6日——日前，半導(dǎo)體行業(yè)中率先主動(dòng)設(shè)定凈零排放目標(biāo)的公司之一泛林集團(tuán)
2022-07-08 15:12:271115 
在11月1日的開(kāi)幕主題演講上，泛林集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Tim Archer受邀致開(kāi)幕辭，分享他對(duì)全球半導(dǎo)體行業(yè)的洞察：半導(dǎo)體是我們實(shí)現(xiàn)更智能、更快速、更互聯(lián)的數(shù)字世界的基礎(chǔ)，整個(gè)行業(yè)的合作將使我們賦能彼此，成就更多創(chuàng)新的解決方案，給科技和社會(huì)帶來(lái)指數(shù)級(jí)的深遠(yuǎn)影響。
2022-10-28 14:35:441522 泛林集團(tuán)作為創(chuàng)始成員加入全球半導(dǎo)體氣候聯(lián)盟，繼續(xù)向凈零排放目標(biāo)邁進(jìn) 來(lái)源：泛林集團(tuán) 北京時(shí)間2022年11月7日——泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX) 近日宣布，公司的短期溫室氣體減排目標(biāo)已獲
2022-11-07 17:31:381049 與發(fā)展現(xiàn)狀，重點(diǎn)討論了導(dǎo)熱填料、界面相容、成型工藝對(duì)材料導(dǎo)熱系數(shù)的影響，最后結(jié)合導(dǎo)熱聚酰亞胺復(fù)合電介質(zhì)材料未來(lái)發(fā)展的需要，對(duì)研究中存在的一些關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題進(jìn)行了總結(jié)與展望。
2022-11-11 15:13:573923 對(duì)SEMSYSCO的收購(gòu)擴(kuò)大了泛林集團(tuán)的封裝產(chǎn)品系列。新的產(chǎn)品組合擁有創(chuàng)新的、針對(duì)小芯片間或小芯片和基板間異構(gòu)集成的清洗和電鍍能力，包括支持扇出型面板級(jí)封裝這樣的顛覆性工藝。
2022-11-18 10:21:311648 來(lái)源：泛林集團(tuán) 泛林集團(tuán)擴(kuò)大異構(gòu)半導(dǎo)體解決方案產(chǎn)品組合，用于下一代基板和面板級(jí)先進(jìn)封裝工藝 北京時(shí)間2022年11月18日——泛林集團(tuán) (Nasdaq：LRCX) 近日宣布已從Gruenwald
2022-11-21 16:43:021593 公司對(duì)商業(yè)誠(chéng)信的堅(jiān)守贏得了知名機(jī)構(gòu)的認(rèn)可 ? 北京時(shí)間 2023 年 3 月 16 日 ?– 泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX) 近日宣布，公司入選Ethisphere? 2023 年“全球最具
2023-03-21 11:26:371044 
》，該文章由泛林集團(tuán)九名研究人員合著。 此前曾擔(dān)任泛林集團(tuán)首席技術(shù)官的Rick Gottscho博士表示：“我們的研究是突破性的，使泛林集團(tuán)脫穎而出、成為在工藝工程中應(yīng)用數(shù)據(jù)科學(xué)的領(lǐng)導(dǎo)者。” 刊登在Nature雜志的這篇文章對(duì)比了人類工程師與機(jī)器
2023-05-31 19:59:29699 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在Micro:bit上創(chuàng)建High Striker.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-19 11:08:020 電介質(zhì)材料快速且高效的導(dǎo)熱散熱已成為影響電子設(shè)備發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題。傳統(tǒng)聚酰亞胺本征導(dǎo)熱系數(shù)較低，限制了在電氣設(shè)備、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域中的應(yīng)用，發(fā)展新型高導(dǎo)熱聚酰亞胺電介質(zhì)
2022-09-15 10:26:336331 
技術(shù)提高了良率，并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥?lái)生產(chǎn)下一代芯片。Coronus DX是Coronus產(chǎn)品系列的最新成員，擴(kuò)大了泛林集團(tuán)在晶圓邊緣技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2023-06-29 10:08:271399 經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這一強(qiáng)大的保護(hù)技術(shù)提高了良率，并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥?lái)生產(chǎn)下一代芯片。Coronus DX 是Coronus? 產(chǎn)品系列的最新成員，擴(kuò)大了泛林集團(tuán)在晶圓邊緣技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2023-07-05 00:39:291079 的進(jìn)展。 泛林集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Tim Archer表示：“半導(dǎo)體在塑造未來(lái)的過(guò)程中繼續(xù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，但更大的機(jī)遇也意味著更大的責(zé)任。在我們?yōu)橄乱淮?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)突破繼續(xù)創(chuàng)新的同時(shí)，必須考慮我們行業(yè)和地球的長(zhǎng)期可持續(xù)發(fā)展。” 泛林集團(tuán)的全球 ESG 計(jì)劃嚴(yán)格、透明，并與同類最佳實(shí)踐保持一致。第
2023-07-31 11:54:44504 的進(jìn)展。 泛林集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Tim Archer表示：“半導(dǎo)體在塑造未來(lái)的過(guò)程中繼續(xù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，但更大的機(jī)遇也意味著更大的責(zé)任。在我們?yōu)橄乱淮?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)突破繼續(xù)創(chuàng)新的同時(shí)，必須考慮我們行業(yè)和地球的長(zhǎng)期可持續(xù)發(fā)展。” 泛林集團(tuán)的全球 ESG 計(jì)劃嚴(yán)格、透明，并與同類最佳實(shí)踐保
2023-07-31 14:58:43922 一、電介質(zhì)的損耗 介質(zhì)損耗是指絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。介質(zhì)損耗也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。表征某種絕緣材料的介質(zhì)損耗，一般不用W或J等單位來(lái)表示
2023-09-24 16:08:319566 一、電介質(zhì)的電導(dǎo) 電介質(zhì)的電導(dǎo)可分為離子電導(dǎo)和電子電導(dǎo)，離子電導(dǎo)以離子為載流體，電子電導(dǎo)以自由電子為載流體。 1、離子電導(dǎo) 實(shí)際工程上所用的電介質(zhì)多少含有一些雜質(zhì)離子，這些離子與電介質(zhì)分子聯(lián)系非常弱
2023-09-26 16:47:534423 泛林集團(tuán)因?yàn)槿ツ臧l(fā)表的美國(guó)最近的出口限制規(guī)定，遭受了約20億美元的銷售損失。泛林集團(tuán)認(rèn)為，公司在中國(guó)的事業(yè)在第二季度和未來(lái)將繼續(xù)保持強(qiáng)勁勢(shì)頭。首席財(cái)務(wù)官Doug Bettinger表示：“雖然不知道中國(guó)市場(chǎng)明年會(huì)上升、下滑還是橫步走，但不會(huì)消失。”
2023-10-19 10:55:191150 電介質(zhì)是能夠被電極化的絕緣體。電介質(zhì)的帶電粒子是被原子、分子的內(nèi)力或分子間的力緊密束縛著，因此這些粒子的電荷為束縛電荷。
2023-11-10 09:33:031252 
試著想象一場(chǎng)沉浸式的虛擬體驗(yàn)：在探索數(shù)字世界的時(shí)候，你的觸覺(jué)似乎與感受到的景象和聲音一樣真實(shí)。盡管一切只存在于網(wǎng)絡(luò)空間中，但你可以感受到用手接球、或者在虛擬鍵盤上敲字的感覺(jué)。這種感覺(jué)需要觸覺(jué)技術(shù)的支持，而泛林正在用創(chuàng)新助力這一技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。
2023-11-15 16:40:25832 
信號(hào)如何在無(wú)限大的導(dǎo)電介質(zhì)中傳播
2023-11-24 16:06:161798 
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備，深度蝕刻到晶片內(nèi)部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團(tuán) sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來(lái)制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:571742 Yahoo Finance網(wǎng)站顯示，分析師預(yù)期泛林集團(tuán)第二季營(yíng)收、Non-GAAP每股稀釋盈余各為37.1億美元、7.1美元。
2024-01-26 14:20:371697 
韓國(guó)分公司新掌門人Park Joon-hong此前能在泛林集團(tuán)擔(dān)任多個(gè)關(guān)鍵職位，如蝕刻首席技術(shù)官及客戶關(guān)系主管。他有能力領(lǐng)導(dǎo)泛林集團(tuán)在韓的所有部門，包括韓國(guó)制造公司和技術(shù)公司，后者擁有泛林集團(tuán)在韓乃至全球范圍內(nèi)的研究活動(dòng)。
2024-02-20 14:42:111647 據(jù)報(bào)道，2023年中國(guó)市場(chǎng)對(duì)泛林集團(tuán)的貢獻(xiàn)降至26%，而2022年這一比例為31%。泛林集團(tuán)對(duì)此表示，美國(guó)限制中國(guó)客戶進(jìn)口對(duì)其收入產(chǎn)生了負(fù)面影響，且未來(lái)或存在更大風(fēng)險(xiǎn)。
2024-03-22 15:55:281244 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，泛林集團(tuán)（Lam Research，納斯達(dá)克股票代碼：LRCX）近日宣布推出全球首款面向量產(chǎn)的脈沖激光沉積（PLD）機(jī)臺(tái)，以賦能基于MEMS的下一代麥克風(fēng)和射頻（RF）濾波器。
2024-04-07 09:11:462664 
?Discharge），通常指電氣設(shè)備中部分區(qū)域的電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下發(fā)生的非貫穿性放電現(xiàn)象，它往往是絕緣劣化和電氣故障的先兆。 要理解局部放電，就得知道什么是電介質(zhì)。在電力系統(tǒng)中，電介質(zhì)是一種用于隔離電流、防止短路的材料。電纜中的電介質(zhì)通常是
2024-04-09 18:37:501041 該協(xié)議內(nèi)容主要涉及泛林集團(tuán)與印度半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)以及印度科學(xué)研究院的三方合作。泛林集團(tuán)將為Semiverse解決方案的推廣提供支持，印度半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)則負(fù)責(zé)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和運(yùn)營(yíng)經(jīng)費(fèi)支付。
2024-04-16 16:53:031475 早在今年3月份，泛林就已開(kāi)始與印度本土供應(yīng)商進(jìn)行洽談，希望能與其達(dá)成精密零部件、定制件以及用于高端半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線的高純度氣體輸送系統(tǒng)等的供應(yīng)協(xié)議。
2024-05-13 15:11:471032 半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)泛林集團(tuán)（Lam Research）近日震撼發(fā)布其專為3D NAND Flash存儲(chǔ)器制造設(shè)計(jì)的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cryo 3.0。據(jù)泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁
2024-08-02 15:53:101805 在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，美國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林集團(tuán)（Lam Research）再次引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，正式推出其經(jīng)過(guò)嚴(yán)格生產(chǎn)驗(yàn)證的第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cryo 3.0。這一
2024-08-05 09:31:391848 美國(guó)芯片設(shè)備制造商Lam Research(泛林集團(tuán))近日宣布，計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)向印度南部卡納塔克邦投資超過(guò)1000億盧比（約12億美元）。此舉標(biāo)志著印度加強(qiáng)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)計(jì)劃的又一重要進(jìn)展。
2025-02-13 15:57:07738 2025 年的表彰對(duì)公司在道德、合規(guī)和治理方面的最佳表現(xiàn)給予認(rèn)可 北京時(shí)間 2025 年 3 月 18 日—— 泛林集團(tuán)近日宣布，公司已獲得由定義和推進(jìn)商業(yè)道德實(shí)踐標(biāo)準(zhǔn)的全球領(lǐng)導(dǎo)者
2025-03-18 13:55:45405 
產(chǎn)業(yè)界之間的學(xué)術(shù)交流與合作，推動(dòng)我國(guó)電介質(zhì)理論研究、新型電介質(zhì)材料開(kāi)發(fā)、電介質(zhì)相關(guān)元器件應(yīng)用研究開(kāi)發(fā)的知識(shí)創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)電子元器件與材料的產(chǎn)學(xué)研結(jié)
2025-04-22 18:27:521110 
（void），溝槽的填充工藝技術(shù)也不斷發(fā)展。從圖中可見(jiàn)，集成電路芯片的制造過(guò)程中包含很多種填充技術(shù)上的挑戰(zhàn)，包括淺溝槽隔離、接觸孔和溝槽。根據(jù)填充材料的不同，填充工藝主要分為絕緣介質(zhì)的填充技術(shù)和導(dǎo)電材料的填充技術(shù)。
2025-05-21 17:50:271123 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論