dram

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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

如何處理SoC中的性能瓶頸呢？

SoC 中不斷添加處理核心，但它們不會(huì)都得到充分利用，因?yàn)檎嬲钠款i沒(méi)有得到解決。

2024-05-01 標(biāo)簽：處理器 DRAM SoC芯片 1.7k 0

國(guó)產(chǎn)ARM + FPGA的SDIO通信開(kāi)發(fā)介紹！

SDIO(Secure Digital lnput and Output)，即安全數(shù)字輸入輸出接口。SDIO總線協(xié)議是由SD協(xié)議演化而來(lái)，它主要是對(duì)SD...

2024-05-17 標(biāo)簽：處理器 FPGA DRAM 1.7k 0

DRAM的基本操作

晶體管T充當(dāng)存儲(chǔ)電容器C和位線BL之間的開(kāi)關(guān)。

2024-07-18 標(biāo)簽：電容器 DRAM 晶體管 1.7k 0

掃地機(jī)器人的拆解

掃地機(jī)器人大概可以分為以下核心部分：主要包含主控芯片、傳感器芯片、電源管理芯片、WiFi芯片、存儲(chǔ)芯片和視覺(jué)芯片等。

2024-01-02 標(biāo)簽：傳感器 DRAM 人工智能 1.6k 0

VLT技術(shù)可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局

Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管（Vertical Layered Thyristor）技術(shù)，簡(jiǎn)稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopa...

2016-10-17 標(biāo)簽：CMOS DRAM VLT 1.6k 0

先進(jìn)封裝技術(shù)中最常見(jiàn)的10個(gè)術(shù)語(yǔ)介紹

將大型SoC分解為較小的小芯片，與單顆裸晶相比具有更高的良率和更低的成本。Chiplet使設(shè)計(jì)人員可以充分利用各種IP，而不用考慮采用何種工藝節(jié)點(diǎn)，以及...

2023-10-19 標(biāo)簽：DRAM 封裝技術(shù)IC封裝 1.6k 0

如何選擇DRAM？深入了解內(nèi)存的使用方式及連接方式

DRAM 仍然是任何這些架構(gòu)中的重要組成部分，盡管多年來(lái)一直在努力用更快、更便宜或更通用的內(nèi)存取代它，甚至將其嵌入到 SoC 中。

2023-02-06 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器人工智能 1.6k 0

在NI FlexRIO中使用DRAM

許多高性能儀器使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)作為本地存儲(chǔ)器，DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲(chǔ)器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模...

2017-11-17 標(biāo)簽：dram ni 1.6k 0

談?wù)勑滦痛鎯?chǔ)

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體的重要市場(chǎng)之一，其約占據(jù)了半導(dǎo)體近1/3的市場(chǎng)份額。其中，從存儲(chǔ)芯片細(xì)分產(chǎn)品來(lái)看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲(chǔ)芯片95%以上的...

2022-10-25 標(biāo)簽：DRAM NAND FlaSh 1.5k 0

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。

2023-06-19 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 1.5k 0

HBM性能驗(yàn)證變得簡(jiǎn)單

HBM2E（高帶寬內(nèi)存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高...

2023-05-26 標(biāo)簽：處理器 DRAM 內(nèi)存 1.5k 0

SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)

芯片已經(jīng)無(wú)處不在：從手機(jī)和汽車(chē)到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。

2023-07-12 標(biāo)簽：DRAM SPARC 云服務(wù)器 1.5k 0

第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車(chē)輛應(yīng)用解決方案

許多半導(dǎo)體已經(jīng)實(shí)際應(yīng)用于汽車(chē)內(nèi)，如電動(dòng)車(chē)（含油電混合車(chē)）所使用的功率半導(dǎo)體、車(chē)身與被動(dòng)安全裝置使用的微控制器、數(shù)字信號(hào)處理器、半導(dǎo)體傳感器、不同種類的內(nèi)...

2020-07-29 標(biāo)簽：DRAM 人工智能 adas 1.5k 0

深入理解Cache工作原理

按照數(shù)據(jù)關(guān)系劃分：Inclusive/exclusive Cache: 下級(jí)Cache包含上級(jí)的數(shù)據(jù)叫inclusive Cache。不包含叫exclu...

2023-05-30 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)Cache 1.5k 0

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。

2023-02-08 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲(chǔ)器 1.5k 0

存儲(chǔ)要不要分層，關(guān)鍵要看它！

現(xiàn)有的計(jì)算機(jī)體系架構(gòu)中通常采用層級(jí)緩存來(lái)彌補(bǔ)外存和內(nèi)存之間的性能差距。但是，層緩存都有極限帶寬和有限的命中率，在層級(jí)緩存下數(shù)據(jù)需要頻繁的在各個(gè)層級(jí)緩存之...

2023-05-23 標(biāo)簽：DRAM SSD CAS 1.4k 0

存儲(chǔ)系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)全解：存儲(chǔ)協(xié)議及關(guān)鍵技術(shù)

SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。

2023-10-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 DRAM NAND 1.4k 0

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，...

2023-11-30 標(biāo)簽：DRAM 振蕩器數(shù)據(jù)信號(hào) 1.4k 0

基于DDR DRAM控制器實(shí)現(xiàn)MPMA存取輸入/輸出端口的設(shè)計(jì)

為了兼具可擴(kuò)展性和數(shù)據(jù)處理速度，對(duì)于各種應(yīng)用，如圖像數(shù)據(jù)偵錯(cuò)、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等，可編程數(shù)據(jù)處理模塊（Programmable Da...

2020-05-19 標(biāo)簽：控制器 dram fifo 1.4k 0

熱概念增強(qiáng)DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　熱管理問(wèn)題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)也在不斷發(fā)展，并可能影響為耐用性...

2022-07-12 標(biāo)簽：pcb 嵌入式 DRAM 1.4k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷(xiāo)全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周?chē)l(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車(chē)電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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