dram

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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰(zhàn)

薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化，厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸（Critical Dimensions：CD）。

2023-01-09 標(biāo)簽：電容器 DRAM 光刻膠 2.2k 0

同步DRAM(SDRAM)介紹

DRAM從20世紀(jì)70年代初到90年代初生產(chǎn)，接口都是異步的，其中輸入控制信號(hào)直接影響內(nèi)部功能。

2024-07-29 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 內(nèi)存控制器 2.2k 0

DRAM組織結(jié)構(gòu)和讀取原理介紹

DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個(gè) DRAM 單元組成，每個(gè)單元存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)。

2025-12-26 標(biāo)簽：控制器 DRAM cpu 2.2k 0

3D DRAM架構(gòu)的未來(lái)趨勢(shì)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。

2023-08-03 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲(chǔ)器 2.2k 0

物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中HyperRAM的使用優(yōu)勢(shì)

根據(jù)Ericsson在2020年6月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)報(bào)告指出，包括NB-IoT和Cat-M在內(nèi)的大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng) (Massive IoT) 將持續(xù)部署到...

2024-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 物聯(lián)網(wǎng) 2.2k 0

美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過(guò)高通平臺(tái)認(rèn)證

美光的低功耗內(nèi)存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺(tái)上的元宇宙應(yīng)用提供高速和高能效。美光科技宣布，其低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM和...

2023-10-27 標(biāo)簽：高通閃存嵌入式 2.2k 0

探索閃存內(nèi)存如何應(yīng)對(duì)“內(nèi)存墻”的可行性

首先，內(nèi)存請(qǐng)求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行...

2023-10-09 標(biāo)簽：閃存 DRAM gpu 2.1k 0

JEDEC發(fā)布：GDDR7 DRAM新規(guī)范，專供顯卡與GPU使用

三星電子和SK海力士計(jì)劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內(nèi)存。

2024-03-18 標(biāo)簽：DRAM 三星電子內(nèi)存 2.1k 0

磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM)制造工藝

磁性隧道結(jié)（MTJ）通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽（MgO 或Al2O3）層組成的，它可以實(shí)現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...

2023-02-01 標(biāo)簽：DRAM sram TMR 2.1k 0

存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)如何解釋？

存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)可以從圖片中清晰的看出來(lái)，圖片中共分為六級(jí)，越向上的層次，存儲(chǔ)器速度越快，容量更小，造價(jià)越高。

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 cpu 2.1k 0

ST在新品MCU上做了哪些改進(jìn)

數(shù)字化趨勢(shì)正在驅(qū)動(dòng)著整個(gè)設(shè)備的增長(zhǎng)，未來(lái)會(huì)有更多安全鏈接到云端，在設(shè)備端更加智能的處理。與此同時(shí)，數(shù)字化也會(huì)帶來(lái)更大的32位MCU的增長(zhǎng)。已經(jīng)連續(xù)好幾年...

2023-06-12 標(biāo)簽：mcu DRAM ST 2.1k 0

淺談DDR內(nèi)存技術(shù)原理1

對(duì)于DRAM，其主要由行和列組成，每一個(gè)bit中都是由類似右下圖的類晶體管的結(jié)構(gòu)組成，對(duì)于sdram的數(shù)據(jù)，可以通過(guò)控制column和row就可以訪問(wèn)s...

2023-02-15 標(biāo)簽：DRAM 晶體管 bit 2k 0

淺談存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)

通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問(wèn)速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問(wèn)速度，而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的...

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM 寄存器存儲(chǔ)器 2k 0

FPGA循環(huán)并行化應(yīng)用于先前任務(wù)并行化的推理內(nèi)核

此外，當(dāng)前內(nèi)核的外部?jī)?nèi)存訪問(wèn)效率低下，因此內(nèi)存訪問(wèn)也是瓶頸。在這種狀態(tài)下，即使進(jìn)行循環(huán)并行化，內(nèi)存訪問(wèn)最終也會(huì)成為瓶頸。

2023-04-17 標(biāo)簽：fpga DRAM 存儲(chǔ)器 2k 0

DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜？

芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也...

2023-11-22 標(biāo)簽：DRAM SRAM 數(shù)據(jù)中心 2k 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)的基礎(chǔ)知識(shí)

上周，我給大家仔細(xì)介紹了HDD硬盤、軟盤和光盤的發(fā)展史(鏈接)。

2022-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器 2k 0

非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高，...

2011-09-07 標(biāo)簽：PCM DRAM 存儲(chǔ)器 2k 0

DRAM和SRAM元器件原理

元器件原理＜DRAM＞由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成數(shù)據(jù)的寫入方法＜“1” 時(shí)＞ Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電...

2023-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器 2k 0

3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

SEMulator3D將在半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和制造中發(fā)揮重要作用作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門 SEMulator3D?應(yīng)用...

2023-08-08 標(biāo)簽：DRAM 泛林集團(tuán) 2k 0

數(shù)據(jù)庫(kù)性能翻3倍：虹科Redis企業(yè)版軟件的RoF技術(shù)是如何做到的？

虹科云科技，企業(yè)級(jí)云科技方案的引領(lǐng)者 Redis on flash簡(jiǎn)介 Redis on Flash （RoF）是Redis的分層存儲(chǔ)技術(shù)，即將數(shù)據(jù)存放...

2022-11-30 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)技術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù) 1.9k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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