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標簽 > 納微半導體
Navitas 成立于 2014 年,開發的超高效氮化鎵 (GaN)半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續性方面正在徹底改變電力電子領域。
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納微半導體發布3300V/2300V超高壓SiC全系產品組合
全新發布的3300V / 2300V GeneSiC 碳化硅產品基于最新溝槽輔助平面柵技術 Trench-Assisted Planar(TAP)與先進...
加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵(GaN)與GeneSiC碳化硅(SiC)技術行業領導者——納微半導體(...
格芯(GlobalFoundries,納斯達克代碼:GFS)與納微半導體(Navitas Semiconductor,納斯達克代碼:NVTS)今日正式宣...
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導體行業領導者——納微半導體 (納斯達克...
兆易創新與納微半導體數字能源聯合實驗室揭牌,加速高效電源管理方案落地
兆易創新GigaDevice與納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)共同設立的“數字能源聯合實驗室”在合肥正式揭牌。該實驗室將GD32 MCU領域的深...
納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布一項重要人事任命:納微董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執行官,自2025...
納微車規級第三代“快速”碳化硅MOSFET助力Brightloop打造氫燃料電池充電器
GeneSiC MOSFET技術為燃料電池和重型運輸領域的高壓大功率‘多變換器’賦予無與倫比的功率密度 日前;納微半導體宣布與法國知名電力電子制造商——...
近日,納微半導體宣布推出專為超大規模AI數據中心設計的最新12kW量產電源參考設計,可適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。
NVIDIA 采用納微半導體開發新一代數據中心電源架構 800V HVDC 方案,賦能下一代AI兆瓦級算力需求
全球 AI 算力基礎設施革新迎來關鍵進展。近日,納微半導體(Navitas Semiconductor, 納斯達克代碼:NVTS)宣布參與NVIDIA ...
納微半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET
納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準,以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V與1200V“...
納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)公布了截至2025年3月31日的未經審計的2025年第一季度財務業績。
峰值效率98%,納微12kW AI數據中心服務器電源,支持英偉達Backwell GPU
去年底納微半導體發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源,其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計,實現了>97.5%的超高效率,完美適配AI和...
納微半導體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025,全面展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數據中心、電動汽車、電機馬達和工業領域的應用新進展。
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