全新發布的3300V / 2300V GeneSiC 碳化硅產品基于最新溝槽輔助平面柵技術 Trench-Assisted Planar（TAP）與先進封裝，實現 AI 數據中心、電網與能源基礎設施及工業電氣化系統的更高效率與更長壽命，包括儲能、可再生能源與兆瓦級快充等關鍵應用。

下一代 GaNFast 氮化鎵（GaN）與 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半導體行業領導者納微半導體（Nasdaq：NVTS） 今日宣布，其全新 3300V 與 2300V 超高壓（UHV）SiC 產品已正式開始向市場提供樣品，覆蓋功率模塊、分立器件及裸片（KGD）等多種形態。該系列產品在超高壓功率電子器件領域樹立了全新的可靠性與性能標桿。

自主研發的溝槽輔助平面柵技術（TAP）SiC MOSFET 技術全面提升性能與可靠性

納微全新3300V 和 2300V SiC器件基于其第四代 GeneSiC 平臺研發，采用 TAP （溝槽輔助平面柵技術）架構，通過多級電場管理設計顯著降低電壓應力、提升耐壓能力，相較傳統 trench 或平面型 SiC MOSFET 展現更優的電壓特性和可靠性。

納微的SiC MOSFET不僅具有 TAP 架構帶來的更高的長期可靠性與雪崩能力；同時，其優化的源極結構將實現更高的單元密度與更佳的電流擴散，進一步改善開關性能指標，并可在高溫環境下降低導通電阻。

創新封裝技術打造行業最優的系統耐用性與功率密度

納微此次進一步擴展 3300V / 2300V UHV SiC 產品組合，提供靈活多樣的封裝格式，以滿足客戶端不同應用的需求。針對高功率密度與高可靠性系統，推出了先進的 SiCPAK G+ 功率模塊，支持半橋與全橋拓撲。

SiCPAK G+ 模塊采用獨特的環氧樹脂灌封技術，相比業內常見的硅膠灌封方案，可實現 >60% 的功率循環壽命提升，以及 >10 倍的熱沖擊可靠性改進。

該模塊系列還采用 AlN DBC （氮化鋁直接鍵合銅基板）以強化散熱性能，并引入全新大電流壓接引腳，使單 pin 電流能力提升一倍。

分立器件則提供業界標準的 TO-247 與 TO-263-7 封裝。

強化型可靠性驗證確保系統長期壽命

納微推出行業首創的可靠性驗證基準 AEC-Plus*，其驗證范圍遠超既有的 AEC-Q101 與 JEDEC 標準。該標準體現了納微對系統級長期壽命需求的深刻理解，并堅持為電網與能源基礎設施等關鍵應用提供經過嚴苛設計與驗證的高可靠性產品。

AEC-Plus 可靠性驗證包含大量擴展項目，包括：

· 動態反向偏置（DRB）與動態柵極切換（DGS），以模擬高速開關場景中的嚴苛工況

· 靜態高溫高壓測試（HTRB、HTGB、HTGB-R）時長延長至標準的 3 倍以上

· 模塊級 HV-THB 與分立 / KGD 的 HV-H3TRB 資格認證

· 更長周期的功率循環與溫度循環測試

先進 KGD 生產篩選流程確保更高品質與可靠性

為滿足定制化功率模塊的需求，納微最新一代 3300V 與 2300V SiC MOSFET 同時提供 KGD 裸片服務，為保證裸片與 SiCPAK G+ 模塊的卓越質量，器件需通過先進的生產篩選流程，包括：

· 切片后裸片的常溫與高溫全測試

· 六面光學檢測

高度嚴格的 KGD 方案確保納微為客戶僅提供最優質，最可靠的裸片，以用于系統制造，幫助客戶獲得更卓越的模組性能、良率與長期可靠性。

納微半導體SiC 事業部副總裁兼總經理Paul Wheeler：“全新的 3300V / 2300V SiC 產品組合將助力客戶在 AI 數據中心固態變壓器、以及公用事業級儲能與可再生能源系統中進一步突破效率與可靠性瓶頸，樹立關鍵系統應用的新標準。” 他同時補充道：“這一系列高可靠、高性能的超高壓（UHV）碳化硅功率半導體產品，是我們邁向 10 KV 電網技術路線的重要一步。通過結合專有 TAP 技術與創新封裝技術，執行更嚴格的可靠性驗證和生產測試，從而持續引領行業，提供業界領先的高性能與高可靠性碳化硅產品。”

有關 TAP 技術 （溝槽輔助平面柵技術）的白皮書可通過點擊原文，免費下載。

更多信息，敬請訪問：

· SiCPAK Power Modules: https://navitassemi.com/sicpak-modules/

· SiC MOSFET Known Good Die (KGD): https://navitassemi.com/known-good-die/

· SiC MOSFET Discrete : https://navitassemi.com/genesic-mosfets-products/

如需申請樣品，歡迎聯系納微銷售團隊：info@navitassemi.com

*“AEC-Plus”指器件基于納微測試結果，其可靠性驗證超越 AEC-Q101 與 JEDEC 標準。

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）是新一代功率半導體行業領導者，專注于氮化鎵（GaN）與集成電路（IC）器件，以及高壓碳化硅（SiC）技術研發，旨在推動人工智能與數據中心、能源與電網基礎設施、高性能計算及工業應用領域的創新。憑借在寬禁帶技術領域超過30年的經驗積累，納微旗下的GaNFast功率芯片將氮化鎵功率器件、驅動、控制、感測與保護功能高度集成，實現更快的功率傳輸、更高的系統功率密度及更卓越的能效表現。GeneSiC高壓碳化硅器件采用受專利保護的溝槽輔助平面技術，為中壓電網及基礎設施應用提供業界領先的耐壓能力、效率與可靠性。納微半導體已擁有或正在申請的專利超過300項，是全球首家獲得CarbonNeutral碳中和認證的半導體公司。