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LSM6DSO16IS：集成ISPU的智能慣性傳感器，賦能邊緣AI與實時運動處理
STMicroelectronics LSM6DSO16IS iNEMO慣性模塊是一款系統級封裝器件，可在高性能模式下以0.59mA電流提升性能。該慣性...
LSM6DSV iNEMO?慣性模塊：為下一代智能設備提供高性能運動感知
STMicroelectronics LSM6DSV iNEMO?慣性模塊是一款系統級封裝器件，配備三軸數字陀螺儀和三軸數字加速度計。它有三核，用于在三...
熱阻概念與重要性熱阻是衡量熱量在熱流路徑上所遇阻力的物理量，它反映了介質或介質間傳熱能力的強弱，具體表現為1W熱量引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W。...
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
隨著產品功能越來越強大，PCB板面積越來越小，元器件分布越來越密集。在未來幾年，手機，周邊配件，平板和其它產品大規模應用01005元件。希望您在閱讀本文...
自動光學檢測的基本原理是使用軟件工具使操作人員找到并確定元件的位置，可檢測出有引腳器件、芯片級封裝（CSP）及球柵陣列（BGA）封裝器件等。傳統AOI依...
隨著電子產品小型化、高性能要求的不斷提高，QFN（Quad Flat No-lead Package，方形扁平無引腳封裝）形式因其較小的體積尺寸和較輕的...
高溫焊接回流導致內部積聚的濕氣蒸發并對不穩固?的表面造成分層 如果內部蒸汽壓力超過塑料能承受的強度，就會出現- -個破裂。
晶圓級芯片封裝技術上市公司有哪些 晶圓級封裝與普通封裝區別在哪
晶圓級封裝是在整個晶圓（wafer）的級別上進行封裝，而普通封裝是在單個芯片級別上進行封裝。晶圓級封裝通常在晶圓制造完成后，將多個芯片同時封裝在同一個晶...
Qorvo （UnitedSiC） 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴大了公司的性能地位，并擴大了其...
在現代電子制造領域，球柵陣列（BGA）封裝技術因其高密度、高性能和良好的散熱特性，被廣泛應用于各種高端電子產品中。BGA封裝器件的可靠性直接關系到整個電...
博志金鉆完成B輪融資 蓄勢“芯”時代 聚焦半導體散熱封裝材料研發
專注高性能半導體散熱材料與封裝器件的國家高新技術企業，蘇州博志金鉆科技于近期完成數千萬B輪融資，投資方為昆高新創投。本輪資金將用產品研發、團隊擴充和產能...
Vishay 推出三款新系列汽車級表面貼裝標準整流器，皆為業內先進的薄型可潤濕側翼 DFN3820A 封裝器件。
AM：熱交聯空穴導體助力23.9%效率的穩定的反式鈣鈦礦太陽能電池
所得聚合物CL-MCz提供了高能量有序性、改善的導電性以及適當的能級排列，使得能夠在器件中有效收集電荷載流子。同時，CL-MCz同時提供了令人滿意的表面...
Science Advances：室內光伏喚醒世界上第一塊太陽能電池！
本工作率先挖掘了“古老”Se電池在“年輕”室內光伏領域的獨特優勢：本征帶隙在室內光伏最佳帶隙區間（1.8-1.9 eV）；高吸收系數及低長晶溫度，可薄膜...
在國家政策的大力推進下，5G+4K/8K全面開啟了萬物互聯時代，給各行各業帶來了眾多機遇和挑戰。其中，Micro LED顯示技術也迎來了蓬勃的發展，但如...
熱阻即熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質或介質間的傳熱能力的大小，表明了1W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W。可以用一個類比來解釋，如果熱量...
日前發布的二極管外形尺寸僅為1 mm x 0.6 mm x 0.45 mm，與傳統SOD/T封裝器件相比，占板面積減少90 %，高度降低50 %并改進了功耗。
Microchip宣布擴展用于空間系統的抗輻射Armò單片機（MCU）產品陣容
Microchip 的 SAMRH71 和 SAMRH707 器件在歐洲航天局（ESA）和法國航天局國家空間研究（CNES）的支持下開發，用于進一步開展...
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