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標(biāo)簽 > 基本半導(dǎo)體
深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。
破局與重構(gòu):基本半導(dǎo)體SST固態(tài)變壓器SiC Power Stack功率套件PEBB方案的戰(zhàn)略價值
破局與重構(gòu):基本半導(dǎo)體SST固態(tài)變壓器SiC Power Stack功率套件PEBB方案在的戰(zhàn)略價值 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心
2026-02-11 標(biāo)簽: SiC 固態(tài)變壓器 基本半導(dǎo)體 378 0
構(gòu)建能源互聯(lián)網(wǎng)的物理底座:基本半導(dǎo)體SiC功率模塊與驅(qū)動技術(shù)的解析
構(gòu)建能源互聯(lián)網(wǎng)的物理底座:基本半導(dǎo)體SiC功率模塊與驅(qū)動技術(shù)的解析 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點賦能者-BASiC Semic
2026-02-10 標(biāo)簽: SiC功率模塊 能源互聯(lián)網(wǎng) 基本半導(dǎo)體 55 0
研報:英飛凌2026財年Q1財報透視與BASiC基本半導(dǎo)體國產(chǎn)化進階之路
研報:英飛凌2026財年Q1財報透視與BASiC基本半導(dǎo)體國產(chǎn)化進階之路 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)
2026-02-09 標(biāo)簽: 英飛凌 BASIC 基本半導(dǎo)體 454 0
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET 產(chǎn)品線在家庭能源生態(tài)系統(tǒng)中的技術(shù)與商業(yè)價值
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET 產(chǎn)品線在家庭能源生態(tài)系統(tǒng)中的技術(shù)與商業(yè)價值 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)
2026-02-08 標(biāo)簽: MOSFET 基本半導(dǎo)體 102 0
SiC碳化硅時代的渠道變革與技術(shù)致勝——傾佳電子榮獲BASiC基本半導(dǎo)體光儲充市場開拓獎 BASiC Semicondu
2026-02-08 標(biāo)簽: BASIC 基本半導(dǎo)體 186 0
日前,在麥田能源舉辦的首次合作伙伴交流會上,基本半導(dǎo)體憑借卓越的產(chǎn)品品質(zhì)和穩(wěn)定可靠的供應(yīng)鏈保障能力,榮獲麥田能源頒發(fā)的2
2026-02-04 標(biāo)簽: 逆變器 能源 基本半導(dǎo)體 514 0
基本半導(dǎo)體汽車級Pcore6 HPD Mini封裝碳化硅MOSFE模塊介紹
基本半導(dǎo)體汽車級Pcore6 HPD Mini封裝碳化硅MOSFE模塊是一款專為新能源汽車主驅(qū)逆變器設(shè)計的高性能、高功率
2026-02-01 標(biāo)簽: MOSFET 碳化硅 基本半導(dǎo)體 641 0
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹
基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列,采用新一代碳化硅芯片技術(shù),結(jié)合高性能S
2026-01-23 標(biāo)簽: MOSFET 功率模塊 基本半導(dǎo)體 1207 0
軌道能源架構(gòu)的新紀元:太空光伏產(chǎn)業(yè)演進與基本半導(dǎo)體(BASiC)的技術(shù)貢獻
軌道能源架構(gòu)的新紀元:太空光伏產(chǎn)業(yè)演進與基本半導(dǎo)體(BASiC)的技術(shù)貢獻 BASiC Semiconductor基本半
2026-01-19 標(biāo)簽: 光伏 BASIC 基本半導(dǎo)體 514 0
近日,基本半導(dǎo)體接連斬獲三項行業(yè)重磅獎項——“2025行家極光獎·中國SiC模塊十強企業(yè)”、“2025年度中國智能電動汽
2025-12-17 標(biāo)簽: 功率器件 SiC 基本半導(dǎo)體 366 0
深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。公司擁有一支國際化的研發(fā)團隊,核心成員包括來自清華大學(xué)、劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、中國科學(xué)院等國內(nèi)外知名高校及研究機構(gòu)的十多位博士。
基本半導(dǎo)體掌握國際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù),研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈,先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品,性能達到國際先進水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已通過AEC-Q101可靠性測試,其他同平臺產(chǎn)品也將逐步完成該項測試。基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于新能源、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
基本半導(dǎo)體與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心,是深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起單位之一,廣東省未來通信高端器件創(chuàng)新中心股東單位之一,獲批中國科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心,公司及產(chǎn)品榮獲2020“科創(chuàng)中國”新銳企業(yè)、“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎、中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽專業(yè)賽一等獎等榮譽。
相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點,越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...
交流充電樁:本質(zhì)是一個帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)較為簡單,需要車載充電機自己進行變壓...
基本半導(dǎo)體正激DCDC開關(guān)電源芯片BTP1521x簡介
基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開關(guān)電源芯片,集成上電軟啟動功能及過溫保護功能,輸出功率可達6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設(shè)...
2025-01-15 標(biāo)簽:開關(guān)電源DCDC電源芯片 2.9k 0
可靠性,是指產(chǎn)品在規(guī)定時間內(nèi)和條件下完成規(guī)定功能的能力,是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo),如果在規(guī)定時間內(nèi)和條件下產(chǎn)品失去了規(guī)定的功能,則稱之為產(chǎn)品失效或出現(xiàn)了故障...
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用
在工商業(yè)儲能系統(tǒng)中,儲能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC)功率器件的廣泛應(yīng)用,儲能PCS的效率、...
國芯思辰|基本半導(dǎo)體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車載充電機二次側(cè)整流
車載充電機可實現(xiàn)交流輸入(85VAC~265VAC)/直流輸出(200VDC-750VDC)輸出的功能,其電路的核心架構(gòu)通常由整流、PFC升壓、LLC逆...
2022-07-20 標(biāo)簽:肖特基二極管科銳基本半導(dǎo)體 2.5k 0
基本半導(dǎo)體榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎
深圳本土第三代半導(dǎo)體科創(chuàng)企業(yè)——深圳基本半導(dǎo)體有限公司旗下車規(guī)級全碳化硅功率模塊(BMB200120P1)榮獲優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎。
國芯思辰|基本半導(dǎo)體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應(yīng)用于PFC電路
PFC電路廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源(特別是通信電源)中。現(xiàn)階段,PFC電路多采用硅基材料,由于硅基材料的限制,電源的損耗較大,效率偏低。在電源的PFC電路...
2022-07-25 標(biāo)簽:肖特基二極管基本半導(dǎo)體 1.7k 0
基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊解析
隨著可再生能源、電動汽車等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展,硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性,在650...
基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET應(yīng)用場景適配報告
基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET 深度產(chǎn)品力研究與應(yīng)用場景適配全景報告 深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電...
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)PCS中的應(yīng)用立即下載
2025-09-01 標(biāo)簽:PCS基本半導(dǎo)體 0 446
基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝,結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計,開發(fā)出了短路耐受時間長,導(dǎo)通電阻小,閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能...
2019-01-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件碳化硅 1.1萬 0
國內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?
基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在1...
年產(chǎn)100萬!SiC模塊封裝產(chǎn)線正式動工
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日有網(wǎng)友在社交媒體透露,基本半導(dǎo)體(中山)有限公司年產(chǎn)100萬只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項目開始動工,進入打樁階段。 ? ...
2025-12-03 標(biāo)簽:封裝碳化硅基本半導(dǎo)體 8.7k 0
SiC需求爆發(fā)!賽道正式開啟,國內(nèi)企業(yè)迅速就位
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型,成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個縮影,對整個電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 ? 碳化...
2021-11-12 標(biāo)簽:SiC二極管SiC MOSFET基本半導(dǎo)體 5.2k 0
聞泰12英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體晶圓制造中心投資超300億元
1月4日,深圳基本半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“基本半導(dǎo)體”)通過官方微信宣布,其在2020年12月31日,已完成數(shù)億元人民幣的B輪融資。該輪融資由聞泰科技...
2021-01-05 標(biāo)簽:聞泰基本半導(dǎo)體 4.4k 0
國內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線
12月30日,基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專...
青銅劍科技發(fā)布全碳化硅器件解決方案,助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展
青銅劍科技、基本半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布了面向新能源汽車電機控制器的全碳化硅器件解決方案。
基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC可pin to pin替換科銳C4D30120D
碳化硅肖特基二極管是用碳化硅為原料的二極管。該材料是屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,材料本身的性能就優(yōu)于硅材料。該類二極管由于反向恢復(fù)時間短,可提高系統(tǒng)效率...
2022-08-16 標(biāo)簽:二極管基本半導(dǎo)體 3k 0
基本半導(dǎo)體推出汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6
汽車級全碳化硅三相全橋MOSFET模塊Pcore6是基本半導(dǎo)體基于廣大汽車廠商對核心牽引驅(qū)動器功率器件的高性能、高效率等需求設(shè)計并推出的產(chǎn)品。
國芯思辰|基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動器BTD5350替代東芝TLP350用于工業(yè)空調(diào)
在工業(yè)空調(diào)變頻的過程中,通過電源濾波整流,把交流轉(zhuǎn)換為直流,通過PFC的功率因子提升給到驅(qū)動電路部分,而由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極IGB...
2022-09-14 標(biāo)簽:東芝柵極驅(qū)動器工業(yè)空調(diào) 2.6k 0
| 型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| B1D08065E | 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):21A;正向壓降(Vf):1.45V@8A; |
獲取價格
|
|
| B1D04065F |
獲取價格
|
||
| B1D20120H | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):70A;正向壓降(Vf):1.46V@20A;反向電流(Ir):6.75uA@1.2kV; |
獲取價格
|
|
| B1D10065KF | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):24A;正向壓降(Vf):1.48V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
|
|
| B1D10065E | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):29A;正向壓降(Vf):1.44V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價格
|
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