日本半導體制造商 ROHM 已正式將適用于工業裝置、太陽能發電功率調節器等變流器/轉換器的碳化硅MOSFET 模組(額定規格1200V/ 180A)投入量產。
2013-01-30 09:32:42
1610 基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝,結合元胞鎮流電阻設計,開發出了短路耐受時間長,導通電阻小,閾值電壓穩定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:03
10726 
近年來,基于寬禁帶材料的器件技術的不斷發展,碳化硅器件的實際工程應用,受到了越來越廣泛的關注。相較傳統的硅基器件,碳化硅MOSFET具有較小的導通電阻以及很快的開關速度,與硅IGBT相比,導通損耗
2025-11-05 08:22:00
8365 
。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅動,增加了系統復雜度,再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管,增加了系統成本。 本文中,將介紹我們8KW LLC變換器的設計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
充電器、電機和太陽能逆變器,不僅可以從這些新器件中受益匪淺,不僅在效率上,而且在尺寸上,可實現高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇,也是意法半導體的戰略。碳化硅(SiC)技術是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
。 BOM成本比較表明,碳化硅基MOSFET充電器方案可節省15%成本 加快上市等于減少了時間成本 半導體廠商通常都通過參考設計為其器件提供廣泛的支持。對于上面提到的OBC應用,Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
,封裝也是影響產品可靠性的重要因素。基本半導體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標準進行測試。目前碳化硅二級管產品已通過AEC-Q101測試,工業級1200V碳化硅MOSFET也在進行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高達1400℃的溫度下,仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導體自主研發推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品,具有極高的工作效率,性能優越達到國際先進水平,可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言,半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比,故在相似的功率等級下,SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數選型表:
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品,基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
*附件:國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40
氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監魏煒老師的講解,揭開這一技術領域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
化。但是,像碳化硅這樣的寬帶隙(WBG)器件也給應用研發帶來了設計挑戰,因而業界對于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網的干擾,都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導體材料幾乎都是同時出現,強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計,功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件? 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時,碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:22 編輯
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術:
1 車載電源OBC與最新發展
2 雙向OBC關鍵技術
3 11kW全
2022-06-20 16:31:07
和分析,為滿足不同的市場需求,基本半導體為圖騰柱無橋PFC這一硬開關拓撲設計了能同時兼顧效率與性價比的混合碳化硅分立器件,同時也提供了更高效率的全碳化硅 MOSFET方案。 04 對比測試 這里
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用,導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術器件應運而生,如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
器件包括主開關MOSFET:C3M0065100K; 輸出碳化硅二極管:C5D50065D;單端反激Flyback輔助電源的MOSFET:C2M1000170D方案能廣泛應用于新能源電動汽車充電、通信
2016-08-05 14:32:43
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力,基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
/混合動力汽車半導體領袖,緊跟市場趨勢,提供全面的高性能方案,包括超級結SuperFET? III MOSFET、碳化硅(SiC)二極管、IGBT、隔離型門極驅動器、電流檢測放大器、快恢復二極管,滿足電動汽車充電樁市場需求并推動創新。
2019-08-06 06:39:15
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
、20A、30A、40A等規格,TO220、TO247等封裝; 后續針對雙向OBC的應用,碳化硅MOSFET也是較好的選擇。原作者:泰科天潤 泰科天潤半導體
2023-02-27 14:35:13
MOSFET更好的在系統中應用,需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅動產品 基本半導體自主研發的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低
2023-02-27 16:03:36
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者:大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
上海大革使用自行研發成功的全碳化硅模塊成功研發50kw,100kw,350kw新能源汽車中壓快速充電樁。使用新型全碳化硅模塊快速充電樁,不僅體積小巧,投入資金少,還能有效提高電力轉換效率,減少充電時間。
2018-04-26 09:05:43
8205 目前,大晶磊半導體可以為市場提供通過90kV BIL測試的碳化硅驅動模塊。而且此驅動模塊可以將碳化硅MOSFET的開關頻率提升到500kHz,而耦合電容可以被控制在0.9pF。
2019-04-11 14:24:11
5279 SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32
148 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業,率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業界熟知,并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動中
2021-11-29 14:54:08
9429 
與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯開關,從而提供了簡化和可靠的系統布局。
2022-04-07 14:49:04
4200 在高端應用領域,碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛,被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:16
1771 本文推薦基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中,可以有效降低熱損耗,提高工作效率,同時也可以減小變壓器等器件的體積。
2022-12-14 14:58:15
1143 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料,由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32
1748 碳化硅MOSFET器件是一種半導體器件,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數,以確定電子設備是否正常工作。碳化硅MOSFET器件可以用于各種電子設備,如電源、電路板、電腦、汽車電子系統等。
2023-02-15 16:05:25
1242 碳化硅MOSFET技術是一種半導體技術,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數,以確定電子設備是否正常工作。碳化硅MOSFET技術的關鍵技術包括結構設計、材料選擇、工藝制程、測試技術等。
2023-02-15 16:19:00
9856 與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯開關,從而提供了簡化和可靠的系統布局。 隨著新行業和產品采用電子和半導體,設計師和制造商正在尋找改進和更智能
2023-02-20 15:51:55
3 圓(前端工藝)。碳化硅晶圓再經過劃片封裝測試(后段工藝)就變成了我們現在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:11
3177 
和碳化硅MOSFET。第三代半導體涵蓋SiC碳化硅二極管,SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊,SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:47
3720 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。
在眾多半導體器件中,碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:56
5771 在半導體材料領域,碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53
1209 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:15
2612 碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:45
3686 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29
1898 
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26
2764 
目前,全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計,2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元,該數據包括多家上市公司,如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37
2134 
碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23
3791 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料,在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18
4060 共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效,高
2024-02-21 18:24:15
2726 
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導體材料,其制造工藝涉及多個復雜步驟,以下是對SiC制造工藝的詳細介紹: 原材料選擇與預處理 SiC生產的基礎在于原材料的精選。多用純凈
2024-11-25 16:32:27
6212 碳化硅(SiC)在半導體產業中的發展呈現出蓬勃的態勢,其獨特的物理和化學性質使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅在半導體產業中發展的分析: 一、碳化硅的基本特性 碳化硅是一種無機物
2024-11-29 09:30:05
1573 基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級拓撲實測效率高于進口器件
2025-01-13 09:58:29
1463 
碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:35
2665 隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球對高效能、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件,以其優越的性能在功率電子領域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:29
1400 隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:44
1053 
國產碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用
2025-04-02 11:40:19
0 BASiC基本股份半導體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關斷損耗(Eoff)特性,在以下應用中展現出顯著優勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31
741 
SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮:國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC碳化硅功率半導體企業的崛起與技術突破 1.1 國產SiC碳化硅功率半導體企業從Fabless
2025-06-07 06:17:30
911 基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用 一、引言 在電力電子技術飛速發展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動高效能電力轉換的關鍵器件
2025-06-10 08:38:54
832 
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:14
1293 
基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊,產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術,在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上,通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感,使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03
981 
如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 在我之前的文章里我曾有跟大家分享過典型功率器件的基本概念,又引出碳化硅MOSFET的基本驅動電壓要求,碳化硅MOSFET在驅動設計上和傳
2025-11-21 08:26:15
329 
博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及分銷商,產品
2025-12-12 14:14:06
565 SiC碳化硅MOSFET功率半導體銷售培訓手冊:電源拓撲與解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備和新能源
2025-12-24 06:54:12
347 
評論