Pcore6 HPD Mini

基本半導(dǎo)體汽車級Pcore6 HPD Mini封裝碳化硅MOSFE模塊是一款專為新能源汽車主驅(qū)逆變器設(shè)計的高性能、高功率、小型化的功率模塊。
該模塊采用創(chuàng)新HPD Mini封裝,搭載基本半導(dǎo)體自研第三代車規(guī)級碳化硅MOSFET芯片(提供750V/1200V/1400V電壓規(guī)格),結(jié)合Si?N? AMB陶瓷基板與橢圓PinFin散熱結(jié)構(gòu),全面適配400V、800V及千伏系統(tǒng)的電壓平臺,覆蓋80kW~200kW功率范圍,為高效高可靠的主驅(qū)電控系統(tǒng)提供核心技術(shù)支撐。
產(chǎn)品拓撲

產(chǎn)品特點
小型化、高集成設(shè)計
封裝體積較標準HPD封裝縮減20%,顯著提升系統(tǒng)集成效率,適配空間受限的精密電驅(qū)應(yīng)用場景。
卓越能效、性能升級
搭載基本半導(dǎo)體第三代自研車規(guī)級碳化硅芯片,體二極管完成反向恢復(fù)優(yōu)化,開關(guān)損耗顯著減少。
車規(guī)可靠、高效耐久
支持175℃高溫下持續(xù)穩(wěn)定運行,滿足高溫工況下的嚴苛要求。
芯片采用先進銀燒結(jié)和DTS(Die Top System)連接工藝,提升模塊的功率循環(huán)與熱循環(huán)能力,確保長期可靠性。
整體模塊抗振動性能符合AQG324最新標準,適應(yīng)車輛行駛中的復(fù)雜機械應(yīng)力環(huán)境。
應(yīng)用領(lǐng)域
新能源汽車主驅(qū)逆變器
馬達控制器
關(guān)于基本半導(dǎo)體
深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司是中國第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳,在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團隊,核心團隊由來自清華大學(xué)、中國科學(xué)院、英國劍橋大學(xué)等國內(nèi)外知名高校及研究機構(gòu)的博士組成。
基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù),研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié),核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等,性能達到國際先進水平,服務(wù)于電動汽車、風光儲能、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。
基本半導(dǎo)體是國家級專精特新“小巨人”企業(yè),承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心,是國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一,獲批中國科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9659瀏覽量
233465 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3464瀏覽量
52326 -
基本半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
112瀏覽量
11320
原文標題:新品速遞 | 應(yīng)用于新能源汽車的Pcore?6 HPD Mini碳化硅MOSFET模塊
文章出處:【微信號:基本半導(dǎo)體,微信公眾號:基本半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹
商用車電驅(qū)動SiC模塊選型返璞歸真:從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場報告
SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電源拓撲與解析
簡單認識博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
半導(dǎo)體碳化硅(Sic)模塊并聯(lián)驅(qū)動振蕩抑制方法的詳解;
固態(tài)變壓器(SST)戰(zhàn)略藍圖與硬件重構(gòu):國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體的崛起之路
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢
先進碳化硅功率半導(dǎo)體封裝:技術(shù)突破與行業(yè)變革
基本半導(dǎo)體汽車級Pcore6 HPD Mini封裝碳化硅MOSFE模塊介紹
評論