在22nm，或許是16nm節點，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭論的焦點在于究竟該采用哪一種技術。這場比賽將關乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發中，業界都爭先
2012-03-06 10:08:16
2292 若采用完全耗盡型SOI（FDSOI）技術，無需使晶體管立體化便可繼續推進SoC微細化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導體制造技術和設計技術，因此無需很多成本即可繼續推進微細化（
2012-12-24 08:30:263228 Samsung 5 日宣佈正式量產全球首款採用 10nm 制程生產的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個量產 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業界領先。
2016-04-06 09:04:56893 隨著半導體制造工藝的提升，晶體管密度提升越來越困難，摩爾定律的存廢也引起了很大的爭議。14nm工藝的延期打亂了Intel的Tick-Tock戰略，后面的產品也不得不跟著變化，首款14工藝產品
2017-01-02 21:14:081298 該成果利用具有優異液相分散性的石墨烯納米帶，實現了超凈單電子晶體管的制備，為進一步研究液相石墨烯納米帶的自旋態和拓撲態提供了可能。
2023-02-16 12:03:11964 其實早在2002年Intel即發現了這一技術，一直處于試驗演示階段，現在終于把它變成了現實，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數量將達到10億。
2020-04-07 09:01:21
很多晶體管組成的。芯片制程是指在芯片中，晶體管的柵極寬度。因為在整個芯片中，晶體管的柵極是整個電路中最窄的線條。如果柵極寬度為10nm，則稱其為10nm制程。納米數越小，比如從10nm到 7nm，就可以
2019-12-10 14:38:41
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
，發射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
碳納米纖維是指具有納米尺度的碳纖維，依其結構特性可分為納米碳管即空心碳納米纖維和實心碳納米纖維。
2019-09-20 09:02:43
今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。核心指標方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方...
2021-07-20 06:51:04
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
與銷售集團總裁Stacy Smith英特爾公司執行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
。這場戰役兩家大廠互有消長，首先是三星的14nm較臺積電的16nm搶先半年投入量產，因兩家大廠的鰭式晶體管(FinFET)設計也確有雷同之處，后續又衍生了競業禁止官司訴訟等故事，無論如何，最終臺積電還是
2018-06-14 14:25:19
提高了器件的性能。據IMEC的研究，叉片晶體管相比納米片晶體管可以實現約10%的性能提升。
叉片晶體管被認為是未來1nm及以下技術節點的有力候選架構。它能夠將納米片晶體管的可微縮性進一步延伸，為半導體
2025-06-20 10:40:07
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度，晶體管可用于各種數字和模擬功能，包括放大器、開關、穩壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產品的出現。 在許多透明電子系統中，晶體管都是至關重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導電氧化物材料制成。 不過，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
MOSFET顯示出令人反感的短通道效應。 將柵極長度（Lg）縮小到90 nm以下會產生明顯的漏電流，而在28 nm以下，漏電流過大，使晶體管失效。因此，隨著柵極長度的縮小，抑制關斷狀態泄漏至關重要。 提高
2023-02-24 15:25:29
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業內最重要的代工企業臺積電、三星和GF（格羅方德），在半導體工藝的發展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
小弟想問，有誰可以告訴我。晶體管transistor part number(UTC MCR101L 6UDA)是NPN 還是PNP。如果找不到同一樣的晶體管(transistor)那我該買什么晶體管(transistor)來替換。急求。。。。。。。答案。。。。。
2011-06-21 13:38:28
判斷為不合格。正確觀點A：首先為了啟動數字晶體管，加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B：漸漸降低電壓，到規格書規定的3V時停止。因仍保持ON狀態，故該產品為合格。C：如果繼續降低基極電壓，不能完全保持
2019-04-09 21:49:36
：首先為了啟動數字晶體管，加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B：漸漸降低電壓，到規格書規定的3V時停止。因仍保持ON狀態，故該產品為合格。C：如果繼續降低基極電壓，不能完全保持ON狀態，而向OFF狀態
2019-04-22 05:39:52
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導體之一，普渡大學通過這種材料做出了全球首款3D環繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔起原本半導體的職責，而納米碳管則負責控制邏輯門中電子的流向。眼下，這一研究還停留在初級階段，畢竟在14nm的制程下，一個模具上就有超過10億個晶體管，而要
2016-10-08 09:25:15
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
，越往下線寬越窄，越靠近器件層。 這是CPU的截面視圖，可以清晰的看到層狀的CPU結構，芯片內部采用的是層級排列方式，這個CPU大概是有10層。其中最下層為器件層，即是MOSFET晶體管
2020-07-07 11:36:10
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
英飛凌科技公司（Infineon），設在慕尼黑的實驗室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發出全球最小的納米晶體管，其溝槽長度僅為18納米，幾乎是當前最先進的晶
2006-03-11 22:10:391263 晶體管（transistor）
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5納米工藝的四核處理器已能容納8億個晶體管
2009-11-05 10:34:251669 愛爾蘭科學家開發出業內首款非節型晶體管
愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學家最近宣稱他們成功制出了業內首款非節型晶體管，并稱此項發明對10nm級別制程意義重大
2010-02-24 10:08:25839 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結構如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 Intel在微處理器晶體管設計上取得重大突破，沿用50多年的傳統硅晶體管將實現3D架構，一款名為Tri-Gate的晶體管技術得到實現。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統
2011-10-25 09:35:401712 來自IBM、蘇黎世理工學院和美國普渡大學的工程師近日表示，他們構建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:291105 IBM目前官方宣布已經發展低于10nm以下的9nm制程電晶體技術，并以碳元素為主要材質。
2012-02-09 09:50:301950 根據最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個芯片上集成了上萬個9nm制程工藝的晶體管，相信大家對于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來越小，CPU內存等
2012-11-08 10:28:184009 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術。
2013-02-20 23:04:308361 斯坦福大學發布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會走到道路的盡頭。晶體管越做越小，以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來展示硅的特性。
2013-02-28 09:34:492328 據英國學術雜志《自然》報道，斯坦福大學研發人員開發出了全球首臺基于碳納米晶體管技術的計算機，并已經成功測試運行，這表明人類未來在開發新型電腦設備時有望擺脫對硅晶體技術的依賴。
2013-09-26 09:08:296466 米特拉表示，“如果利用碳納米管晶體管取代硅晶體管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:541290 為什么說7nm是物理極限?縮短晶體管柵極的長度可以使CPU集成更多的晶體管或者有效減少晶體管的面積和功耗，并削減CPU的硅片成本。不過這種做法也會使電子移動的距離縮短，容易導致晶體管內部電子自發通過
2016-10-10 16:49:396418 英特爾此前已經談論過多次 10 納米的 Cannon Lake 芯片了，超級10nm領先一切對手,性能升25%功耗降45%,英特爾已經有能力在1平方毫米中塞下1億個晶體管，絕對是行業歷史上史無前例的。
2017-04-05 18:01:142446 IBM宣布在晶體管的制造上獲得了巨大的突破，運用最新工藝研制出了300億個5納米晶體管。和10nm芯片對比同等效率下，5納米芯片可以節省74%電能。
2017-12-27 12:39:191370 作為科技行業著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm制程已經跳票三年之久，每當一款新的處理器發布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091 由于晶體管制造的復雜性，每代晶體管制程針對不同用途的制造技術版本，不同廠商的代次間統計算法也完全不同，單純用代次來比較并不準確。根據目前業界常用晶體管密度來衡量制程水平，英特爾最新10nm制程的晶體管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。
2018-07-10 16:31:004668 
Cannonlake架構的Core i3-8121處理器，通過分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達到了100MTr/mm2，是14nm節點的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
2018-06-14 11:08:006886 無疑這收獲了業界潮水般的質疑，為何其10nm一直難以出師？有分析稱，10nm工藝之難產的一個關鍵是最初指標定的太高。相比14nm工藝，10nm工藝的晶體管密度是前者的2.7倍，也就是2.7x的縮放
2018-12-18 10:37:333103 現如今，市場上最先進的計算機芯片使用7納米晶體管。中國科學院微電子研究所微電子設備與集成技術領域的專家殷華湘說，他的團隊已經研發出3納米晶體管——相當于一條人類DNA鏈的寬度，在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數百億個這種晶體管。
2019-06-13 16:08:275958 CPU使用數十億個微型晶體管，電子門打開和關閉以執行計算。晶體管越小，所需的功率就會越小。7nm和10nm是這些晶體管尺寸的測量尺寸。nm是納米和微小長度的縮寫，以此來判斷特定CPU有多強大的有用指標。
2019-08-18 10:02:177884 晶體管是電子計算行業的基礎，目前我們使用的多是硅基晶體管，但是隨著摩爾定律逐漸失效，硅基半導體在10nm以下正面臨各種困難。在新一代晶體管技術中，碳納米管被視為理想的材料，日前美國麻省理工的科學家用14000個晶體管成功制作了16位處理器，并運行了一段程序。
2019-08-29 17:23:084590 據Digitimes報道稱，Intel正在加速獨顯的發布速度，旗下首個10nm獨立顯卡“Xe”預計將于2020年年中推出。
2019-10-21 14:59:28948 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0015286 目前全球最先進的半導體工藝已經進入 7nm，下一步還要進入 5nm、3nm 節點，制造難度越來越大，其中晶體管結構的限制至關重要，未來的工藝需要新型晶體管。
2019-12-10 15:40:497723 近日，中科院對外宣布，中國科學家研發出了新型垂直納米環柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術候選。這意味著此項技術成熟后，國產2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。
2020-01-15 09:40:329726 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 但是，這并不代表著對碳納米管半導體技術的研發會一帆風順。1998年首個碳納米管晶體管研發至今，碳納米管半導體技術一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來，最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 。 目前，臺積電的最新制造工藝是其第一代5納米工藝，該工藝將用于為iPhone 12等設備構建處理器。 臺積電的2nm工藝將采用差分晶體管設計。該設計被稱為多橋溝道場效應（MBCFET）晶體管
2020-09-25 17:08:151991 眾所周知，臺積電的2nm工藝將采用差分晶體管設計。該設計被稱為多橋溝道場效應（MBCFET）晶體管，它是對先前FinFET設計的補充。
2020-09-26 10:31:121737 全環繞柵極晶體管的出現滿足了以上所有需求，從而允許摩爾定律在5納米之后進一步前進。首先其生產工藝與鰭式晶體管相似，關鍵工藝步驟幾乎一樣（這點我們會在之后的文章中進一步講解）。其次，全環繞柵極晶體管
2020-09-29 13:54:394508 Intel正在各個領域實現從14nm向10nm的過渡：輕薄本上代還是14/10nm混合，現在已經完全是10nm；游戲本、服務器馬上就都會首次嘗鮮10nm；桌面則要等到明年底的12代最終實現交接。
2020-12-07 10:00:072568 隨著Tiger Lake處理器的量產，Intel的10nm工藝已經解決了產能、性能等問題，現在使用的是10nm SuperFin（以下簡稱10nm SF）工藝，下半年則會有更新的增強版10nm SF工藝，12代酷睿會首發。
2021-01-14 09:48:283786 
研究人員尋求通過在納米管和晶體管柵極之間，使用更薄的絕緣體來更好地控制碳納米晶體管。 ? 在 近日的IEEE Electron Devices Meeting (IEDM)會議上，碳納米管期間
2021-01-16 09:40:083366 過時。IBM?在 2021?年就證明了這一點，其突破性的 2?納米芯片技術顛覆了市場。這個新的制造時代得益于減少芯片納米的競賽。? 今天，晶體管的標準長度是10納米，而且隨著最新研究，頂級公司已經生產了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35743 在 2nm 和3nm，領先的代工廠及其客戶最終將遷移到稱為納米片 FET 的 GAA 晶體管類型。GAA FET 以比 finFET 更低的功率提供更高的性能，但它們的設計和制造成本更高。
2022-03-25 14:18:452161 目前，IBM已開發出全球首個2nm芯片，這種新型2nm芯片所體現的IBM創新對整個半導體和IT行業至關重要，能夠在指甲大小的芯片上容納多達500億個晶體管，在半導體設計上實現了重大的突破。
2022-06-24 09:52:422734 在2021年5月份，IBM發布全球首個2nm制程芯片制造技術，全球首顆2nm芯片正式問世。近期，臺積電正式宣布用于生產納米片晶體管架構的2nm芯片，預計在2025年量產，三星電子也已經開始大規模生產3nm芯片，2nm將于2025年量產。
2022-06-29 09:38:044361 日前，三星放出了將在6月30日正式量產3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經開始了3nm工藝芯片的量產。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經在韓國華城工廠開始量產。 現在全球
2022-06-30 16:36:272953 現在的芯片技術越來越先進，人們常常能夠聽到某某公司又研發出5nm、4nm芯片的消息，而目前全球所研發出的最先進的芯片是IBM公司的2nm芯片，我們都知道芯片內部有很多晶體管，那么2nm芯片的晶體管
2022-07-04 09:15:365743 IBM宣布已開發出全球首個2nm工藝的半導體芯片,采用三層GAA環繞柵極晶體管技術，首次使用底介電隔離通道，其潛在性能和電池續航能力都將得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561653 碳納米管具有高穩定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發表于《科學》雜志的一篇評論文章中，西北大學的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯網的低成本/低性能電子產品中的機遇和剩余挑戰
2022-11-25 10:03:361999 的NMN910 5G SoC 芯片，也被稱為麒麟9000。 這款芯片集成了49億個晶體管，尺寸為 5 納米，成為了全球首個量產的5nm 5G SoC芯片。這是一個重要的里程碑，它意味著華為已經成為了第一個推出5nm工藝技術的芯片制造商，并且在性能方面達到了全球領先的水平。 首先我們
2023-09-01 16:47:359729 ? 近日，北京大學彭練矛院士/張志勇教授團隊 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術，目前該團隊研發的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:181860 
上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm，是在實際線寬無法大幅縮小的前提下，通過改變晶體管結構的方式縮小晶體管實際尺寸來達到等效線寬的效果那么新的問題來了：從平面晶體管結構(Planar)到立體
2023-12-19 16:29:011396 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現出近乎兩倍的性能提升。這一成就預計將帶來多項技術進步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導致更強大的芯片類別的開發。
2023-12-26 10:12:551206 在其內部移動的時間越短，從而提高開關速度。因此，隨著技術的進步，晶體管的尺寸不斷縮小。例如，從70納米（nm）縮小到現在的7納米。 2. 新材料：研究人員一直在研究新材料，以替代傳統的硅材料，從而提高晶體管的開關速度。例如，
2024-01-12 11:18:222182 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別。
2024-09-13 14:10:009544
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