晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思

晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。耗散功率與晶體管的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關系。硅管的結溫允許值大約為150°C，鍺管的結溫允許值為85°C左右。要保證管子結溫不超過允許值,就必須將產生的熱散發出去.晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。 通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。

如果給晶體管發射結施加征象偏壓，給集電結施加反向偏壓，使晶體管正常工作，那么電源在晶體管總的耗散功率為：.實際使用時，集電極允許耗散功率和散熱條件與工作環境溫度有關, 增加散熱片或增加風冷卻,可提高PCM。所以在使用中應特別注意值IC不能過大，散熱條件要好。

耗散功率和晶體管的熱阻有很大的關系. 而晶體管的熱阻是表征晶體管散熱能力的一個基本參量,該參量對于大功率晶體管的設計,制造和使用尤為重要.所謂熱阻就是單位耗散功率引起結溫升高的度數，其單位為℃/W。可由下面的公式表示:

由熱傳導的途徑，可以把一般晶體管的熱阻分為兩部分，即：

其中的是熱流由管子底座向周圍空氣或其他介質散熱的熱阻，是熱流由集電結至晶體管底座的熱阻。熱阻和晶體管的封裝有很大的關系.可見下圖。

集成電路的熱阻和晶體管的熱阻大至相同. 集成電路(IC)的散熱主要有兩個方向，一個是由封裝上表面傳到空氣中，另一個則是由IC向下傳到PCB板上，再由板傳到空氣中。當IC以自然對流方式傳熱時，向上傳的部分很小，而向下傳到板子則占了大部分，以導線腳或是以球連接于板上的方式，其詳細的散熱模式不盡相同。

封裝熱阻的改善手段主要可透過結構設計、材料性質改變以及外加散熱增進裝置三種方式. 其中影響最大的加裝散熱器,但這會增加制造成本和復雜性。