晶圓代工廠聯電（2303）昨（29）日宣布與IBM簽訂技術授權合約，將以3D架構的鰭式場效晶體管（FinFET），促進次世代尖端20納米CMOS制程的開發，以加速聯電次世代尖端技術的研發時程。

　　根據聯電及IBM的協議，IBM將授權其20納米設計套件以及FinFET技術給聯電，聯電將可運用這些技術，加快推出這些制程給客戶采用的時程。不過聯電表示，雖取得技術授權，但聯電并未加入由IBM主導的半導體技術研發聯盟－通用平臺（Common Platform）。

　　聯電與IBM的合作協議，包括IBM的20納米CMOS制程與FinFET技術。聯電內部自行研發的20納米平面（planar）制程，將與IBM的設計規則與制程/元件目標同步，未來聯電的FinFET技術，將針對行動運算與通訊產品，此研發將于聯電位于南科的研發中心進行。

　　目前全球的半導體廠的技術研發上，英特爾仍執牛耳，量產中的22納米制程已導入「Tri-Gate」的3D晶體管架構。為了追上英特爾腳步，包括臺積電、聯電、IBM、三星、格羅方德（GlobalFoundries）等晶圓代工廠，均投入龐大資金進行3D架構的FinFET技術研發，最快在20納米世代就會開始導入。

　　聯電表示，獲得IBM的技術授權后，聯電20納米制程技術除了平面制程，也會開始導入FinFET技術，且未來聯電與IBM的20納米制程兼容。

　　業者指出，聯電此舉等于20納米制程將與IBM「互通」，過去在IBM及通用平臺聯盟投片的客戶，可以在最短時間轉到聯電投片。而借重IBM的專業技術來縮減聯電20納米與FinFET研發周期，將可為聯電與客戶創造雙贏。