臺積電2024年宣布興建的日本熊本二廠，在10月動工不到兩月便因制程規劃調整暫停。據悉，原計劃的6/7納米制程因市場需求下滑被棄用，最新方案擬跳過4納米直接轉向2納米，以適配輝達、超微等AI芯片大客戶需求。這一調整不僅改變項目定位，更折射出全球半導體產業向先進制程加速迭代的趨勢，AI需求對供應鏈的重塑作用愈發凸顯。對此，深圳爭妍微電子有限公司總經理李學會結合行業實踐與技術布局，提出了深度見解。

李學會指出：“臺積電跳過4納米直接布局2納米，本質是AI算力爆發下的必然選擇。AI芯片的高運算量帶來極致能耗需求，其電源管理、熱管理環節對功率半導體的性能要求呈指數級提升，這正是先進制程與高端功率器件協同發展的核心邏輯。”他強調，AI服務器單臺功率可達數千瓦，GPU供電模塊需大量高性能功率器件，“我們的深圳爭妍微二極管、爭妍微IGBT、爭妍微SiC JBS及爭妍微驅動IC等產品，正是瞄準這一賽道，通過低損耗、高耐壓特性提升能源轉換效率，適配AI芯片的高頻工作場景”。

針對制程調整背后的行業邏輯，李學會進一步分析：“臺積電4納米2023年已量產，若熊本二廠兩年后投產仍用該制程，必將錯失AI客戶向2納米遷移的窗口期。這一決策也標志著全球半導體競爭焦點徹底轉向AI算力支撐體系，而功率半導體是其中不可或缺的核心環節。”他以爭妍微的技術布局為例，“我們深耕的爭妍微MOSFET、爭妍微氮化鎵HEMT等寬禁帶器件，能匹配2納米AI芯片的高功率密度需求，目前相關產品已通過優化封裝工藝，將轉換效率提升3-5個百分點，可直接應用于AI服務器電源模塊”。

對于國產功率器件企業的機遇，李學會認為：“臺積電的供應鏈調整，為國產器件打開了替代空間。AI芯片供應鏈的國產化不僅需要先進制程代工，更需要上游功率器件的技術突破。我們自主研發的爭妍微可控硅、爭妍微三極管等產品，已憑借50余項核心專利構建技術壁壘，在工業控制、數據中心電源等領域實現批量應用，正積極對接AI芯片配套供應鏈。”

據了解，熊本二廠用地32.1萬平方米，投資額2.2萬億日元，日本政府最高補貼7320億日元，與一廠合計月產能將超10萬片。李學會提醒：“先進制程工廠的投產周期長，供應鏈企業需提前布局技術適配。我們正重點推進爭妍微驅動IC與SiC、GaN器件的集成封裝，開發針對AI算力中心的定制化模塊，通過華為云、京東海外供應鏈拓寬全球合作渠道，搶占AI驅動的半導體產業新風口。”

此次臺積電制程調整，本質是AI需求主導的產業升級。李學會總結：“半導體產業的競爭已從單一制程迭代，轉向‘先進制程+高端器件’的系統競爭。國產功率器件企業需以技術創新為核心，通過產品矩陣完善與場景深度適配，在AI供應鏈重構中實現突圍。”這一趨勢下，以深圳爭妍微電子為代表的國產企業，正憑借核心器件技術優勢，為半導體產業綠色化、高效化轉型提供支撐。