電子發燒友網報道(文/黃晶晶)2025年下半年,存儲芯片、封測等產業鏈企業的上市進程明顯加速。不僅有跨界、還有行業巨頭IPO,以及存儲廠商重啟IPO等等。電子發燒友網對近期存儲企業相關上市動向進行了
2025-10-27 09:07:44
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牽引變流器是地鐵列車的核心裝備,其技術復雜、可靠性要求高。地鐵列車牽引變流器主要采用IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)變流技術。為牽引變流器設計一款性能可靠、穩定的IGBT驅動控制電源是保證牽引變流器可靠、穩定運行的一個重要環節。
2026-01-04 14:06:44
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深入解析ACPL - 355JC:10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅動光耦合器 在電力電子領域,IGBT和SiC MOSFET作為關鍵的功率開關器件,其可靠驅動至關重要。今天我們要詳細探討
2025-12-30 15:40:03
278 R2A25110KSP:智能IGBT驅動的理想之選 在高壓逆變器應用領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的驅動和保護至關重要。R2A25110KSP作為一款智能功率器件,專為IGBT柵極驅動而設
2025-12-29 16:00:06
72 探索GD3162:先進IGBT/SiC柵極驅動器的卓越性能 作為電子工程師,在設計xEV牽引逆變器時,選擇合適的柵極驅動器至關重要。今天,我們就來深入了解一下NXP的GD3162——一款先進的單通道
2025-12-24 14:25:02
222 近日,全球領先的光伏企業晶科能源與瑞士分銷客戶成功簽署10.04MW飛虎3(Tiger Neo 3.0)高效光伏組件供貨協議。飛虎3憑借卓越的弱光發電表現、對多元化應用場景的廣泛適配性,不僅完美契合
2025-12-23 17:37:14
522 6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器是驅動功率半導體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02
655 隨著電力電子技術的飛速發展,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)在電機控制、逆變電源等領域得到了廣泛應用。為了實現高效、穩定的IGBT驅動,AT314光耦作為一種優秀的隔離器件,在IGBT驅動電路中發
2025-12-15 13:28:04
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高壓浮動電流驅動芯片主要用于驅動半橋或全橋電路中的高壓側(上管)開關器件(如MOSFET或IGBT)。其核心工作原理是通過?自舉懸浮供電技術?,為高壓側驅動電路提供浮動的、穩定的電源,從而實現對高壓側器件的可靠驅動。?
2025-12-12 10:50:08
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近日,國內領先的車規SoC芯片廠商上海泰矽微(Tinychip Micro)宣布推出TClux 系列車規多通道LED驅動芯片TCPL07/08/17/18,全面覆蓋汽車多通道LED照明應用場
2025-12-10 10:43:52
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在電力電子領域,IGBT和MOSFET作為關鍵的功率開關器件,其驅動電路的性能對整個系統的效率和可靠性起著至關重要的作用。今天,我們就來詳細探討一下安森美(onsemi)推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅動器。
2025-12-09 09:37:55
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有專用輸出三相、適配變頻器的驅動信號芯片,主流分三類:高壓柵極驅動器(如IR2130)、集成FET的三相驅動器(如DRV8376)、集成MCU的SIP方案(如STSPIN32F0A),按需選擇即可
2025-12-08 03:54:37
在電子工程領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的應用極為廣泛,而其柵極驅動器的性能對整個系統的穩定性和效率起著關鍵作用。今天我們就來深入探討安森美(onsemi)的NCx575y0系列隔離式雙通道IGBT柵極驅動器,包括NCD57530、NCV57530、NCD57540和NCV57540這幾款產品。
2025-12-05 11:18:25
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在電力電子領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)廣泛應用于太陽能逆變器、電機控制和不間斷電源等大功率應用中。而IGBT的可靠驅動對于整個系統的性能和穩定性至關重要。今天,我們就來深入了解一下ON Semiconductor推出的NCD5703A、NCD5703B和NCD5703C這三款高性能IGBT門極驅動器。
2025-12-02 15:16:57
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在電力電子設計領域,IGBT和MOSFET作為關鍵的功率開關器件,其驅動電路的性能直接影響著整個系統的效率和可靠性。今天,我們就來深入探討一下安森美(onsemi)推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅動器。
2025-12-01 14:29:16
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在電力電子領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為關鍵的功率開關器件,被廣泛應用于各種高功率場景。而IGBT門極驅動器的性能,直接影響著IGBT的開關特性和系統的整體性能。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)推出的NCx5710y系列高電流單通道IGBT驅動器。
2025-12-01 14:24:47
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·新能源發電前景廣闊驅動IGBT增長·工業控制平穩發展支撐IGBT行業需求國產IGBT崛起有望重塑海外寡頭壟斷格局·行業壁壘成為IGBT集中度高的內在因素·海外龍頭主導
2025-11-21 12:21:24
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今天,蘿卜快跑與瑞士領先的公共交通運營商——瑞士郵政旗下的郵政巴士(PostBus)達成戰略合作,將在瑞士推出自動駕駛出行服務“AmiGo”。
2025-10-27 16:07:35
710 國硅集成250V 1.2A單相高低側功率MOSFET/IGBT驅動芯片-G2021 一、產品概述G2021是一組高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道
2025-10-16 15:19:07
添加一個新的芯片廠商到bsp文件夾中(rt-thread-v4.1.0bspxx32),
xx32目錄下的drv文件需要廠商自己開發上傳嗎?
搜了下相關資料,有部分說法是社區開發者根據廠商提供的資料來統一開發,是這樣的嗎?
2025-09-25 06:00:42
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,結合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導通壓降優勢?。
2025-09-20 16:46:22
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分享一個在熱發射顯微鏡下(Thermal EMMI) 芯片失效分析案例,展示我們如何通過 IV測試 與 紅外熱點成像,快速鎖定 IGBT 模組的失效點。
2025-09-19 14:33:02
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變頻器驅動IGBT的時 檢測gnd與機殼的波形會疊加一個igbt驅動頻率在上面,請問各位大神 這個是什么原因引起的
2025-09-11 14:54:07
Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅動器是一款電流隔離式柵極驅動器,設計用于工作電壓高達2121V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先進的保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。該器件具有高達 ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02
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NSG21867國硅集成700V大電流高、低側MOSFET/IGBT驅動芯片 一、產品概述NSG21867是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側驅動芯片,具有兩個獨立地傳輸通道
2025-09-04 15:20:36
國硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機驅動芯片一、概述NSG2153D是一款高壓、高速功率MOSFET自振蕩半橋驅動芯片。NSG2153D其浮動通道可用于驅動高低側N
2025-09-04 10:10:41
該TPS65563A為充電光電閃光燈電容器和帶有絕緣柵雙極傳輸 (IGBT) 驅動器的閃光氙管提供了完整的解決方案。該器件具有集成基準電壓源、電源開關 (SW)、用于峰值電流檢測/功率軟件導通檢測/充電完成檢測的比較器、一個 IGBT 驅動器以及用于充電應用/驅動 IGBT 應用的控制邏輯。
2025-09-03 11:07:13
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一、引言 在 IGBT 模塊的可靠性研究中,鍵合線失效是導致器件性能退化的重要因素。研究發現,芯片表面平整度與鍵合線連接可靠性存在緊密關聯。當芯片表面平整度不佳時,鍵合線與芯片連接部位易出現應力集中
2025-09-02 10:37:35
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需求,是理想之選。它可同時為系統中的 MCU 與 IGBT 驅動電路提供穩定且電氣隔離的電源,即便處于寬輸入電壓范圍波動、復雜負載工況等條件下,依然能夠確保系統持續保持優異的運行性能。
核心特性一覽
寬
2025-09-02 09:04:58
一、引言 IGBT 模塊在現代電力電子系統中應用廣泛,其散熱性能直接關系到系統的可靠性與穩定性。接觸熱阻作為影響 IGBT 模塊散熱的關鍵因素,受到諸多因素影響,其中芯片表面平整度不容忽視。研究二者
2025-09-01 10:50:43
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將成為公司全資子公司,納入公司合并報表范圍。 必易微成立于2014年,聚焦于電源管理和電機驅動芯片的研發、設計和銷售,主要產品包括LED照明驅動控制芯片、通用電源管理芯片、家電及IOT電源管理芯片、電機驅動控制芯片等。2022年5月26日,電源
2025-08-31 07:28:00
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Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器,設計用于驅動EV/HEV應用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22
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Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅動器設計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。
2025-08-27 15:17:20
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,對散熱效果有顯著影響,進而可能關聯到 IGBT 的短路失效機理。 IGBT 工作時,電流通過芯片產生焦耳熱,若熱量不能及時散發,將導致芯片溫度升高。良好的散熱可使 IGBT 保持在適宜工作溫度,確保性能穩定。IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差時,
2025-08-26 11:14:10
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,IGBT 芯片表面平整度與短路失效存在密切關聯,探究兩者的作用機理對提升 IGBT 可靠性具有重要意義。 二、IGBT 結構與短路失效危害 IGBT 由雙極型晶體管和 MOSFET 組合而成,其芯片表面通常包含柵極氧化層、源極金屬層等多層結構。短路失效時,過大的電流
2025-08-25 11:13:12
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開關電源應用中的首選。而IGBT柵極驅動器作為控制和驅動IGBT的核心器件,其重要性愈發顯著。IGBT柵極驅動器的結構剖析1.輸入端:信號接收的關鍵IGBT柵極驅動
2025-08-12 14:42:49
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絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在電機驅動和電器控制等多種工業領域中廣泛應用。IGBT在具有更低的開關損耗的同時,還要同時具備一定的抗短路能力。短路時,如果發生短路振蕩(SCOs)現象,IGBT的抗
2025-08-07 17:09:25
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IGBT模塊GE間驅動電壓可由不同地驅動電路產生。
2025-07-31 09:41:29
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2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅動產品線。 2153X浮動通道可用于驅動高低側N溝道功率MOSFET/IGBT,浮地通道最高工作電壓可達600V。內置死區保護電路,可以有效防止高低側功率管直通。2153X全系列內置自舉電路,可以簡化芯片外圍電路。
2025-07-28 14:02:55
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新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達克股票代碼:SNPS)今日宣布完成對Ansys的收購。該交易于2024年1月16日宣布,旨在整合芯片設計、IP核以及仿真與分析領域的領先企業,助力開發者
2025-07-18 10:28:34
781 SM9001電磁爐IGBT驅動芯片應用原理圖
2025-07-17 15:34:16
3 從事IGBT應用電路設計的工程技術人員在實際設計工作中參考。
全書共分為6章,在概述了IGBT的發展歷程與發展趨勢的基礎上,講解了IGBT的結構和工作特性、IGBT模塊化技術、IGBT驅動電路設計
2025-07-14 17:32:41
IGBT以發射極電壓為基準電位驅動。開關動作時,上橋臂IGBT的發射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中,要開通上橋臂IGBT時,需要對門極施加300V加15V,合計315V的母線電壓。因此,需要不受開關噪聲干擾影響的上橋臂驅動電路。
2025-07-03 10:46:04
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電子發燒友網站提供《QCPL-329J 0.6 安培輸出電流IGBT門級驅動器光電耦合器數據手冊.pdf》資料免費下載
2025-06-24 15:30:52
15 直接影響到系統的效率和可靠性。然而,IGBT的高頻、高壓工作特性和對驅動電路的復雜要求,使得許多工程師在實際應用中面臨諸多挑戰:精確控制:IGBT的開關速度和損耗管理需
2025-06-20 17:10:12
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IGBT的柵極電壓可通過不同的驅動電路來產生。這些驅動電路設計的優劣對IGBT構成的系統長期運行可靠性產生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化通態損耗,同時還要限制短路電流和功率應力,正向柵極電壓必須控制在適當范圍內。
2025-06-12 09:55:42
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電子發燒友原創 章鷹 6月6日,美國芯片大廠AMD宣布收購加拿大AI推理芯片公司Untether AI。這是AMD公司在短短八天之內完成的第三筆收購。Untether AI即日起將終止對旗下
2025-06-08 07:01:00
6000 
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯混合驅動逆變器設計的關鍵要素
2025-06-06 08:25:17
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一、產品概述
型號 :FZH165-COG
廠商 :深圳市方中禾科技有限公司(Premier Chip Limited)
功能 :專為驅動 280 段LCD (35 SEG × 8 COM
2025-06-05 16:31:54
純分享帖,需要者可點擊附件免費獲取完整資料~~~*附件:矩陣變換器驅動異步電機模糊自適應PI控制.pdf【免責聲明】本文系網絡轉載,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請第一時間告知,刪除內容!
2025-06-04 14:46:47
ADuM4135是一款單通道柵極驅動器,專門針對驅動絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進行了優化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術在輸入信號與輸出柵極驅動器之間實現隔離
2025-06-04 09:52:24
1083 
ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅動進行優化的單通道柵極驅動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術在輸入信號和輸出柵極驅動器之間實現隔離。
2025-05-30 14:14:44
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ADuM4137^1^ADuM4138 是一款已專門針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅動進行優化的單通道柵極驅動器。ADI 公司的 **i**Coupler*^?^* 技術在輸入信號和輸出柵極
2025-05-30 10:32:44
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電子發燒友網綜合報道,5月20日晚間,杰華特發布公告稱,公司和全資子公司杰瓦特微電子(杭州)有限公司計劃擬以合計3.19億元,直接和間接收購南京天易合芯電子有限公司(簡稱“天易合芯”)合計40.89
2025-05-25 01:18:00
1484 部分IGBT模塊廠商失效報告作假的根本原因及其對中國功率模塊市場的深遠影響,可以從技術、商業、行業競爭等多維度分析,并結合中國功率模塊市場的動態變化進行綜合評估: 一、失效報告作假的根本原因 技術
2025-05-23 08:37:56
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隨著新能源汽車、工業自動化、可再生能源的快速發展,IGBT的市場需求持續增長。聞泰科技半導體業務積極布局IGBT領域,迎接廣闊發展機遇,為未來增長提供動力。
2025-05-14 09:51:23
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MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片,SiC功率模塊驅動板,驅動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向,致力于服務中國工業電源,電力電子裝備及新能源汽車產業鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可
2025-05-06 09:48:47
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技術驅動未來:2QD30A17K-I-xx雙通道IGBT驅動核深度解析 在電力電子領域,IGBT驅動器的性能直接決定了系統效率、可靠性與安全性。基本半導體子公司-深圳青銅劍技術有限公司推出
2025-05-03 10:29:24
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中國電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國外IGBT模塊失效報告廠商造假的事件,是中國技術實力與產業鏈話語權提升的標志性案例。通過技術創新與嚴謹的科學態度,成功揭露了國外廠商在IGBT
2025-04-27 16:21:50
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開關電源應用中的首選。而IGBT柵極驅動器作為控制和驅動IGBT的核心器件,其重要性愈發顯著。IGBT柵極驅動器的結構剖析1.輸入端:信號接收的關鍵IGBT柵極驅動
2025-04-27 15:45:02
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如何判斷瑞士固特UPS電源的故障信號GUTOR ELECTRIC LIMITED瑞士固特電子有限公司
瑞士固特(Gutor)UPS電源以其高可靠性和精密設計聞名,廣泛應用于數據中心、醫療設備
2025-04-25 15:33:53
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CS57302/CS57303是一款高壓高速功率半橋驅動電路,主要應用于驅動 N 型 MOS或 IGBT 功率器件的應用系統。
2025-04-23 17:05:03
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美國芯片制造商安森美(Onsemi)周一終止了以 69 億美元收購規模較小的競爭對手 Allegro MicroSystems 的報價,結束了長達數月的競購,安森美希望利用市場低迷來擴大其在汽車行業
2025-04-15 18:27:58
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在探討電機控制中IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)驅動為何需要隔離的問題時,我們首先要了解IGBT的基本工作原理及其在電機控制中的應用,進而分析隔離技術在其中的重要性。 IGBT是一種結合了MOS柵器件
2025-04-15 18:27:45
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此前,4月1日至2日,比亞迪在瑞士舉辦品牌上市發布會,正式進入瑞士市場。比亞迪為當地用戶帶來的首批車型包括海豹(BYD SEAL)、海獅07EV(BYD SEALION 7)和宋PLUS DM-i(SEAL U DM-i),覆蓋了純電動和插電式混合動力兩種動力模式,為當地用戶綠色出行提供多樣選擇。
2025-04-08 15:51:53
750 如下是一款具有IGBT保護的驅動芯片,其如何檢測并判斷IGBT故障,并且在什么情況下觸發該故障?
尤其是在一類短路和二類短路時是否應該觸發,具體如何檢測?
2025-04-05 20:16:16
飛兆半導體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產品族)。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17
請問有沒有LED驅動芯片類似的芯片用來驅動單個LD照明?電流可能要到10A以上,如果沒有的話是不是必須用精密運放來設計驅動電路?
2025-03-25 06:40:08
隨著功率半導體IGBT,SiCMOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A
2025-03-24 17:43:40
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MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動器。浮動溝道驅動器可用于獨立驅動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT,工作電壓最高可達300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:02
0 芯朋微代理商高低側柵極電機驅動芯片-PN7114 一、概述PN7114是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動芯片,其具有獨立的高低側輸出通道。PN7114浮地通道能在600V
2025-03-18 14:28:16
電子發燒友網站提供《IGBT驅動設計資料.zip》資料免費下載
2025-03-17 17:58:55
4 芯朋微高壓高低側柵極電機驅動芯片- IS5S609 一、概述 ID5S609電機驅動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片。其浮
2025-03-17 11:09:55
在電力電子的廣闊領域中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,其性能優劣直接關乎整個系統的運行效率與穩定性。而功耗問題,始終是IGBT應用中不可忽視的關鍵環節。今天,就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
2025-03-14 09:17:52
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芯朋微授權代理商大電流半橋電機驅動芯片-ID5S606B 一、概述ID5S606B是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT電機驅動芯片。其浮地通道能工作在600V
2025-03-13 17:25:18
瑞士GUTOR固特PEW系列ups-瑞士固特電子有限公司在現代企業運作中,UPS(不間斷電源)系統作為電力保障的重要組成部分,越來越受到重視。而瑞士GUTOR固特PEW系列UPS憑借其卓越的性能
2025-03-10 16:01:57
瑞士GUTORUPS電源PEW1030-220/220-EN-總代理瑞士固特電子有限公司隨著科技的迅速發展,穩定可靠的電源解決方案變得愈加重要。在這一領域,瑞士GUTORUPS電源
2025-03-10 15:40:58
EVASH芯片公司接入DeepSeek:AI驅動的芯片設計革新
2025-03-03 17:45:24
876 驅動器IC——BridgeSwitch系列。同時,為了提升開發人員的開發效率、降低開發門檻,PI還推出了電機驅動軟件 MotorXpert。就在近期
2025-02-24 00:45:00
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恩智浦半導體公司近日宣布,已正式簽署最終協議,將收購高性能、低功耗且可編程離散神經處理單元(NPU)供應商Kinara。此次收購將顯著增強恩智浦在邊緣人工智能(AI)領域的技術實力。
2025-02-18 14:29:22
1246 (每個IGBT開關) Rthch per FWD(每個FWD開關)或Rthch per module(每個模塊) IGBT/FWD芯片尺寸越大,Rthjc值越小;模塊尺寸越大,Rthch值越小;散熱器
2025-02-14 11:30:59
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基本股份)在成本上逐漸與進口IGBT模塊持平。這推動了國產SiC模塊在國內市場的廣泛應用,加速了對進口IGBT模塊的替代進程。 通過優化驅動電壓和電路設計,可以充分發揮SiC模塊的優勢,同時避免因驅動問題導致的性能下降或可靠性問題。 傾佳電子楊茜致力于推動
2025-02-13 19:19:52
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據報道,軟銀集團正就收購 Ampere Computing LLC 進行深入磋商,距離達成收購協議已越來越近。此次交易若成功,對甲骨文公司投資的這家芯片設計公司的估值可能約 65 億美元,包含債務
2025-02-07 16:43:28
880 用MSN4688驅動IGBT的經典的電路
2025-02-07 14:13:46
9 2月5日晚間,中國紡織機械巨頭慈星股份發布《關于終止發行股份及支付現金購買資產并募集配套資金暨復牌的公告》, 宣布終止對國產MEMS射頻芯片廠商武漢敏聲的收購 ,經交易相關方商討研究決定終止籌劃本次
2025-02-07 11:01:52
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BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結MOS提供驅動芯片及驅動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應用場景研發推出門極驅動芯片,可適應不同的功率器件和終端應用。BASiC
2025-02-06 11:54:03
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絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為現代電力電子系統中的核心元件,廣泛應用于電機驅動、新能源發電、變頻器和電動汽車等領域。IGBT在工作過程中會產生大量的熱量,如果不能有效地散熱,將會導致器件溫度升高
2025-02-03 14:27:00
1298 IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義: 1.對比不同的IGBT的參數; 2.評估IGBT驅動板的功能和性能; 3.獲取IGBT在開通、關斷過程的主要參數,以評估Rgon
2025-01-28 15:44:00
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上回書(英飛凌芯片簡史)說到,IGBT自面世以來,歷經數代技術更迭,標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2,溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4,表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現今
2025-01-15 18:05:21
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描述HCPL-314J 系列門驅動光電耦合器包含一個 AlGaAs LED, 它與帶有功率輸出級的集成電路進行光電耦合。這些光電耦合器可作為電機控制變頻器應用中驅動功率 IGBT 和 MOSFET
2025-01-08 17:13:24
描述HCPL-J312 門驅動光電耦合器包含一個 AlGaAs LED。 該 LED 與一個功率輸出級集成電路進行光電耦合。它可完美適用于電機控制變頻器應用中使用的驅動功率 IGBT
2025-01-08 11:30:52
描述HCPL-J314 系列門驅動光電耦合器包含一個 AlGaAs LED, 它與帶有功率輸出級的集成電路進行光電耦合。這些光電耦合器可作為電機控制變頻器應用中驅動功率 IGBT 和 MOSFET
2025-01-08 11:17:42
描述HCPL-3020 和 HCPL-0302 門驅動光電耦合器包含一個 GaAsP LED, 它與帶有功率輸出級的集成電路進行光電耦合。這些光電耦合器可作為電機控制變頻器應用中驅動功率 IGBT
2025-01-06 15:51:28
描述HCPL-3150 門驅動光電耦合器包含一個 LED, 它與帶有功率輸出級的集成電路進行光電耦合。此光電耦合器可完美適用于電機控制變頻器應用中使用的驅動功率 IGBT 和 MOSFET。輸出級
2025-01-06 11:48:22
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