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采用SiGe:C BiCMOS工藝技術的射頻/微波產品

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應主辦方邀請 ,法動科技于2025年6月27日-28日,參加在深圳會展中心(福田)舉辦的“IME 2025 深圳 · 第四屆深圳射頻微波及天線技術會議”。
2025-06-30 11:42:23939

無線應用射頻微波電路設計

內容簡介全文共6章。在第1章概述了調制類型及無線收發系統之后,第2章用大量篇幅深入討論二極管、BJT和各類FET的模型及參數提取。第3章中微波放大器設計是本書的重點之,涉及噪聲、寬帶匹配、高功率
2025-06-13 17:46:06

290-00G發射配件連接器現貨庫存:高性能射頻解決方案

290-00G發射配件連接器是SOUTHWEST西南微波推出的一款用作微波射頻技術應用的高性能連接器,主要用于射頻微波元器件等領域,與同系列其他產品型號(如 290-01G、290-02G 等
2025-06-12 08:51:03

Jupiter Microwave:微波頻段通信波導組件領域的領軍制造商

Microwave 以創新為特色,致力于提供先進的波導解決方案,以滿足不斷發展的通信技術需求。公司的產品在全球通信基礎設施中扮演著重要角色,從電話、電視、互聯網到機場安全著陸等場景,都離不開其高性能的射頻系統
2025-05-30 09:22:47

射頻系統先進封裝技術研究進展

通信、雷達和微波測量等領域電子信息裝備迅速發展, 對射頻系統提出了微型化、集成化和多樣化等迫切需求。先進封裝技術可以將不同材料、不同工藝和不同功能的器件進行異質集成, 極大提升了電子產品的功能、集成度和可靠性等方面, 成為推動射頻系統發展的關鍵引擎。
2025-05-21 09:37:451912

半導體刻蝕工藝技術-icp介紹

ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體)刻蝕技術是半導體制造中的一種關鍵干法刻蝕工藝,廣泛應用于先進集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關于ICP
2025-05-06 10:33:063897

MAX2067 50MHz至1000MHz高線性度、可通過串口 模擬控制的VGA技術手冊

MAX2067高線性度、模擬調節可變增益放大器(VGA)是采用SiGe BiCMOS工藝的單芯片衰減器和放大器,針對50MHz至1000MHz頻率范圍的50Ω系統而設計(參見數據資料中的 *典型應用電路* )。利用外部電壓或通過SPI?兼容接口控制片上8位DAC實現衰減器模擬調節。
2025-04-21 14:02:49766

BiCMOS工藝技術解析

一、技術定義與核心特性 BiCMOS(Bipolar-CMOS)?是一種將?雙極型晶體管(BJT)?與?CMOS晶體管?集成在同一芯片上的混合工藝技術,通過結合兩者的優勢實現高性能與低功耗的平衡
2025-04-17 14:13:541532

ADCLK925超快型SiGe ECL時鐘/數據緩沖器技術手冊

ADCLK905(單輸入/單輸出)、ADCLK907(雙通道單輸入/單輸出)和ADCLK925(單輸入/雙輸出)為超高速時鐘/數據緩沖器,采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺(SiGe)雙極性工藝制造。
2025-04-14 14:05:49976

ADCLK907超快型SiGe ECL時鐘/數據緩沖器技術手冊

ADCLK905(單輸入/單輸出)、ADCLK907(雙通道單輸入/單輸出)和ADCLK925(單輸入/雙輸出)為超高速時鐘/數據緩沖器,采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺(SiGe)雙極性工藝制造。
2025-04-14 13:58:37901

ADCLK905超快型SiGe ECL時鐘/數據緩沖器技術手冊

ADCLK905(單輸入/單輸出)、ADCLK907(雙通道單輸入/單輸出)和ADCLK925(單輸入/雙輸出)為超高速時鐘/數據緩沖器,采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺(SiGe)雙極性工藝制造。
2025-04-14 13:51:371012

ADCLK914超快型SiGe開集HVDS時鐘/數據緩沖器技術手冊

ADCLK914是一款采用ADI公司專利的互補雙極性(XFCB-3)硅鍺(SiGe)工藝技術制造的超快型時鐘/數據緩沖器。ADCLK914具備高壓差分信號(HVDS)輸出,適合用于驅動ADI最新的高速數模轉換器(DAC)。ADCLK914具備單個差分開集輸出。
2025-04-11 15:46:461078

ADCLK954采用SiGe工藝,具有2個可選輸入、12個LVPECL輸出的時鐘扇出緩沖器技術手冊

ADCLK954是一款采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺(SiGe)雙極性工藝制造的超快型時鐘扇出緩沖器。這款器件設計用于要求低抖動性能的高速應用。 該器件具有兩個可通過IN_SEL控制引腳
2025-04-11 10:54:30933

ADCLK946采用SiGe工藝的6 LVPECL輸出時鐘扇出緩沖器技術手冊

ADCLK946是一款采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺(SiGe)雙極性工藝制造的超快型時鐘扇出緩沖器。這款器件設計用于要求低抖動性能的高速應用。 這款器件具有一個帶中心抽頭、差分、100
2025-04-11 10:31:251142

ADCLK950 2路可選輸入、10路LVPECL輸出、SiGe時鐘扇出緩沖器技術手冊

ADCLK950是一款超快時鐘扇出緩沖器,采用ADI公司專有的XFCB3硅-鍺(SiGe)雙極性工藝制造,設計用于要求低抖動的高速應用。
2025-04-11 09:43:07917

GRGTEST:無線電通信的核心基石 微波射頻功率器件

射頻微波(RF&Microwave)技術是利用300MHz~300GHz頻段電磁波實現信息傳輸、能量轉換與傳遞的核心技術。隨著航空航天、無線通信、雷達、無人駕駛、物聯網等技術的迅速發展,倒逼
2025-04-09 10:19:501283

射頻電路設計——理論與應用

本資料從低頻電路理論到射頻微波電路理論的演化過程出發,討論以低頻電路理論為基礎結合高頻電壓、電流的波動特征來分析和設計射頻微波系統的方法——微波等效電路法,使不具備電磁場理論和微波技術背景的讀者
2025-04-03 11:41:56

UCC28C43-EP 增強型產品 Bicmos 低功耗電流模式 PWM 控制器數據手冊

UCC28C4x 系列是高性能電流模式 PWM 控制器。它們是增強型 BiCMOS 版本,與行業標準的 UC284xA 系列和 UC284x 系列 PWM 控制器具有引腳對引腳兼容性。此外,還提供 7 V 的較低啟動電壓版本,包括 UCC28C40 和 UCC28C41。
2025-04-02 09:24:57898

陶瓷基板五大工藝技術深度剖析:DPC、AMB、DBC、HTCC與LTCC的卓越表現

在電子封裝技術的快速發展中,陶瓷基板因其出色的電絕緣性、高熱導率和良好的機械性能,成為了高端電子設備中不可或缺的關鍵材料。為了滿足不同應用場景的需求,陶瓷基板工藝技術不斷演進,形成了DPC、AMB、DBC、HTCC與LTCC這五大核心工藝……
2025-03-31 16:38:083073

ADRF6780 5.9 至23.6GHz、寬帶微波上變頻器技術手冊

ADRF6780是一款采用硅鍺(SiGe)設計的寬帶、微波上變頻器,針對點到點微波無線電設計進行優化,工作頻率范圍為5.9 GHz至23.6 GHz。
2025-03-28 09:12:551114

柵極技術的工作原理和制造工藝

本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝,以及先進柵極工藝技術
2025-03-27 16:07:411958

ADRF6780S 5.9GHz至 23.6 GHz,寬帶,微波上變頻器技術手冊

ADRF6780S 是一款硅鍺 (SiGe) 設計、寬帶微波上變頻器,針對在 5.9GHz 至 23.6GHz 頻率范圍內工作的點對點微波無線電設計進行了優化。
2025-03-26 09:39:09753

ADL5726 21.2 GHz至23.6 GHz、低噪聲放大器技術手冊

50 Ω輸入阻抗和100 Ω平衡差分輸出,非常適合驅動ADI公司的差分下變頻器和射頻(RF)采樣模數轉換器(ADC)。該LNA提供在過去需要極其昂貴的III-V化合物工藝技術才能實現的噪聲系數性能。
2025-03-12 14:13:10835

ADL5725 17.7GHz至19.7GHz、低噪聲放大器技術手冊

50 Ω輸入阻抗和100 Ω平衡差分輸出,非常適合驅動ADI公司的差分下變頻器和射頻(RF)采樣模數轉換器(ADC)。該低噪聲放大器提供在過去需要極其昂貴的III-V化合物工藝技術才能實現的噪聲系數性能。
2025-03-12 14:08:33929

ADL5724 12.7GHz至15.4GHz、低噪聲放大器技術手冊

50 Ω輸入阻抗和100 Ω平衡差分輸出,非常適合驅動ADI公司的差分下變頻器和射頻(RF)采樣模數轉換器(ADC)。該LNA提供在過去需要極其昂貴的III-V化合物工藝技術才能實現的噪聲系數性能。
2025-03-12 13:53:18839

ADL5723 10.1GHz至11.7 GHz、低噪聲放大器技術手冊

50 Ω輸入阻抗和100 Ω平衡差分輸出,非常適合驅動ADI公司的差分下變頻器和射頻(RF)采樣模數轉換器(ADC)。該LNA提供在過去需要極其昂貴的III-V化合物工藝技術才能實現的噪聲系數性能。
2025-03-12 11:41:16836

ADL5721 5.9GHz至8.5GHz、低噪聲放大器技術手冊

Ω輸入阻抗和100 Ω平衡差分輸出,非常適合驅動ADI公司的差分下變頻器和射頻(RF)采樣模數轉換器(ADC)。該低噪聲放大器(LNA)提供在過去需要極其昂貴的III-V化合物工藝技術才能實現的噪聲系數性能。該LNA利用頻帶開關功能在輸入P1dB和噪聲系數之間進行權衡,實現較佳系統性能。
2025-03-12 11:29:06846

是德科技擴展射頻微波儀器產品組合

是德科技(Keysight Technologies, Inc.)推出六款新型模擬信號發生器、兩款矢量信號發生器、八款射頻合成器和三款信號源分析儀,進一步擴展了其射頻(RF)和微波儀器產品組合。這些
2025-03-04 14:45:29995

芯片制造中的淺溝道隔離工藝技術

淺溝道隔離(STI)是芯片制造中的關鍵工藝技術,用于在半導體器件中形成電學隔離區域,防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡單介紹淺溝道隔離技術的作用、材料和步驟。
2025-03-03 10:00:473388

ADRF6780 5.9 GHz至23.6GHz、寬帶微波上變頻器技術手冊

ADRF6780是一款采用硅鍺(SiGe)設計的寬帶、微波上變頻器,針對點到點微波無線電設計進行優化,工作頻率范圍為5.9 GHz至23.6 GHz。
2025-03-01 09:31:11909

IS-6.000射頻隔離器4.0-8.0 GHz

IS-6.000射頻隔離器4.0-8.0 GHz IS-6.000射頻隔離器由MECA精心制造,是一款專為射頻(RF)及微波系統設計的無源組件,其核心功能在于實現信號的有效隔離,防止反射信號造成
2025-02-26 10:22:23

ALD和ALE核心工藝技術對比

ALD 和 ALE 是微納制造領域的核心工藝技術,它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰。兩者既互補又相輔相成,未來在半導體、光子學、能源等領域的聯用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542207

電磁波譜中的微波射頻

電磁波譜中的微波射頻是兩個既相關又有所區別的概念,以下是對它們的介紹: 一、微波 定義與頻率范圍 : 微波是電磁波譜中頻率較高、波長較短的部分,其頻率范圍大致在300MHz至300GHz之間
2025-01-20 16:35:202266

APD2220-000硅PIN二極管可鍵合芯片現貨庫存Skyworks

和低失真的開關或衰減器應用,APD2220-000的厚I區和高反向擊穿電壓是最佳選擇。特征構建Skyworks PIN二極管工藝技術低電容設計,高達0.05 pF額定電壓200V封裝尺寸&lt
2025-01-20 09:31:55

博瑞集信發布微波毫米波無源產品系列

近日,博瑞集信在射頻技術領域取得了新突破,正式推出了6款高性能信號控制類射頻芯片,進一步豐富了其微波毫米波產品系列。 此次發布的射頻芯片涵蓋了2款射頻開關、3款六位數控移相器和1款六位數控衰減器
2025-01-17 11:10:08963

1431/A手持式微波/射頻信號發生器

? _XLT新利通_ 1431/A手持式微波/射頻信號發生器 采用統一的手持式機箱,集成度高 1431手持式微波信號發生器和1431A手持式射頻信號發生器采用統一的手持式機箱,集成度高,體積小
2025-01-16 17:32:19803

ADRF5024單極雙擲開關ADI

ADRF5024單極雙擲開關ADIADRF5024是種使用硅工藝技術的反射式單極雙擲(SPDT)開關。頻率范圍為100 MHz至44 GHz,插入損耗高于1.7 dB,隔離度為35 dB
2025-01-07 08:58:29

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