30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能，通過調節驅動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優化系統的整體性能和待機功耗。具體來了解一下！

集成E-GaN和驅動電流分檔功能

30W氮化鎵電源ic U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.35V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8608通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。

30W氮化鎵電源ic U8608系列還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第四檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。

谷底鎖定及降頻工作模式

30W氮化鎵電源ic U8608采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節谷底個數，同時為了避免系統在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數跳變，產生噪音，U8608采用了谷底鎖定工作模式，在負載一定的情況下，導通谷底數穩定，系統無噪音。

氮化鎵電源ic U8608同系列芯片還有推薦功率為24W的U8607、36W的U8609，是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18-65W適配器應用提供全新的解決方案。U8608采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸！