PRISEMI芯導科技推出新品–全面應對手機EOS問題

Prisemi 重磅新品：PESDHC5D7VU、PESDHC5D3V3U
全面應對手機EOS 問題

針對目前智能機、功能機在客戶端經常出現以下問題：

a. 使用時無法充電（V_charge 端開路或者短路）；
b. 無法開機（V_bat 短路或者V_bat 端漏電流很大）；
c. 待機時間短、漏電流偏大；
d. Wifi 無法檢測信號或敏感度降低。

Prisemi 從過電性應力（EOS）的角度發，結合電磁兼容（EMC）綜合的性能要求，考慮用戶終端對手機的干擾因素，分別從浪涌(Surge-IEC61000-4-5) 、 群 脈沖(EFT-IEC61000-4-2) 、 靜電 (ESD- IEC61000-4-2)三方面進行測試與評估，針對某大型客戶機型在客戶端反饋較差的機型，反復從抗干擾能力和改善系統設計的 角度, 從之前的單機浪涌測試DC 側 V_Charge 不過 60V,一度將單機 浪涌 測試 DC 側 V_Charge 提高到 150V, 并最終 通過所有測試, 一舉超出目前手機類測試要求。目前基本的原理圖設計如下：

在此期間，針對手機的系統設計要求,要求抗外界干擾能力的TVS器件：

? 貼片小封裝；
?高浪涌承受能力，即瞬態通流量大，功率大；

TVS的功率大小和芯片的面積成正比例關系，如要求瞬態通流量大，同功率情況下，只能減小TVS的截止電壓，很顯然上述是相互制約的。
目前可以支持的 SMD 封裝有:DFN1006; SOD923; SOD523; SOD323。很顯然SOD323封裝較大，而且由于它的高度無法滿足MinUSB其他機械設計，所以只能鎖定在SOD523封裝的設計要求內。要想全面解決整機系統方案，單獨一顆SOD523封裝的TVS在全功率的情況下，也極難滿足系統150V的浪涌測試要求，只有在升級方案和升級工藝兩種條件具備的情況下方可，Prisemi 在尋求工藝改進的情況下，同時尋求新的設計方案，在可控的成本設計要求內，最終大獲全勝。

Prismei在V_charge 端開發：PESDHC5D7VU, 其特點如下：
??強大的Surge能力：
浪涌IEC61000-4-5，24A（8/20μs）
峰值脈沖功率，400W （8/20μs）
?EFT 保護能力：IEC61000-4-4，±4kV
? ESD 保護能力：IEC61000-4-2，±30kV（接觸），±30kV（空氣）
Prismei在V_bat 端開發：PESDHC5D3V3U, 其特點如下：
??強大的Surge能力：
浪涌IEC61000-4-5，23A（8/20μs）
峰值脈沖功率，250W （8/20μs）
?EFT 保護能力：IEC61000-4-4，±4kV
? ESD 保護能力：IEC61000-4-2，±30kV（接觸），±30kV（空氣）
上述兩器件均以極低的動態導通電阻，優秀的抑制電壓，滿足了系統的綜合設計要求，目前主要針對的系統平臺有：

方案設計與整改，電話075582542001，82574660謝謝惠顧！


審核編輯 黃宇