2025 PCIM Asia Shanghai ——上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會將于2025年9月24至26日在上海新國際博覽中心舉辦。本屆展會聚焦電氣化交通、太陽能與風能、儲能、氫能、人工智能和數據中心的電力電子應用等應用領域。

行業領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術企業珠海鎵未來科技有限公司將攜 Bi-Directional GaN、(全球內阻最低)車規級 9mΩ 650V 氮化鎵分立器件、Gen3 系列等多款新品亮相本次展會。

2、新品速遞

1：Bi-Directional GaN

G2B65 系列場效應晶體管是混合型常閉雙向氮化鎵（GaN）場效應晶體管，采用頂部冷卻表貼型封裝，具有電隔離的散熱金屬表面，便于熱管理和自動裝配工藝。

2：車規級 9mΩ 650V 氮化鎵分立器件

G3E65R009 系列場效應晶體管是一款完全符合汽車 AEC-Q101 標準的 650V、9mΩ GaN FET，采用 GaNext Gen3 技術平臺，兼容 Si MOSFET 驅動，是全球 Rdson 最小的 650V氮化鎵分立器件。其采用 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L（內絕緣）封裝，散熱能力優異且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容，能夠滿足更多大功率應用需求。

3：Gen3 技術平臺系列產品

Gen3 650/700V 系列場效應晶體管（FET）是混合型常關式氮化鎵（GaN）場效應晶體管，具有市場上所有寬禁帶器件中最強的柵極和最低的反向電壓降。它們可實現簡單的柵極驅動，提供業界最佳的性能和卓越的可靠性。

Gen3 性能優勢（相較 Gen2）：

芯片面積相對優化33%：通過工藝優化和結構創新，Gen3 技術平臺 DPW 相對提升33%，FOM 相對優化15%，實現更小尺寸與更強性能的完美結合。

器件損耗降低5%：在約2500W的輸出功率（P-out）下，效率高達99.3%，進一步實現性能躍升。

熱性能優化：在最大輸出功率約7700W的嚴苛條件下，相同 RDS-ON 器件實測溫升降低8.6℃，相對降幅高達66%。顯著提升系統在持續高功率運行時的穩定性和壽命。

ESD 能力強化：較上一代相對提升50%，全面實現≥ 2000V（HBM&CDM）。（是指在測試電路 Boost 半橋升壓電路 240Vin-400Vo 中得到）

鎵未來率先推出功率 GaN 行業第一款 TO-3PF 封裝器件 G3N70R070TE-H，支持圖騰柱無橋 PFC 拓撲 / 傳統有橋 PFC 拓撲冷媒散熱，可應用于3000W功率等級的家電空調設計。

G3E65R035QD-H 產品采用頂部散熱的表貼型 QDPAK 封裝，散熱能力優于同類型的 TOLT 封裝，具有開爾文源極引腳且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容，實現最佳開關性能、靈活的 PCB 布局以及高功率密度集成；

G3E65R009 系列是功率 GaN（650V 耐壓）行業首款內阻小于10mΩ的分立式器件 ，采用 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L（內絕緣）封裝，散熱能力優異且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容。可支持高達100kW功率等級的新能源汽車電驅應用需求。

鎵未來 Gen3 650/700V 系列氮化鎵功率產品在本次 PCIM 展會宣布全面推向市場。新一代產品實現了芯片性能、能效表現及系統可靠性的多維跨越，以“更小、更高效、更可靠”的全面進化，再度引領行業創新，為電源工程師帶來更具競爭力的高性能解決方案。在立志“打造和普及一流的氮化鎵產品”道路上更進一步！

審核編輯 黃宇