高性能HMC1099 GaN功率放大器深度解析 在當今的射頻通信、雷達等領域，功率放大器扮演著至關重要的角色。而HMC1099這款氮化鎵（GaN）寬帶功率放大器，憑借其卓越的性能指標和廣泛的應用前景
2026-01-05 16:25:02
22 ADPA1106：2.7 GHz - 3.5 GHz GaN 功率放大器的卓越之選 在當今的射頻領域，高性能功率放大器的需求日益增長。ADPA1106作為一款出色的GaN功率放大器，以其獨特的性能
2026-01-05 11:40:08161 ADPA1107：高性能GaN寬帶功率放大器的深度解析 在電子工程領域，功率放大器是無線通信、雷達和射頻系統中的關鍵組件。今天，我們聚焦于Analog Devices推出的一款高性能器件
2026-01-05 11:40:05177 ADPA1105：高性能GaN功率放大器的深度解析 在射頻功率放大器的領域中，氮化鎵（GaN）技術憑借其高功率密度、高效率等優勢逐漸嶄露頭角。今天，我們就來深入探討一款高性能的GaN功率
2026-01-05 11:40:02155 ADPA1122：高性能GaN功率放大器的深度解析 在射頻功率放大器領域，氮化鎵（GaN）技術憑借其卓越的性能表現，正逐漸成為眾多應用的首選方案。今天我們要深入探討的ADPA1122，便是一款
2026-01-05 10:20:1658 ADPA1113：2 GHz 至 6 GHz、46 dBm（40 W）GaN 功率放大器的詳細解析 在電子工程領域，功率放大器是至關重要的組件，特別是在高頻、高功率的應用場景中。今天我們要深入探討
2026-01-05 10:20:1369 ADPA1116：0.3 GHz 至 6 GHz GaN 功率放大器的卓越之選 在電子工程領域，功率放大器的性能直接影響著整個系統的表現。今天，我們就來深入了解一款性能出色的功率
2026-01-05 10:20:1059 探索HMC1086F10：2 - 6 GHz的25W GaN MMIC功率放大器 在電子工程領域，功率放大器一直是無線通信、雷達系統等眾多應用的核心組件。今天，我們將深入探討一款高性能的功率
2025-12-31 15:05:1379 HMC1087：2 - 20 GHz 8 瓦 GaN MMIC 功率放大器的全面解析 在射頻與微波領域，功率放大器是至關重要的器件，它直接影響著系統的性能和效率。今天，我們將深入探討一款高性能
2025-12-31 15:05:0983 深入剖析HMC1087F10：2 - 20 GHz 8W GaN MMIC功率放大器 在電子工程領域，功率放大器的性能往往直接影響著整個系統的表現。今天，我們就來深入探討一款高性能的功率
2025-12-31 15:05:0682 探索HMC1086：2 - 6 GHz 25W GaN MMIC功率放大器的卓越性能 在射頻和微波領域，功率放大器一直是至關重要的組件。今天，我們將深入探討一款高性能的功率放大器——HMC1086
2025-12-31 15:05:0263 電子工程師必看：SLG59H1401C 3A 功率多路復用器深度剖析 在電子設備設計中，功率管理是一個至關重要的環節，尤其是對于需要多電源輸入的系統。Renesas 推出的 SLG59H1401C
2025-12-29 16:25:16111 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開關的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設計水平的關鍵。今天，我們就來深入
2025-12-29 14:45:1077 CG2H40025F型號介紹 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款放大器——CG2H40025F。 它具備高效率、高增益和寬頻帶能力，這使
2025-12-29 11:28:30
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結合 引言 在當今電子技術飛速發展的時代，功率半導體器件的性能和可靠性對于各種電子設備的運行
2025-12-29 10:05:2292 CG2H40045F型號介紹 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款放大器——CG2H40045F。 它展現出了 GaN 技術的典型優勢
2025-12-24 10:57:35
244x/P3H284x I3C Hub，為我們提供了一種強大的解決方案，能夠滿足多種設備連接的需求。今天，我們就來深入了解一下這款產品。 文件下載： NXP Semiconductors P3H2x4xHN多端
2025-12-24 10:20:02167 °C 裕量。應用場景1.6 – 30 MHz 短波 / 業余電臺 5 W 主機的 0.5 W 驅動級27 MHz CB、40 MHz 無線麥克風、88 – 108 MHz FM 小功率發射射頻儀器（跟蹤
2025-12-22 09:11:25
?雙通道隔離式柵極驅動器IC.pdf 產品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙路隔離柵極驅動器IC，專為驅動Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開關而設
2025-12-21 09:30:03543 IC.pdf 1. 產品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙通道隔離柵極驅動器IC，專為驅動Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開關而設計。所有產品都采用
2025-12-20 20:35:051020 電子發燒友網綜合報道 小米公布GaN射頻器件研發新進展！在近期舉行的第 71 屆國際電子器件大會（IEDM 2025）上，小米集團手機部與蘇州能訊高能半導體有限公司、香港科技大學合作的論文
2025-12-18 10:08:201760 
特性。核心參數頻率范圍：4.5-6.8GHz，覆蓋 C 波段及部分 S 波段應用場景。輸出功率：飽和輸出功率：8W 至 20W（取決于工作電壓）。1dB 壓縮點輸出功率（P1dB）：未直接標注，但根據
2025-12-12 09:40:25
、變頻器中的隔離或非隔離驅動電路。
總結在功率半導體技術快速迭代向GaN、SiC演進的時代，門極驅動器的性能已成為決定系統天花板的關鍵一環。SiLM27531H以其車規級的可靠性、對標先進功率器件的超高速
2025-12-12 08:39:51
和更大的電流，從而實現更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統設計。垂直架構：功率技術新高度垂直GaN創新：vGaN支持高電壓和高頻率運行，效率優于硅芯片先進制造工廠
2025-12-04 17:13:20471 
P3H2x4xHN是一款多端口I3C集線器設備，一端通過I3C / I2C / SMBus總線連接主機CPU，另一端則連接多個外圍設備。
2025-12-04 10:46:47782 
在傳統橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實現更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統設計。
2025-12-04 09:28:281692 
電子發燒友網站提供《CG65140DAA_datasheet_V1.pdf》資料免費下載
2025-11-30 22:00:03
0 LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產品型號：LMG3410R070RWHR產品品牌：TI/德州儀器產品封裝：VQFN32產品功能：高性能GaN功率器件LMG3410R070RWHR
2025-11-29 11:25:34188 
TGS2351-SM是Qorvo（原TriQuint）推出的一款采用氮化鎵（GaN）技術制造的單刀雙擲（SPDT）射頻開關芯片，具備高頻、高功率處理能力及快速切換特性，廣泛應用于雷達、通信系統等射頻
2025-11-28 09:59:47
電子發燒友網綜合報道 GaN憑借高頻開關、低損耗、高功率密度的先天優勢，已經在各類電源產品上被廣泛應用，在汽車領域，車載充電機OBC已經有不少產品應用了GaN功率器件，通過高頻開關特性，GaN 降低
2025-11-27 08:44:004006 云鎵半導體云鎵工業級GaN產品器件參數解讀&3kW服務器電源DEMO1.前言云鎵半導體在工業級GaN產品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅動器產品。在應用DEMO上陸續展示了鈦金
2025-11-11 13:45:21303 
云鎵半導體應用指導CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知，GaN功率器件具有傳統功率器件無可比擬的性能優勢，如大幅提升的開關速度和顯著降低的開關損耗，從而
2025-11-11 13:45:04193 云鎵半導體應用指導CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言眾所周知，GaN功率器件具有傳統功率器件無可比擬的性能優勢，如大幅提升的開關速度和顯著降低
2025-11-11 13:44:41246 芯品發布高可靠GaN專用驅動器，便捷GaN電源設計GaN功率器件因為其高工作頻率和高轉化效率的優勢，逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強型GaN功率器件的驅動電壓一般在5~7V，驅動窗口相較于傳統
2025-11-11 11:46:33687 電子發燒友網綜合報道 近日，安森美發布器垂直GaN功率半導體技術，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構與多項性能突破，為全球高功率應用領域帶來革命性解決方案，重新定義了行業在能效、緊湊性與耐用性上
2025-11-10 03:12:005650 ADC 或單通道 10.4GSPS ADC。支持高達 10GHz 的可用輸入頻率范圍，可對頻率捷變系統進行 L 波段、S 波段、C 波段和 X 波段的直接射頻采樣。
2025-11-01 10:25:13935 
今天，在功率電子領域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應用場景中的主角。
2025-10-31 16:21:589399 
單通道10.4GSPS ADC。支持高達 10GHz 的可用輸入頻率范圍，可對頻率捷變系統進行 L 波段、S 波段、C 波段和 X 波段的直接射頻采樣。
2025-10-29 16:14:17588 
5.2GSPS ADC 或單通道 10.4GSPS ADC。支持高達 10GHz 的可用輸入頻率范圍，可對頻率捷變系統進行 L 波段、S 波段、C 波段和 X 波段的直接射頻采樣。
2025-10-29 10:17:06522 
。2 至 6.3GHz 的 -3dB 輸入頻率范圍支持頻率捷變系統的 S 波段和 C 波段的直接射頻采樣。
2025-10-29 10:06:32483 
射頻VI功率計（ VI Power Sensor ）是一款實時監測射頻電源信號的電壓、電流、功率、反射和阻抗等參數的儀器，具有1%的極高的精度和多種功能。可用于射頻電源和自動匹配器及等離子體的相關
2025-10-23 15:55:01433 
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創新、電路優化與封裝設計，實現了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業自動化、機器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
QTS12331-L L波段射頻信號采集記錄與回放系統 專業采集 精準回放 賦能衛星與雷達應用 坤馳科技推出高性能L波段射頻信號采集記錄與回放系統QT12331-L，專為衛星通信、雷達信號處理及軟件
2025-09-29 18:02:00883 
電子發燒友網為你提供()用于 FDD/TDD LTE （Tx 波段 7、38、40、41） 的四頻功率放大器模塊相關產品參數、數據手冊，更有用于 FDD/TDD LTE （Tx 波段 7、38、40
2025-09-25 18:30:20
電子發燒友網為你提供()1218 MHz 高輸出 GaN CATV 功率倍增器 Amp擴音器相關產品參數、數據手冊，更有1218 MHz 高輸出 GaN CATV 功率倍增器 Amp擴音器的引腳圖
2025-09-01 18:30:38
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅動器和保護，適用于開關模式電源應用。 通過將GaN FET和柵極驅動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
慧能泰推出的HUSB380B的玩法有很多，其中一個就是支持級聯功能。可通過2個HUSB380B級聯實現雙Type-C口固定分配功率，例如實現單插65W、雙口同插45W+20W,或者單插45W、雙口同
2025-08-13 13:22:57
該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋，集成柵極驅動器;e模式氮化鎵FET和柵極驅動器的集成簡化了設計，減少了元件數量，并減少了電路板空間。支持半橋和兩個獨立的開關拓撲、可配置的死區時間和可配置的直通互鎖保護，有助于支持各種應用和實現。
2025-08-06 16:44:48898 
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續、100V脈沖、35A半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET
2025-08-04 10:00:30861 
0935IED-F04是Nova Microwave生產的一款高性能嵌入式（Drop-in）射頻隔離器，專為X波段雷達、衛星通信以及高精度測試儀器等嚴苛應用場景設計。0935IED-F04憑借其卓越
2025-07-24 08:52:10
的垂直GaN HEMT功率器件技術。 ? 致能半導體全球首次在硅襯底上實現了垂直的GaN/AlGaN結構生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎，致能實現了全球首個具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和全球首個垂直常關器件(E-mode HEMT)。通過去除生長用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004783 
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵（GaN）場效應晶體管。93V連續、100V脈沖、53A半橋功率級包含兩個GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22679 
基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品 憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 瑞薩電子今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H
2025-07-09 13:07:44484 ，氮化鎵 (GaN) 可提高功率密度和效率，GaN 和 SiC 均具有寬帶隙，但它們之間存在根本差異，因此分別適合特定的拓撲和應用。
2025-07-09 11:13:063371 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅動器，從而減少了元器件數量并簡化了設計。可編程的導通轉換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
1 )
你好，我知道在正常使用情況下不可能修復射頻輸出。 在這種情況下，我想知道目前在 SOURCE 模式下輸出的射頻功率值。 我能從 AK-BT2 的日志輸出中看到數值嗎？ 如果可能，請告訴我
2025-07-03 07:26:02
電子發燒友網為你提供()5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模塊相關產品參數、數據手冊，更有5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模塊
2025-07-02 18:34:12
電子發燒友網為你提供()902 – 928 MHz 高功率射頻前端模塊相關產品參數、數據手冊，更有902 – 928 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，902
2025-06-30 18:33:45
電子發燒友網為你提供()860 – 930 MHz 高功率射頻前端模塊相關產品參數、數據手冊，更有860 – 930 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，860
2025-06-27 18:31:05
E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測和恒功率功能Yinlianbao開關電源NTC傳感器能夠感知微小的溫度變化，一旦溫度超過預設的安全閾值，便會觸發保護機制，如降低電流或切斷電源，以防
2025-06-19 16:31:37692 
SGK5872-20A
類別：GaN 產品 > 用于無線電鏈路和衛星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
電子發燒友網為你提供()900 至 930 MHz 高功率射頻前端模塊相關產品參數、數據手冊，更有900 至 930 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，900
2025-06-12 18:32:26
尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團隊的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長重摻雜n型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管，可用于射頻和功率器件
2025-06-12 15:44:37800 
MASW-011098是一款由 MACOM公司生產的高功率 SPDT（單刀雙擲）PIN 二極管開關，專為高線性度、低插入損耗的射頻應用設計，適用于Ka波段及更高頻應用。MASW-011098憑借其
2025-06-09 08:57:53
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2025-06-06 18:32:55
電子發燒友網為你提供()1787 至 1930 MHz 高功率射頻前端模塊相關產品參數、數據手冊，更有1787 至 1930 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2025-06-06 18:32:31
電子發燒友網為你提供()902 至 931 MHz 高功率射頻前端模塊相關產品參數、數據手冊，更有902 至 931 MHz 高功率射頻前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，902
2025-06-06 18:31:53
鉛”（Lead-Free），AM206541TM-SN-R-TF采用先進的GaN HEMT技術，具備寬頻帶響應（覆蓋S至C波段）、高功率增益（典型值>60dB）和卓越的線性度
2025-06-06 09:06:46
Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率（P ~OUT~ ），功率附加效率（PAE）為40%，輸入功率（P ~IN~ ）為16.0dBm時，功率
2025-05-27 09:56:01664 
在GaN功率器件場景化爆發的關鍵窗口期，京東方華燦以消費類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點，正式開啟“消費級普及、工業級深化、車規級突破”的三級躍遷戰略。作為全球化合物半導體領域的技術先驅，我們以標準化能力為根基，以IDM全鏈創新為引擎，為全球客戶提供覆蓋全場景的“中國芯”解決方案。
2025-05-23 14:10:17737 ### TGA2701-SM C波段功率放大器#### 技術參數- **頻率范圍**：5.9 GHz 至 8.5 GHz。- **飽和輸出功率**：35 dBm。- **1 dB 壓縮點功率
2025-05-21 16:19:22
AM00010037WN-SN-R是一種寬帶GaN MMIC功率放大器。它有13分貝增益，37分貝輸出功率超過直流至10GHz波段。AM00010037WN-SN-R采用陶瓷封裝，帶有法蘭和直的射頻
2025-05-15 15:35:17
本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術的現狀，重點闡述了各技術平臺的首選功率變換拓撲及關鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759 
A2CP12029 COUGARPAK? 放大器是由 Teledyne 防務電子精心打造的一款射頻與微波寬帶中功率放大器。它憑借出色的性能表現以及緊湊精巧的設計，在衛星通訊、機載雷達和寬帶通信等多個
2025-05-12 09:14:18
ADPA9007-2CHIP是一款2 W射頻功率放大器，工作范圍為直流至28 GHz。射頻輸入和輸出是內部匹配和直流耦合的。ADPA9007-2CHIP包括一個集成的溫度補償射頻功率檢測器和一個集成溫度傳感器。
2025-04-22 09:42:42747 
? ? ? 射頻功率放大器（RF PA）是無線通信系統的核心組件，其工作原理基于能量轉換與信號放大技術。射頻功率放大器通過精準的能量控制與信號處理，成為無線系統實現高效、可靠傳輸的核心部件，其技術
2025-04-21 09:48:541945 電子發燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開關）。這是一種較為新型的GaN功率器件產品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高開關頻率，并支持使用 GaN 和 SiC 技術。
2025-04-14 14:10:231440 
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高開關頻率，并支持使用 GaN 和 SiC 技術。
2025-04-14 09:44:271208 
電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)ZED75-48S48C-H相關產品參數、數據手冊，更有ZED75-48S48C-H的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，ZED75-48S48C-H真值表，ZED75-48S48C-H管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-21 18:53:13
電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FN2-24D15H6相關產品參數、數據手冊，更有FN2-24D15H6的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，FN2-24D15H6真值表，FN2-24D15H6管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-19 18:48:28
電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA5-220H052424C2N3相關產品參數、數據手冊，更有FA5-220H052424C2N3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
2025-03-18 18:41:23
您是否在為遠程雷達系統的信號衰減、熱管理和功率穩定性難題而困擾？Analog Devices 最新推出的 S 波段 GaN 功率放大器技術白皮書 ，為您提供系統性解決方案，助您實現更遠探測距離與更高
2025-03-18 15:36:531179 GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案
2025-03-13 18:06:0046951 
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用，對比傳統硅基解決方案，闡述了其優勢、實際應用案例、設計考量及結論。 *附件
2025-03-12 18:47:172084 
內容概要：本文檔詳細介紹了基于高集成度CMOSTEK CMT2300芯片的RFM300H/RFM300系列ISM收發器模塊的硬件特性和射頻參數信息。該系列產品支持433/868/915MHz ISM
2025-03-07 11:30:491 的高頻 GaN FET 驅動器驅動。
GaN FET 具有接近零的反向恢復和非常小的輸入電容 C ，因此為功率轉換提供了顯著的優勢 ~國際空間站~ .所有器件都安裝在完全無鍵合絲的封裝平臺上，最大
2025-02-26 14:11:121055 
德州儀器（TI）提供的一種新的驅動器集成氮化鎵（GaN）功率級產品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實現，該封裝尺寸為12mm x 12mm。這種擴大的QFN封裝可以從GaN
2025-02-25 10:36:391037 
此參考設計是一款 4kW 連續導通模式 （CCM） 圖騰柱功率因數校正 （PFC），具有頂部冷卻的氮化鎵 （GaN） 子板和TMS320F280025C數字控制器。除了 LMG352x
2025-02-24 14:31:31917 
高功率放大器采用堅固的帶狀線電路架構，并精選GaN器件，確保了卓越的操作可靠性。憑借高功率、高效率、高頻率覆蓋及寬帶性能，CNP GaN系列窄帶高功率放大器已成為現代射頻系統的關鍵組件，廣泛應用
2025-02-21 10:39:06
此參考設計展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉換器實現高效率和小外形尺寸。 *附件：PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 18 磚型電源模塊
2025-02-21 10:20:05705 
我想知道該型號關于370-420nm波長的反射率以及紫外波段不同區間能承受的最大光功率值是多少？
2025-02-21 07:05:14
本文重點射頻功率收集，對于源和負載之間的最佳功率傳輸、減少功率反射和提高系統效率而言，IMN至關重要。能量收集整流器和電壓倍增器電路（例如Cockcroft–Walton和Dickson倍增器）是將
2025-02-14 16:51:58849 
在開關模式電源中使用 GaN 開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰，并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關模式電源
2025-02-11 13:44:551177 
系列隔離器/環行器頻率范圍：涵蓋廣泛的射頻頻段，具體依據型號而定（涵蓋L波段、S波段、C波段等多個頻段）。功率處理能力：主要面向中高功率應用，尤其適用于通信基站、雷達系統等場景。特性：低插入損耗，確保
2025-02-08 09:33:39
電子發燒友網站提供《用于高頻、大功率工業電機驅動的GaN功率IC創新.pdf》資料免費下載
2025-01-24 13:59:040 電子發燒友網站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導體.pdf》資料免費下載
2025-01-24 13:50:270 垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
無線通信的有效傳輸。作為大功率射頻功放器件封測的領先企業， 瑤華半導體 憑借強大的技術實力與創新能力，已在行業中獲得廣泛認可，成為通信與能源應用領域的重要合作伙伴。 01 關于瑤華半導體 瑤華半導體專注于LDMOS、GaN等大功率射頻空腔器件以及IGBT、
2025-01-14 09:22:181813 
CERNEX寬帶高功率放大器（GaN）CERNEX的CBP GaN系列放大器通常用作各種類型通用性技術應用，如實驗測試設備、儀表設備和其他需要高功率輸出的應用。使用穩固的帶狀線邏輯電路和指定的GaN
2025-01-08 09:31:22
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