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電子發燒友網>今日頭條>硝酸濃度對多孔氧化鋅薄膜刻蝕工藝能的影響

硝酸濃度對多孔氧化鋅薄膜刻蝕工藝能的影響

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2025-04-17 15:27:071196

ZGF(S)智能型直流高壓發生器操作使用

智能型直流高壓發生器系列,主要適用于電力部門、工礦、冶金、鋼鐵等企業動力部門對氧化鋅避雷器、電力電纜、變壓器、斷路器、發電機等高壓電氣設備進行直流耐壓試驗或直流泄露電流試驗。
2025-04-16 17:04:300

質量流量控制器在薄膜沉積工藝中的應用

聽上去很高大上的“薄膜沉積”到底是什么? 簡單來說:薄膜沉積就是幫芯片“貼膜”的。 薄膜沉積(Thin Film Deposition)是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜,再配合蝕刻和拋光等工藝
2025-04-16 14:25:091064

最全最詳盡的半導體制造技術資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜,再到測試封裝,一目了然。 全書共分20章,根據應用于半導體制造的主要技術分類來安排章節,包括與半導體制造相關的基礎技術信息;總體流程圖
2025-04-15 13:52:11

#氧化鋅避雷器

避雷針
aozhuogeng發布于 2025-04-09 09:52:09

貼片電阻的厚膜與薄膜工藝之別

印刷工藝,通過在陶瓷基底上貼一層鈀化銀電極,再于電極之間印刷一層二氧化釕作為電阻體,其電阻膜厚度通常在100微米左右。而薄膜電阻則運用真空蒸發、磁控濺射等工藝方法,在氧化鋁陶瓷基底上通過真空沉積形成鎳化鉻薄膜
2025-04-07 15:08:001060

氧化鋅自動破袋系統,自動拆包機生產定制#

自動化
山東偉豪思智能裝備發布于 2025-04-07 11:56:51

介紹一下三相組合式過電壓保護器的特點

介紹一下三相組合式過電壓保護器的特點 1、三相組合式過電壓保護器采用氧化鋅非線性電阻和放電間隙相組合的結構,使二者互為保護。放電間隙使氧化鋅電阻的荷電率為零,氧化鋅的非線性特性又使放電間隙動作后立即
2025-04-07 11:24:44615

【「芯片通識課:一本書讀懂芯片技術」閱讀體驗】芯片怎樣制造

。 光刻工藝刻蝕工藝 在芯片制造過程中,光刻工藝刻蝕工藝用于在某個半導體材料或介質材料層上,按照光掩膜版上的圖形,“刻制”出材料層的圖形。 首先準備好硅片和光掩膜版,然后再硅片表面上通過薄膜工藝生成一
2025-04-02 15:59:44

凱迪正大氧化鋅避雷器測試儀 阻性電流測試

概述武漢凱迪正大KDYZ-201避雷器殘壓測試儀通過避雷器運行參數檢測氧化鋅避雷器電氣性能狀態,可有效識別設備內部絕緣受潮、閥片老化等隱患。其采用微機控制技術,可同步測量全電流、阻性電流及其諧波
2025-04-01 14:51:13

中微公司推出12英寸晶圓邊緣刻蝕設備Primo Halona

Halona正式發布。中微公司此款刻蝕設備的問世,實現了在等離子體刻蝕技術領域的又一次突破創新,標志著公司向關鍵工藝全面覆蓋的目標再進一步,也為公司的高質量發展注入強勁動能。
2025-03-28 09:21:191193

【「芯片通識課:一本書讀懂芯片技術」閱讀體驗】了解芯片怎樣制造

工藝流程: 芯片設計,光掩模版制作,晶圓上電路制造,(薄膜氧化,平坦化,光刻膠涂布,光刻,刻蝕,離子注入擴散,裸片檢測)
2025-03-27 16:38:20

Molex薄膜電池有什么用?-赫聯電子

  Molex 的薄膜電池由和二氧化錳制成,讓最終用戶更容易處置電池。大多數發達國家都有處置規定;這使得最終用戶處置帶有鋰電池的產品既昂貴又不便。消費者和醫療制造商需要穿著舒適且輕便的解決方案
2025-03-21 11:52:17

濕法刻蝕:晶圓上的微觀雕刻

在芯片制造的精密工藝中,華林科納濕法刻蝕(Wet Etching)如同一把精妙的雕刻刀,以化學的魔力在晶圓這張潔白的畫布上,雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環,以其高效、低成本的特點
2025-03-12 13:59:11983

頗具潛力的基電池

電子發燒友網報道(文/黃山明) 基電池是以為核心材料的一類電池,主要包括-空氣電池、液流電池和離子電池等多種類型 。這類電池的核心優勢是高安全性、低成本以及對環境友好。 ? 由于基電池
2025-03-02 00:04:004438

背金工藝工藝流程

本文介紹了背金工藝工藝流程。 本文將解析一下背金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。 背金工藝工藝流程 ? 如上圖,步驟為: ? tape→grinding →Si etch?→ Detape
2025-02-12 09:33:182057

氧化石墨烯制備技術的最新研究進展

。 目前,GO的批量制備主要采用化學氧化方法(如Hummers法),即通過石墨與濃硫酸、濃硝酸、高錳酸鉀等強氧化劑的反應來實現GO制備。該反應迄今已有150多年的歷史,由于大量強氧化劑的使用,在制備過程中存在爆炸風險、嚴重的環境污
2025-02-09 16:55:121089

ALD和ALE核心工藝技術對比

ALD 和 ALE 是微納制造領域的核心工藝技術,它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰。兩者既互補又相輔相成,未來在半導體、光子學、能源等領域的聯用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542207

CVD薄膜質量的影響因素及故障排除

本文介紹了CVD薄膜質量的影響因素及故障排除。 CVD薄膜質量影響因素 以下將以PECVD技術沉積薄膜作為案例,闡述影響薄膜品質的幾個核心要素。 PECVD工藝質量主要受氣壓、射頻能量、襯底溫度
2025-01-20 09:46:473313

什么是原子層刻蝕

本文介紹了什么是原子層刻蝕(ALE, Atomic Layer Etching)。 1.ALE 的基本原理:逐層精準刻蝕? 原子層刻蝕(ALE)是一種基于“自限性反應”的納米加工技術,其特點是以單
2025-01-20 09:32:431280

深入剖析半導體濕法刻蝕過程中殘留物形成的機理

刻蝕劑(諸如酸性、堿性或氧化性溶液)與半導體材料之間發生的化學反應。這些反應促使材料轉化為可溶性化合物,進而溶解于刻蝕液中,達到材料去除的目的。 2 刻蝕速率的精細調控:刻蝕速率不僅受到化學反應動力學的影響,還取決于
2025-01-08 16:57:451468

氧化鋅避雷器的應用原理

氧化鋅避雷器在電力系統中起著關鍵的過電壓保護作用。其核心元件氧化鋅閥片具有獨特的非線性電阻特性。 在正常工作電壓下,氧化鋅閥片呈現高電阻狀態,避雷器如同開路,僅有極其微小的泄漏電流通過,系統正常運行
2025-01-08 15:41:111006

芯片制造的7個前道工藝

。這一精密而復雜的流程主要包括以下幾個工藝過程:晶圓制造工藝、熱工藝、光刻工藝刻蝕工藝、離子注入工藝薄膜淀積工藝、化學機械拋光工藝。 ? ? ? 晶圓制造工藝 晶圓制造工藝包括單晶生長、晶片切割和晶圓清洗。 ? 半導
2025-01-08 11:48:344047

8寸晶圓的清洗工藝有哪些

可能來源于前道工序或環境。通常采用超聲波清洗、機械刷洗等物理方法,結合化學溶液(如酸性過氧化氫溶液)進行清洗。 刻蝕后清洗 目的與方法:在晶圓經過刻蝕工藝后,表面會殘留刻蝕劑和其他雜質,需要通過清洗去除。此步驟通常
2025-01-07 16:12:00813

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