IGBT作為一種復合型的功率半導體，由于其功率低、開關頻率高、電流容量大的特點，已被眾多行業特別是大功率變換器行業廣泛的應用，與此同時對其驅動電路的要求也將會越來越高。

佳恩IGBT單管

高壓大功率IGBT驅動模塊的技術發展趨勢主要體現在更高的集成度、更高的隔離電壓、更大的驅動功率、更高的開關頻率、更完備的功能這五大方面，小編帶領大家接著慢慢往下看吧。

1、更高的集成度

現如今大功率IGBT驅動模塊的體積還比較大，通常均會采用變壓器來實現隔離進而增加隔離電壓耐量。此外，變壓器的體積和重量相對來說比較大，而且較難實現集成化。因此，采用體積更小、更容易集成化的隔離器件必將是驅動器的最佳選擇，例如應用壓電式變壓器或者先進的磁集成技術通過減少隔離元件的體積和重量來增加集成度。

2、更高的隔離電壓

當前驅動器都是采用光耦和變壓器來實現隔離，光耦雖然體積小但是存在隔離電壓較低、易老化、延遲較大等不足。變壓器隔離的隔離電壓較高、延遲較小，但體積較大。因此在需要高壓隔離的場合還多數采用變壓器來實現隔離。因此，為了適應更高電壓的應用場合，必須采用隔離電壓更高的驅動器。

3、更大的驅動功率

IGBT模塊的容量仍持續增加，單個模塊的電流容量已經可以做到3600A，有時為了增加容量，通常會采用并聯的工作方式，對驅動器的驅動功率也提出了更高的要求，驅動器的最大輸出電流必須相應地增加，特別是在多個模塊并聯應用時，驅動器平均輸出功率可達到5w~10w，瞬間最大輸出電流要求達到30A以上。

4、更高的開關頻率

為了更好的適應感應加熱電源等方面的應用，IGBT高頻開關頻率正在不斷增加，已經可以部分替代MOS管，對于驅動器來講，意味著必須提供更大的驅動功率，而且還要驅動器具有更短的驅動脈沖延遲時間和上升、下降的時間，提供更大的瞬間最大驅動電流等。

5、更完備的功能

現廣泛應用的門極驅動技術無法實現IGBT開關過程中引起的di/dt、dv/dt的控制，從而控制變換電路的emi。有源門極驅動技術可以有效地控制IGBT開關造成的較高的di/dt、dv/dt，相應的可以使IGBT工作在更加安全的工作區，減少其開關過程中產生的emi，相應地減少IGBT的緩沖吸收電路。此外，為滿足串聯、并聯IGBT應用的需求，驅動器還必須具備動態均壓和均流功能。

以上就是小編今天講的所有內容啦，咱們下期再見啦~~~

備注：本文僅作學習參考，如內容上存在爭議，請及時與我們聯系，謝謝！

? ? ? ? 編輯：ymf