鍍銀層抗硫化實(shí)驗(yàn)失效分析

　　80度密閉環(huán)境下8小時(shí)放置

　　測(cè)試片：

　　SPCC鋼板鍍銅（>1微米）

　　電解鍍銀（>1微米）

　　無(wú)表面處理劑

　　測(cè)試材料制作：

　　鍍銀測(cè)試片上涂上封裝膠材，依所定的加熱條件進(jìn)行硬化。（膜厚：約0.1-0.5mm）

　　硫磺暴露試驗(yàn)

　　將硫磺粉末0.3g倒入100g容積的玻璃瓶中并放入測(cè)試片、密閉后以80度環(huán)境進(jìn)行保存。

　　外觀觀察：

　　2小時(shí)后、4小時(shí)、6小時(shí)后的外觀觀察。

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電解(18316) 電解(18316)
PCB鍍銀(7078) PCB鍍銀(7078)

評(píng)論

SD卡讀寫(xiě)均衡失效問(wèn)題分析

一、讀寫(xiě)均衡失效引發(fā)的核心問(wèn)題讀寫(xiě)均衡（磨損均衡，Wear Leveling）是SD卡固件通過(guò)算法將數(shù)據(jù)均勻分配到閃存芯片各單元，避免局部單元過(guò)度擦寫(xiě)的關(guān)鍵機(jī)制。瀚海微SD卡出現(xiàn)讀寫(xiě)均衡失效后，會(huì)

2025-12-29 15:08:07

LED失效分析方法與應(yīng)用實(shí)踐

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2025-12-24 11:59:35

172

松下抗硫化厚膜片式電阻（抗浪涌型）：技術(shù)解析與使用注意事項(xiàng)

松下抗硫化厚膜片式電阻（抗浪涌型）：技術(shù)解析與使用注意事項(xiàng) 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，電阻作為基礎(chǔ)元件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。今天我們來(lái)深入了解一下松下的抗硫化厚膜片式電阻（抗浪涌型

2025-12-21 17:55:02

1041

松下抗硫化厚膜貼片電阻（抗浪涌型）ERJ UP系列：特性、應(yīng)用與使用注意事項(xiàng)

松下抗硫化厚膜貼片電阻（抗浪涌型）ERJ UP系列：特性、應(yīng)用與使用注意事項(xiàng) 作為電子工程師，在電路設(shè)計(jì)中，電阻是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天就來(lái)和大家深入探討一下松下的抗硫化厚膜貼片電阻（抗浪涌型

2025-12-21 17:45:12

1038

商用車車載尿素噴射系統(tǒng)車規(guī)電容：耐低溫 - 55℃+ 抗尿素介質(zhì)腐蝕

商用車車載尿素噴射系統(tǒng)在低溫環(huán)境（-55℃）及抗尿素介質(zhì)腐蝕場(chǎng)景下，需采用具備耐低溫陶瓷介質(zhì)、抗腐蝕金屬化層及特殊封裝結(jié)構(gòu) 的車規(guī)電容，以下為具體分析：一、低溫環(huán)境對(duì)電容的核心挑戰(zhàn) 電解質(zhì)凝固

2025-12-17 14:45:32

152

電子材料抗離子遷移方案！東亞合成 IXE/IXEPLAS，智美行科技免費(fèi)試樣

短路、產(chǎn)品失效等問(wèn)題。東亞合成株式會(huì)社研發(fā)的 IXE/IXEPLAS 系列無(wú)機(jī)離子捕捉劑，通過(guò)高效捕捉雜質(zhì)離子，從源頭阻斷離子遷移路徑，為電子材料提供全方位的抗離子

2025-12-16 16:07:56

412

LED燈具排硫溴氯鑒定報(bào)告

LED光源怕硫，這是因?yàn)楹虻臍怏w會(huì)通過(guò)其多孔性結(jié)構(gòu)的硅膠或支架縫隙，與光源鍍銀層發(fā)生硫化反應(yīng)。LED光源出現(xiàn)硫化反應(yīng)后，產(chǎn)品功能區(qū)會(huì)黑化，光通量會(huì)逐漸下降，色溫出現(xiàn)明顯漂移；硫化后的硫化銀隨溫度

2025-12-16 10:48:37

139

國(guó)巨AF系列抗硫化電阻：多品牌兼容替代方案，性能可靠穩(wěn)定

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2025-12-10 15:37:47

345

LED封裝中的硫化難題：成因、危害與系統(tǒng)防治

風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)并建立有效的預(yù)防體系，對(duì)保障LED產(chǎn)品的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。硫化現(xiàn)象的化學(xué)本質(zhì)與表現(xiàn)含銀材料的硫化：鍍銀支架和導(dǎo)電銀膠中的銀元素，在特定條件下與硫化物

2025-12-10 14:48:11

367

低頻磁場(chǎng)檢測(cè)-工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)-醫(yī)療與實(shí)驗(yàn)室設(shè)備EMC測(cè)試

醫(yī)療設(shè)備、高精度實(shí)驗(yàn)室儀器等對(duì)低頻磁場(chǎng)干擾極為敏感，其抗擾度直接關(guān)乎生命安全與數(shù)據(jù)準(zhǔn)確。低頻磁場(chǎng)檢測(cè)-工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)-醫(yī)療與實(shí)驗(yàn)室設(shè)備EMC

2025-12-10 09:35:21

CW32時(shí)鐘運(yùn)行中失效檢測(cè)的流程是什么？CW32時(shí)鐘運(yùn)行中失效檢測(cè)注意事項(xiàng)有哪些呢？

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2025-12-10 07:22:58

進(jìn)口車載房車點(diǎn)煙器插頭鍍銀航空插座彈弓線四五米

本產(chǎn)品為進(jìn)口房車點(diǎn)煙器，線拉長(zhǎng)4-5米，鍍銀航空插座配公母一體，適配改裝車，房車，大型汽車領(lǐng)域使用！

2025-12-08 10:44:20

聚焦離子束（FIB）技術(shù)在芯片失效分析中的應(yīng)用詳解

聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束（FocusedIonBeam,FIB）技術(shù)作為現(xiàn)代半導(dǎo)體失效分析的核心手段之一，通常與掃描電子顯微鏡（ScanningElectronMicroscope,SEM）集成

2025-12-04 14:09:25

368

半導(dǎo)體“基礎(chǔ)FMEA和家族?FMEA”分析的詳解；

【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容

2025-12-03 08:35:54

482

電壓放大器在電池超聲導(dǎo)波掃描實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)中的應(yīng)用

導(dǎo)波在電池中傳播特性的基礎(chǔ)上，搭建接觸式激勵(lì)-非接觸式接收”的超聲導(dǎo)波掃描實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，設(shè)計(jì)并驗(yàn)證面掃描實(shí)驗(yàn)方案與線掃描實(shí)驗(yàn)方案，最終為后續(xù)電池SOC/SOH表征與失效分析提供穩(wěn)定的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)、可靠的檢測(cè)方法及有效的動(dòng)態(tài)導(dǎo)波數(shù)據(jù)。

2025-12-02 11:16:20

204

ASP3605同步降壓芯片多場(chǎng)景失效機(jī)理與防護(hù)策略研究

于新能源汽車、工業(yè)控制及商業(yè)航天等高端領(lǐng)域。本文針對(duì)該芯片在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)的三類典型失效案例，采用"外觀檢查-電性能測(cè)試-無(wú)損檢測(cè)-物理開(kāi)封-材料分析"的階梯式失效分析流程，結(jié)合SEM、XRD及溫度場(chǎng)仿真等技術(shù)手段，系統(tǒng)揭示了過(guò)電應(yīng)力導(dǎo)致VDMOS鍵合絲熔斷、溫度梯度引發(fā)焊盤(pán)

2025-11-30 09:33:11

1389

水晶光電失效分析與材料研究實(shí)驗(yàn)室斬獲CMAS認(rèn)可證書(shū)

2025年11月，水晶光電失效分析與材料研究實(shí)驗(yàn)室憑硬核實(shí)力，順利通過(guò)中國(guó)合格評(píng)定國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)（CNAS）嚴(yán)苛審核，正式獲頒CNAS認(rèn)可證書(shū)。這標(biāo)志著實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)能力與服務(wù)質(zhì)量已接軌國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，彰顯了企業(yè)核心技術(shù)創(chuàng)新力與綜合競(jìng)爭(zhēng)力，為深耕國(guó)際市場(chǎng)筑牢品質(zhì)根基”。

2025-11-28 15:18:30

591

ATA-61411功率放大器在預(yù)應(yīng)力GFRP錨桿節(jié)理面抗剪性能研究中的應(yīng)用

分析了預(yù)應(yīng)力對(duì)GFRP錨桿節(jié)理面的失效模式、抗剪承載力、剪切變形的影響，并基于等效應(yīng)變假定，結(jié)合損傷力學(xué)理論，建立了GFRP錨桿剪切位移-剪切剛度和剪切位移-剪應(yīng)力的預(yù)測(cè)模型。測(cè)試設(shè)備：應(yīng)變采集儀、多功能疲勞試驗(yàn)機(jī)、ATA-61411功率放大

2025-11-28 11:26:25

312

EAM_Resistor抗硫化金屬膜電阻(1)

2025-11-26 16:04:06

疊層固態(tài)電容的性能優(yōu)勢(shì)

疊層固態(tài)電容（MLPC）憑借其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料特性，在性能上展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，尤其在小型化、高頻特性、抗振性、高溫穩(wěn)定性及安全性方面表現(xiàn)突出，以下是詳細(xì)分析：一、小型化與高容量密度：突破空間限制

2025-11-26 09:30:02

443

空間站機(jī)械臂中MCU與CANFD抗輻照芯片的集成研究

，討論其在商業(yè)航天級(jí)應(yīng)用中的抗輻照特性與集成設(shè)計(jì)方案。基于質(zhì)子加速器單粒子效應(yīng)試驗(yàn)、鈷源總劑量效應(yīng)試驗(yàn)及脈沖激光等效模擬試驗(yàn)數(shù)據(jù)，分析了兩款器件在100 MeV質(zhì)子輻照、150 krad(Si)總劑量及37.4 MeV·cm2/mg重離子環(huán)境下的失效機(jī)理與閾值特征。本文進(jìn)一步探討了機(jī)械

2025-11-25 16:23:27

643

【原理到實(shí)戰(zhàn)】實(shí)驗(yàn)異質(zhì)性分析

什么是實(shí)驗(yàn)的異質(zhì)性 1. 如何理解實(shí)驗(yàn)結(jié)果中的指標(biāo)變化當(dāng)我們看到如下試金石實(shí)驗(yàn)指標(biāo)結(jié)果時(shí) 在進(jìn)行分析前，可能我們的第一直覺(jué)是這樣的經(jīng)過(guò)異質(zhì)性分析后，可能會(huì)發(fā)現(xiàn)實(shí)際情況是這樣的 2. 概念解析

2025-11-12 16:28:57

400

SiC-MOS與IGBT抗短路能力對(duì)比

在IGBT為主流的時(shí)代，提到抗短路能力，就是有或者沒(méi)有。如果器件具備抗短路能力，那就是比較能抗，一般不容易引起失效。但是SiC-MOS給人的感覺(jué)就是不那么皮實(shí)，魯棒性并沒(méi)那么讓人放心。

2025-11-06 09:15:27

6852

電子元器件失效分析之金鋁鍵合

電子元器件封裝中的引線鍵合工藝，是實(shí)現(xiàn)芯片與外部世界連接的關(guān)鍵技術(shù)。其中，金鋁鍵合因其應(yīng)用廣泛、工藝簡(jiǎn)單和成本低廉等優(yōu)勢(shì)，成為集成電路產(chǎn)品中常見(jiàn)的鍵合形式。金鋁鍵合失效這種現(xiàn)象雖不為人所熟知，卻是

2025-10-24 12:20:57

444

探秘鍵合點(diǎn)失效：推拉力測(cè)試機(jī)在半導(dǎo)體失效分析中的核心應(yīng)用

個(gè)微小的鍵合點(diǎn)失效，就可能導(dǎo)致整個(gè)模塊功能異常甚至徹底報(bào)廢。因此，對(duì)鍵合點(diǎn)進(jìn)行精準(zhǔn)的強(qiáng)度測(cè)試，是半導(dǎo)體封裝與失效分析領(lǐng)域中不可或缺的一環(huán)。本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將圍繞Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)這一核心設(shè)備，深入淺出地

2025-10-21 17:52:43

701

常見(jiàn)的電子元器件失效分析匯總

電子元器件失效可能導(dǎo)致電路功能異常，甚至整機(jī)損毀，耗費(fèi)大量調(diào)試時(shí)間。部分半導(dǎo)體器件存在外表完好但性能劣化的“軟失效”，進(jìn)一步增加了問(wèn)題定位的難度。電阻器失效1.開(kāi)路失效：最常見(jiàn)故障。由過(guò)電流沖擊導(dǎo)致

2025-10-17 17:38:52

900

同步熱分析儀：多維度解析材料熱行為的科學(xué)利器

解析。其核心優(yōu)勢(shì)在于單次實(shí)驗(yàn)中同時(shí)獲取質(zhì)量變化、熱流及溫度數(shù)據(jù)，為材料研發(fā)、質(zhì)量控制及失效分析提供了高效、可靠的解決方案。上海和晟HS-STA-301同步熱分析儀在

2025-10-15 09:45:31

291

深度解析LED芯片與封裝失效機(jī)理

失效和封裝失效的原因，并分析其背后的物理機(jī)制。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu)，致力于改善LED品質(zhì)，服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié)，使LED產(chǎn)業(yè)健康

2025-10-14 12:09:44

242

SiLM5760FCG-DG具備失效保護(hù)功能的高速六通道數(shù)字隔離器介紹

（12ns典型值）的同時(shí)，集成了重要的失效保護(hù)功能：當(dāng)輸入側(cè)斷電或信號(hào)丟失時(shí)，輸出端會(huì)默認(rèn)鎖定為低電平狀態(tài)，這一特性極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)在異常情況下的安全性和確定性。憑借其高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）、寬電源

2025-09-23 08:46:11

集成電路制造中封裝失效的機(jī)理和分類

隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進(jìn)，封裝缺陷對(duì)可靠性的影響愈發(fā)凸顯，為提升封裝質(zhì)量需深入探究失效機(jī)理與分析方法。

2025-09-22 10:52:43

807

熱發(fā)射顯微鏡下芯片失效分析案例：IGBT 模組在 55V 就暴露的問(wèn)題！

分享一個(gè)在熱發(fā)射顯微鏡下（Thermal EMMI) 芯片失效分析案例，展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^(guò) IV測(cè)試與紅外熱點(diǎn)成像，快速鎖定 IGBT 模組的失效點(diǎn)。

2025-09-19 14:33:02

2288

功率放大器：預(yù)應(yīng)力GFRP錨桿節(jié)理面抗剪性能研究的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

，基于試驗(yàn)結(jié)果分析了預(yù)應(yīng)力對(duì)GFRP錨桿節(jié)理面的失效模式、抗剪承載力、剪切變形的影響，并基于等效應(yīng)變假定，結(jié)合損傷力學(xué)理論，建立了GFRP錨桿剪切位移-剪切剛度和剪切位移-剪應(yīng)力的預(yù)測(cè)模型。測(cè)試設(shè)備：應(yīng)變采集儀、多功能疲勞試驗(yàn)機(jī)、ATA-61411功率放

2025-09-17 09:39:36

334

LED驅(qū)動(dòng)電路失效分析及解決方案

近年來(lái)，隨著LED照明市場(chǎng)的快速擴(kuò)張，越來(lái)越多的企業(yè)加入LED研發(fā)制造行列。然而行業(yè)繁榮的背后，卻隱藏著一個(gè)令人擔(dān)憂的現(xiàn)象：由于從業(yè)企業(yè)技術(shù)實(shí)力參差不齊，LED驅(qū)動(dòng)電路質(zhì)量差異巨大，導(dǎo)致燈具失效事故

2025-09-16 16:14:52

836

極細(xì)同軸線的中心導(dǎo)體鍍錫與鍍銀差別

鍍錫與鍍銀在極細(xì)同軸線束中的應(yīng)用各有優(yōu)劣：前者突出的是可靠性與工藝性，后者則更強(qiáng)調(diào)電性能與高速信號(hào)保障。對(duì)于高速電子設(shè)備而言，選擇合適的導(dǎo)體表面處理工藝，才能在性能與成本之間取得平衡。

2025-09-14 15:02:20

1909

LED失效原因分析與改進(jìn)建議

失效機(jī)理梳理清楚，可在設(shè)計(jì)、工藝、選型環(huán)節(jié)提前封堵風(fēng)險(xiǎn)，減少重復(fù)故障，保住品牌口碑。芯片級(jí)失效1.金屬化層開(kāi)裂（1）故障表現(xiàn)：LED仍可微亮，但正向電壓（Vf）突然

2025-09-12 14:36:55

641

邊聊安全 | 安全通訊中的失效率量化評(píng)估

安全通訊中的失效率量化評(píng)估寫(xiě)在前面：在評(píng)估硬件隨機(jī)失效對(duì)安全目標(biāo)的違反分析過(guò)程中，功能安全的分析通常集中于各個(gè)ECU子系統(tǒng)的PMHF（安全目標(biāo)違反的潛在失效概率）計(jì)算。通過(guò)對(duì)ECU所有子系統(tǒng)

2025-09-05 16:19:13

5719

國(guó)巨（YAGEO）AA0603系列車規(guī)抗硫化電阻核心特性/應(yīng)用場(chǎng)景/型號(hào)推薦

隨著汽車電子化程度的不斷提升，車載電子系統(tǒng)對(duì)被動(dòng)元件的可靠性提出了嚴(yán)苛要求。在高溫、高濕、硫化氣體侵蝕等惡劣環(huán)境下，普通電阻易因電極硫化、阻值漂移導(dǎo)致失效，而國(guó)巨（YAGEO）推出的AA0603系列

2025-09-04 16:37:15

872

貼片薄膜電阻如何實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的耐濕性能

在高濕度環(huán)境下，貼片薄膜電阻可能因“電化學(xué)腐蝕”導(dǎo)致電阻膜層損傷，進(jìn)而引發(fā)失效。為提升電阻器的抗濕性能，制造商通常采用兩種方法：一是在電阻膜層表面制造保護(hù)膜以隔絕濕氣；二是采用本身不易發(fā)生電化學(xué)腐蝕的材料制備電阻膜層。

2025-09-04 15:34:41

618

風(fēng)華貼片電感的失效模式有哪些？如何預(yù)防？

，系統(tǒng)分析風(fēng)華貼片電感的典型失效模式，并提出針對(duì)性預(yù)防措施。 ?一、典型失效模式分析 1.? 磁路破損類失效磁路破損是貼片電感的核心失效模式之一，具體表現(xiàn)為磁芯裂紋、磁導(dǎo)率偏差及結(jié)構(gòu)斷裂。此類失效通常源于以下原

2025-08-27 16:38:26

658

IGBT 芯片表面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性

，IGBT 芯片表面平整度與短路失效存在密切關(guān)聯(lián)，探究?jī)烧叩淖饔脵C(jī)理對(duì)提升 IGBT 可靠性具有重要意義。二、IGBT 結(jié)構(gòu)與短路失效危害 IGBT 由雙極型晶體管和 MOSFET 組合而成，其芯片表面通常包含柵極氧化層、源極金屬層等多層結(jié)構(gòu)。短路失效時(shí)，過(guò)大的電流

2025-08-25 11:13:12

1348

電子元器件為什么會(huì)失效

電子元器件失效是指其在規(guī)定工作條件下，喪失預(yù)期功能或性能參數(shù)超出允許范圍的現(xiàn)象。失效可能發(fā)生于生命周期中的任一階段，不僅影響設(shè)備正常運(yùn)行，還可能引發(fā)系統(tǒng)級(jí)故障。導(dǎo)致失效的因素復(fù)雜多樣，可系統(tǒng)性地歸納

2025-08-21 14:09:32

983

IGBT短路失效分析

短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細(xì)的解釋和分類了，但就具體工作中而言，我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的，失效的模式主要為熱失效和動(dòng)態(tài)雪崩失效以及電場(chǎng)尖峰過(guò)高失效(電流分布不均勻)。理論上還有其他的一些失效情況，但我工作中基本不怎么遇到了。

2025-08-21 11:08:54

4039

淺談常見(jiàn)芯片失效原因

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，電氣過(guò)應(yīng)力（EOS）和靜電放電（ESD）是導(dǎo)致芯片失效的兩大主要因素，約占現(xiàn)場(chǎng)失效器件總數(shù)的50%。它們不僅直接造成器件損壞，還會(huì)引發(fā)長(zhǎng)期性能衰退和可靠性問(wèn)題，對(duì)生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量構(gòu)成嚴(yán)重威脅。

2025-08-21 09:23:05

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推拉力測(cè)試機(jī)在CBGA焊點(diǎn)強(qiáng)度失效分析中的標(biāo)準(zhǔn)化流程與實(shí)踐

有限元仿真技術(shù)，建立了CBGA焊點(diǎn)失效分析的完整方法體系。通過(guò)系統(tǒng)的力學(xué)性能測(cè)試與多物理場(chǎng)耦合仿真，揭示了溫度循環(huán)載荷下CBGA焊點(diǎn)的失效演化規(guī)律，為高可靠性電子封裝設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化提供了理論依據(jù)和技術(shù)支持。一、CBGA焊點(diǎn)失效原理 1、失效機(jī)理 CBGA焊

2025-08-15 15:14:14

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如何用FIB截面分析技術(shù)做失效分析？

在半導(dǎo)體器件研發(fā)與制造領(lǐng)域，失效分析已成為不可或缺的環(huán)節(jié)，F(xiàn)IB（聚焦離子束）截面分析，作為失效分析的利器，在微觀世界里大顯身手。它運(yùn)用離子束精準(zhǔn)切割樣品，巧妙結(jié)合電子束成像技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)

2025-08-15 14:03:37

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怎么找出PCB光電元器件失效問(wèn)題

限制，PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用中常出現(xiàn)失效，引發(fā)質(zhì)量糾紛。為查明原因、解決問(wèn)題并明確責(zé)任，失效分析成為必不可少的環(huán)節(jié)。失效分析流程1.失效定位失效分析的首要任務(wù)是基于失效

2025-08-15 13:59:15

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PCB抗金屬標(biāo)簽的應(yīng)用

PCB抗金屬標(biāo)簽是一種專門(mén)設(shè)計(jì)用于在金屬表面或靠近金屬環(huán)境使用的RFID標(biāo)簽。它通過(guò)特殊的天線設(shè)計(jì)和材料選擇，克服了傳統(tǒng)RFID標(biāo)簽在金屬環(huán)境中無(wú)法正常工作的難題。PCB抗金屬標(biāo)簽具有高靈敏度、強(qiáng)

2025-08-06 16:11:17

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順絡(luò)電阻的抗潮濕性能如何？

順絡(luò)電阻的抗潮濕性能如何？順絡(luò)電阻的抗潮濕性能表現(xiàn)優(yōu)異，具體體現(xiàn)在以下方面： 1、材料與工藝優(yōu)化順絡(luò)部分電阻系列(如RNCE高穩(wěn)定薄膜電阻)采用高純度氧化鋁陶瓷基板，表面光滑度顯著提升，減少

2025-07-18 15:16:32

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芯片失效步驟及其失效難題分析！

芯片失效分析的主要步驟芯片開(kāi)封：去除IC封膠，同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損，保持die，bondpads，bondwires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。SEM

2025-07-11 10:01:15

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針對(duì)芯片失效的專利技術(shù)與解決方法

，為了弄清楚各類異常所導(dǎo)致的失效根本原因，IC失效分析也同樣在行業(yè)內(nèi)扮演著越來(lái)越重要的角色。一塊芯片上集成的器件可達(dá)幾千萬(wàn)，因此進(jìn)行集成電路失效分析必須具備先進(jìn)、準(zhǔn)確的技術(shù)和設(shè)備，并由具有相關(guān)專業(yè)知識(shí)的半導(dǎo)體分析人員開(kāi)展分析工作。

2025-07-10 11:14:34

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淺談封裝材料失效分析

在電子封裝領(lǐng)域，各類材料因特性與應(yīng)用場(chǎng)景不同，失效模式和分析檢測(cè)方法也各有差異。

2025-07-09 09:40:52

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芯片封裝失效的典型現(xiàn)象

本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象：金線偏移、芯片開(kāi)裂、界面開(kāi)裂、基板裂紋和再流焊缺陷。

2025-07-09 09:31:36

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LED失效的典型機(jī)理分析

一、芯片缺陷在LED器件的失效案例中，芯片缺陷是一個(gè)不容忽視的因素。失效的LED器件表現(xiàn)出正向壓降（Vf）增大的現(xiàn)象，在電測(cè)過(guò)程中，隨著正向電壓的增加，樣品仍能發(fā)光，這暗示著LED內(nèi)部可能存在電連接

2025-07-08 15:29:13

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LED芯片失效和封裝失效的原因分析

芯片失效和封裝失效的原因，并分析其背后的物理機(jī)制。金鑒實(shí)驗(yàn)室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu)，致力于改善LED品質(zhì)，服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié)，使LED產(chǎn)業(yè)健康

2025-07-07 15:53:25

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連接器會(huì)失效情況分析？

連接器失效可能由電氣、機(jī)械、環(huán)境、材料、設(shè)計(jì)、使用不當(dāng)或壽命到期等多種原因引起。通過(guò)電氣、機(jī)械、外觀和功能測(cè)試，可以判斷連接器是否失效。如遇到失效的情況需要及時(shí)更新，保證工序的正常進(jìn)行。

2025-06-27 17:00:56

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銀線二焊鍵合點(diǎn)剝離失效原因：鍍銀層結(jié)合力差VS銀線鍵合工藝待優(yōu)化！

，請(qǐng)分析死燈真實(shí)原因。檢測(cè)結(jié)論燈珠死燈失效死燈現(xiàn)象為支架鍍銀層脫落導(dǎo)致是由二焊引線鍵合工藝造成。焊點(diǎn)剝離的過(guò)程相當(dāng)于一次“百格試驗(yàn)”，如果切口邊緣有剝落的鍍銀層，證

2025-06-25 15:43:48

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PCB疊層設(shè)計(jì)避坑指南

每次PCB設(shè)計(jì)最讓你頭疼的是什么？是密密麻麻的走線？還是讓人抓狂的EMI問(wèn)題？問(wèn)題的根源可能藏在你看不見(jiàn)的地方—— PCB疊層結(jié)構(gòu) 。當(dāng)你的設(shè)計(jì)從實(shí)驗(yàn)室小批量轉(zhuǎn)到批量生產(chǎn)時(shí)，是否遇到過(guò) 信號(hào)完整性

2025-06-24 20:09:53

TOPCon 電池紫外（UV）降解退化分析與Al?O?、SiN?鈍化層參數(shù)優(yōu)化

紫外（UV）輻照是評(píng)估光伏電池長(zhǎng)期可靠性的關(guān)鍵測(cè)試之一。采用美能復(fù)合紫外老化試驗(yàn)箱可精準(zhǔn)模擬組件戶外服役環(huán)境。隨著隧穿氧化層鈍化接觸（TOPCon）電池成為主流量產(chǎn)技術(shù)，其抗UV降解能力直接影響雙面

2025-06-20 09:02:26

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LED無(wú)硫溴氯鑒定能徹底規(guī)避硫化問(wèn)題

在LED行業(yè)風(fēng)光無(wú)限的背后，隱藏著巨大的品質(zhì)風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)前，無(wú)論是外資LED廠商，還是本土LED企業(yè)，都遇到了相同的困擾——LED硫化問(wèn)題。而在硫化發(fā)生后，LED廠家所能獲取到的硫化線索，基本來(lái)自應(yīng)用端

2025-06-17 15:34:18

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SEM掃描電鏡斷裂失效分析

中圖儀器SEM掃描電鏡斷裂失效分析采用鎢燈絲電子槍，其電子槍發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好，以及對(duì)真空度要求不高，使得鎢燈絲臺(tái)式掃描電鏡能夠在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定的工作狀態(tài)并獲得清晰的圖像，從而提高了檢測(cè)效率

2025-06-17 15:02:09

鍍銀層氧化造成LED光源發(fā)黑現(xiàn)象的越來(lái)越多，成因復(fù)雜

由鍍銀層氧化導(dǎo)致發(fā)黑的LED光源LED光源鍍銀層發(fā)黑跡象明顯，這使我們不得不做出氧化的結(jié)論。但EDS能譜分析等純?cè)?b class="flag-6" style="color: red">分析檢測(cè)手段都不易判定氧化，因?yàn)榇嬖谟诳諝猸h(huán)境、樣品表面吸附以及封裝膠等有機(jī)物中

2025-06-13 10:40:24

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實(shí)驗(yàn)室智慧配電房建設(shè)方案：打造安全高效的電力保障

文章由山東華科信息技術(shù)有限公司提供在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中，電力供應(yīng)的穩(wěn)定性和安全性至關(guān)重要。智慧配電房作為現(xiàn)代電力管理的新模式，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)配電系統(tǒng)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、智能分析和自動(dòng)化控制，為實(shí)驗(yàn)室提供安全、高效

2025-06-10 09:40:09

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紫光同芯抗量子算法賦能電子證件

近日，2025安全識(shí)別技術(shù)展覽會(huì)暨高峰論壇期間，紫光同芯證件產(chǎn)品線總經(jīng)理王清智發(fā)表了《抗量子算法賦能電子證件》的主題演講，系統(tǒng)闡述了量子計(jì)算對(duì)現(xiàn)代密碼體系的沖擊及應(yīng)對(duì)策略，分析了抗量子算法技術(shù)路線，旨在為電子護(hù)照等高安全場(chǎng)景的量子安全升級(jí)提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。

2025-06-05 10:27:37

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如何做好LED支架鍍銀層的來(lái)料檢驗(yàn)工作

LED支架的鍍銀層質(zhì)量非常關(guān)鍵，關(guān)系到LED光源的壽命。電鍍銀層太薄，電鍍質(zhì)量差，容易使支架金屬件生銹，抗硫化能力差，從而使LED光源失效。即使封裝了的LED光源也會(huì)因鍍銀層太薄，附著力不強(qiáng)，導(dǎo)致

2025-05-29 16:13:33

597

利用納米壓痕技術(shù)評(píng)估襯底和膜層的脆性

了一套簡(jiǎn)明的納米壓痕實(shí)驗(yàn)的組合，旨在評(píng)估襯底和外延層的脆性，并為半導(dǎo)體制造商提供反饋，以減少在制造過(guò)程中可能產(chǎn)生和擴(kuò)展的潛在缺陷。

2025-05-16 17:26:02

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MDD穩(wěn)壓二極管失效模式分析：開(kāi)路、熱擊穿與漏電問(wèn)題排查

在電子系統(tǒng)中，MDD穩(wěn)壓二極管（ZenerDiode）憑借其在反向擊穿區(qū)域的穩(wěn)定電壓特性，被廣泛應(yīng)用于電壓參考、過(guò)壓保護(hù)和穩(wěn)壓電路中。然而在實(shí)際應(yīng)用中，穩(wěn)壓管并非“永不失手”。其失效往往會(huì)直接影響

2025-05-16 09:56:08

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LED產(chǎn)品SMT生產(chǎn)流程防硫注意事項(xiàng)

在LED應(yīng)用產(chǎn)品SMT生產(chǎn)流程中硫化最可能出現(xiàn)在回流焊接環(huán)節(jié)。因?yàn)榻痂b從發(fā)生的各種不良案例來(lái)看，支架銀層硫化的強(qiáng)烈、快慢程度與硫含量、以及溫度、時(shí)間有直接關(guān)系。而回流焊環(huán)節(jié)是典型的高溫高濕的環(huán)境

2025-05-15 16:07:34

706

離子研磨在芯片失效分析中的應(yīng)用

芯片失效分析中對(duì)芯片的截面進(jìn)行觀察，需要對(duì)樣品進(jìn)行截面研磨達(dá)到要觀察的位置，而后再采用光學(xué)顯微鏡（OM Optical Microscopy）或者掃描電子顯微（SEM Scanning Electron Microscopy）進(jìn)行形貌觀察。

2025-05-15 13:59:00

1657

元器件失效分析有哪些方法？

失效分析的定義與目標(biāo)失效分析是對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷的過(guò)程。其核心目標(biāo)是確定失效模式和失效機(jī)理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式，例如開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等；而失效機(jī)理則是指導(dǎo)

2025-05-08 14:30:23

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LED燈珠變色發(fā)黑與失效原因分析

LED光源發(fā)黑現(xiàn)象LED光源以其高效、節(jié)能、環(huán)保的特性，在照明領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，LED光源在使用過(guò)程中出現(xiàn)的發(fā)黑現(xiàn)象，卻成為了影響其性能和壽命的重要因素。LED光源黑化的多重原因分析LED

2025-04-27 15:47:07

2224

鍍銀銅編織帶軟連接

工況下的電氣連接問(wèn)題。本文將全面介紹鍍銀銅編織帶軟連接的特性、生產(chǎn)工藝、應(yīng)用場(chǎng)景及選購(gòu)要點(diǎn)，為相關(guān)行業(yè)人士提供專業(yè)參考。一、材料特性與優(yōu)勢(shì)分析鍍銀銅編織帶軟連接的核

2025-04-26 10:22:42

668

破局SiC封裝瓶頸 | 攻克模組失效分析全流程問(wèn)題

分析方面面臨諸多挑戰(zhàn)，尤其是在化學(xué)開(kāi)封、X-Ray和聲掃等測(cè)試環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)技術(shù)尚不成熟。基于此，廣電計(jì)量集成電路測(cè)試與分析研究所推出了先進(jìn)封裝SiC功率模組失效分析技

2025-04-25 13:41:41

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MOSFET失效原因及對(duì)策

一、主要失效原因分類MOSFET 失效可分為外部應(yīng)力損傷、電路設(shè)計(jì)缺陷、制造工藝缺陷三大類，具體表現(xiàn)如下：1. 外部應(yīng)力損傷（1）靜電放電（ESD）擊穿· 成因· MOSFET 柵源極（G-S）間

2025-04-23 14:49:27

AEC-Q102之硫化氫試驗(yàn)

AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)作為汽車電子委員會(huì)制定的重要規(guī)范，為汽車級(jí)集成電路的可靠性測(cè)試提供了明確的指導(dǎo)。其中，硫化氫（H?S）試驗(yàn)是AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)中極具代表性的測(cè)試項(xiàng)目之一，它專注于評(píng)估集成電路在

2025-04-18 12:01:43

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MDD超快恢復(fù)二極管的典型失效模式分析：如何避免過(guò)熱與短路？

使用環(huán)境導(dǎo)致失效，常見(jiàn)的失效模式主要包括過(guò)熱失效和短路失效。1.過(guò)熱失效及其規(guī)避措施過(guò)熱失效通常是由于功率損耗過(guò)大、散熱不良或工作環(huán)境溫度過(guò)高導(dǎo)致的。主要成因包括：正向

2025-04-11 09:52:17

685

電子元器件失效分析與典型案例（全彩版）

本資料共分兩篇,第一篇為基礎(chǔ)篇，主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術(shù)及儀器設(shè)備;第二篇為案例篇，主要介紹了九類元器件的失效特點(diǎn)、失效模式和失效機(jī)理以及有效的預(yù)防和控制措施,并給出九類

2025-04-10 17:43:54

雙851000h(THB)和HAST96h實(shí)驗(yàn)，誰(shuí)的實(shí)驗(yàn)理論壽命更長(zhǎng)？

(這也許就是很多封裝廠HAST實(shí)驗(yàn)后不關(guān)注分層的原因)，因此從可能導(dǎo)致的額外失效來(lái)講，HAST 96同樣強(qiáng)度高于雙85。

2025-04-01 10:16:11

從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性

深度分析：從IGBT模塊可靠性問(wèn)題看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性某廠商IGBT模塊曾因可靠性問(wèn)題導(dǎo)致國(guó)內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元，這一案例凸顯了功率半導(dǎo)體模塊可靠性測(cè)試的極端重要性。國(guó)產(chǎn)SiC

2025-03-31 07:04:50

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詳解半導(dǎo)體集成電路的失效機(jī)理

半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外，還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。

2025-03-25 15:41:37

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HDI板激光盲孔底部開(kāi)路失效原因分析

高密度互聯(lián)（HDI）板的激光盲孔技術(shù)是5G、AI芯片的關(guān)鍵工藝，但孔底開(kāi)路失效卻讓無(wú)數(shù)工程師頭疼！SGS微電子實(shí)驗(yàn)室憑借在失效分析領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)，總結(jié)了一些失效分析經(jīng)典案例，旨在為工程師提供更優(yōu)

2025-03-24 10:45:39

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PCB失效分析技術(shù)：保障電子信息產(chǎn)品可靠性

問(wèn)題。為了確保PCB的質(zhì)量和可靠性，失效分析技術(shù)顯得尤為重要。外觀檢查外觀檢查是失效分析的第一步，通過(guò)目測(cè)或借助簡(jiǎn)單儀器（如立體顯微鏡、金相顯微鏡或放大鏡）對(duì)PC

2025-03-17 16:30:54

935

封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備

本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì)，然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。

2025-03-13 14:45:41

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太誘電容的失效分析：裂紋與短路問(wèn)題

太誘電容的失效分析，特別是針對(duì)裂紋與短路問(wèn)題，需要從多個(gè)角度進(jìn)行深入探討。以下是對(duì)這兩個(gè)問(wèn)題的詳細(xì)分析：一、裂紋問(wèn)題裂紋成因：熱膨脹系數(shù)差異：電容器的各個(gè)組成部分(如陶瓷介質(zhì)、端電極

2025-03-12 15:40:02

1222

VirtualLab Fusion應(yīng)用：抗反射蛾眼結(jié)構(gòu)的仿真

供了嚴(yán)格的傅里葉模態(tài)方法（FMM）進(jìn)行分析。本案例演示了分析和優(yōu)化蛾眼結(jié)構(gòu)的典型工作流程。抗反射蛾眼的嚴(yán)格分析與設(shè)計(jì) 借助傅立葉模態(tài)方法和VirtualLab Fusion中的參數(shù)優(yōu)化，我們演示

2025-03-11 08:54:29

高密度封裝失效分析關(guān)鍵技術(shù)和方法

高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展，同時(shí)也給失效分析過(guò)程帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復(fù)雜、線寬微小的高密度封裝分析需求，需要針對(duì)具體分析對(duì)象對(duì)分析手法進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。

2025-03-05 11:07:53

1289

FIBBR菲伯爾鍍銀DP80電競(jìng)線 | 次世代顯卡的理想伙伴

顯得尤為重要。菲伯爾FIBBR鍍銀DP80電競(jìng)線，正是為追求高水準(zhǔn)游戲體驗(yàn)的玩家所設(shè)計(jì)的一款優(yōu)選產(chǎn)品。為何50系顯卡用戶傾向于選擇鍍銀DP80電競(jìng)線？DP2.1接

2025-02-28 15:22:37

803

硫化氫傳感器量程選擇及選型技術(shù)指南

1. 硫化氫氣體特性與危害分析硫化氫（H?S）為無(wú)色可燃?xì)怏w，分子量34.08，具有典型臭蛋氣味。其可燃范圍為4.3%~45.5% VOL，自燃溫度260℃。作為神經(jīng)毒劑，其毒性作用靶點(diǎn)集中于

2025-02-25 10:15:24

1072

膜層厚度臺(tái)階高度測(cè)量?jī)x

相匹配的電信號(hào)并最終轉(zhuǎn)換為數(shù)字點(diǎn)云信號(hào)，數(shù)據(jù)點(diǎn)云信號(hào)在分析軟件中呈現(xiàn)并使用不同的分析工具來(lái)獲取相應(yīng)的臺(tái)階高或粗糙度等有關(guān)表面質(zhì)量的數(shù)據(jù)。 NS系列膜層厚度

2025-02-21 14:05:13

DLPC3433部分DSI失效的原因？如何解決？

部分板子，在無(wú)法實(shí)現(xiàn)第4步，始終無(wú)法顯示系統(tǒng)輸出的DSI，接入后，仍然是馬賽克圖案。我們可以確保我們輸出的DSI沒(méi)有問(wèn)題，因?yàn)檎０遄邮强梢暂敵鐾暾腄SI視頻信息，同時(shí)我們是同一批生產(chǎn)的板子，目前出現(xiàn)不一致的情況。請(qǐng)求幫助：分析DLPC3433部分DSI失效的原因，以及改進(jìn)的措施

2025-02-21 07:24:24

芯片失效分析的方法和流程

? 本文介紹了芯片失效分析的方法和流程，舉例了典型失效案例流程，總結(jié)了芯片失效分析關(guān)鍵技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和對(duì)策，并總結(jié)了芯片失效分析的注意事項(xiàng)。 ? ? 芯片失效分析是一個(gè)系統(tǒng)性工程，需要結(jié)合電學(xué)測(cè)試

2025-02-19 09:44:16

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電纜護(hù)層環(huán)流數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)：能否助力電網(wǎng)運(yùn)維智能化

產(chǎn)品別名：電纜護(hù)層接地環(huán)流監(jiān)測(cè)裝置、電纜護(hù)層環(huán)流預(yù)警系統(tǒng)、智能電纜護(hù)層環(huán)流監(jiān)測(cè)裝置、電纜護(hù)層環(huán)流數(shù)據(jù)分析系統(tǒng) 產(chǎn)品型號(hào)： TLKS-PLGD 一、產(chǎn)品描述：隨著智能電網(wǎng)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力運(yùn)維

2025-02-18 17:47:14

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工業(yè)級(jí)連接器的抗UV性能分析

工業(yè)級(jí)連接器的抗UV性能是評(píng)估其戶外應(yīng)用可靠性的一項(xiàng)重要指標(biāo)。以下是對(duì)工業(yè)級(jí)連接器抗UV性能的詳細(xì)分析：一、紫外線（UV）對(duì)連接器的影響 1. 表面氧化：長(zhǎng)期暴露在UV光下，金屬表面容易形成氧化層

2025-02-18 09:50:08

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ADS1298能抗高頻電刀干擾嗎？

請(qǐng)問(wèn)ADS1298能在手術(shù)室環(huán)境使用嗎，能抗高頻電刀干擾嗎？

2025-02-11 08:36:48

雪崩失效和過(guò)壓擊穿哪個(gè)先發(fā)生

在電子與電氣工程領(lǐng)域，雪崩失效與過(guò)壓擊穿是兩種常見(jiàn)的器件失效模式，它們對(duì)電路的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同的，但它們之間存在一定的聯(lián)系和相互影響。本文將深入探討雪崩失效與過(guò)壓擊穿的發(fā)生順序、機(jī)制、影響因素及預(yù)防措施，為技術(shù)人員提供全面、準(zhǔn)確的技術(shù)指導(dǎo)。

2025-01-30 15:53:00

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PCB及PCBA失效分析的流程與方法

PCB失效分析：步驟與技術(shù)作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~PCB（PrintedCircuitBoard，印刷電路板）已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關(guān)鍵的部分，其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定

2025-01-20 17:47:01

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整流二極管失效分析方法

整流二極管失效分析方法主要包括對(duì)失效原因的分析以及具體的檢測(cè)方法。一、失效原因分析防雷、過(guò)電壓保護(hù)措施不力：整流裝置未設(shè)置防雷、過(guò)電壓保護(hù)裝置，或保護(hù)裝置工作不可靠，可能因雷擊或過(guò)電壓而損壞

2025-01-15 09:16:58

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LED失效分析重要手段——光熱分布檢測(cè)

光熱分布檢測(cè)意義在LED失效分析領(lǐng)域，光熱分布檢測(cè)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。LED作為一種高效的照明技術(shù)，其性能和壽命受到多種因素的影響，其中光和熱的分布情況尤為關(guān)鍵。光熱分布不均可能導(dǎo)致芯片界面

2025-01-14 12:01:24

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如何有效地開(kāi)展EBSD失效分析

失效分析的重要性失效分析其核心任務(wù)是探究產(chǎn)品或構(gòu)件在服役過(guò)程中出現(xiàn)的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂、環(huán)境應(yīng)力開(kāi)裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類型。深入剖析失效機(jī)理，有助于工程師

2025-01-09 11:01:46

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硫化機(jī)PLC數(shù)據(jù)采集遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)方案

硫化機(jī)是一種對(duì)各種橡塑制品進(jìn)行硫化的自動(dòng)化設(shè)備，具有定時(shí)鎖模、自動(dòng)補(bǔ)壓、自動(dòng)控溫、自動(dòng)計(jì)時(shí)、到時(shí)報(bào)警等功能，成為橡膠行業(yè)的重要設(shè)備。目前，多數(shù)硫化機(jī)只是實(shí)現(xiàn)PLC單機(jī)自動(dòng)控制，對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行本地化

2025-01-07 17:20:09

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PCBA三防漆工藝腐蝕失效分析

三防漆也叫保固型涂層（Conformal Coating），是指增加一層防護(hù)涂層來(lái)保護(hù)產(chǎn)品、提高產(chǎn)品的可靠性，三防漆起著隔離電子元件和電路基板與惡劣環(huán)境的作用。性能優(yōu)異的三防漆可以大大提高電子產(chǎn)品

2025-01-06 18:12:04

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鍍銀層抗硫化實(shí)驗(yàn)失效分析

評(píng)論