摘要
在高濕度環(huán)境下,貼片薄膜電阻可能因“電化學(xué)腐蝕”導(dǎo)致電阻膜層損傷,進(jìn)而引發(fā)失效。為提升電阻器的耐濕性能,制造商通常采用兩種方法:一是在電阻膜層表面制造保護(hù)膜以隔絕濕氣;二是采用本身不易發(fā)生電化學(xué)腐蝕的材料制備電阻膜層。
常規(guī)的穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)難以準(zhǔn)確評估貼片薄膜電阻的耐濕性能,因此一般依據(jù)“雙85測試”的結(jié)果進(jìn)行判斷。在該測試中,電阻值變化較小的產(chǎn)品通常表現(xiàn)出更優(yōu)異的耐濕性能,而變化較大的產(chǎn)品則相對較差。經(jīng)過多方面對比,若需選用高耐濕性的貼片精密薄膜電阻,開步電子(睿思RESI)旗下的PTFR系列產(chǎn)品是一個(gè)具備競爭力的選擇。
01 薄膜電阻在高濕環(huán)境下的失效原理
貼片薄膜電阻在高濕環(huán)境下失效是因?yàn)樗魵膺M(jìn)入電阻內(nèi)部結(jié)構(gòu)后,水汽與電阻膜層材料之間形成了“電化學(xué)腐蝕”中的”電解池“結(jié)構(gòu),從而導(dǎo)致電阻膜層發(fā)生改變。在此我們簡單介紹一下”電解池“的基本概念。
當(dāng)直流電源的正極和負(fù)極均浸入電解質(zhì)溶液或熔融電解質(zhì)中時(shí),與電源正極相連的導(dǎo)體(稱為陽極)會(huì)發(fā)生氧化反應(yīng),而與電源負(fù)極相連的導(dǎo)體(稱為陰極)則發(fā)生還原反應(yīng)。其中,與正極連接的部分失電子能力越強(qiáng),就越容易發(fā)生氧化反應(yīng)。活潑金屬的失電子能力通常強(qiáng)于氫氧根離子,因此會(huì)優(yōu)先被氧化,由固態(tài)金屬轉(zhuǎn)化為可溶于水的金屬離子,造成材料腐蝕。
下圖為常見的貼片薄膜電阻的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。當(dāng)濕氣金屬電阻內(nèi)部后,其微觀結(jié)構(gòu)如下圖所示:
當(dāng)電阻體通電時(shí),根據(jù)電流方向會(huì)形成圖示的“電解池”結(jié)構(gòu),當(dāng)電流持續(xù)加載時(shí),陽極部分的導(dǎo)體被持續(xù)轉(zhuǎn)化為金屬離子,導(dǎo)致導(dǎo)體材料產(chǎn)生缺損,使得流動(dòng)的橫截面積減小,產(chǎn)生例如電阻器的電阻值增大、負(fù)載能力下降等影響,隨著電流的長時(shí)間加載,陽極的電阻膜層被持續(xù)腐蝕直到電阻膜層消失,電阻器斷路失效。
02提升薄膜電阻耐濕能力的方法
提升電阻器耐濕性能的方法可分為兩個(gè)方向:
1、將電阻膜層材料改換為不發(fā)生電化學(xué)腐蝕的材料
(ps:方阻指的是單位面積薄膜的電阻值)
a)當(dāng)前主流薄膜電阻膜層材料及其特性如下表所示。在眾多材料中,氮化鉭(TaN)因其電阻率適中、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,并且可通過在氮?dú)猸h(huán)境中濺射鉭靶材進(jìn)行制備,而被廣泛用于制造高耐濕性能的貼片薄膜電阻。
與以鎳鉻合金為電阻膜層的傳統(tǒng)薄膜電阻相比,氮化鉭薄膜從根本上杜絕了電化學(xué)腐蝕的風(fēng)險(xiǎn),但也帶來了一些局限性,例如電阻值的覆蓋范圍變窄、溫度系數(shù)性能有所下降等。
值得注意的是,目前主流制造商生產(chǎn)的氮化鉭薄膜電阻,普遍采用99.6%純度的高純度氧化鋁陶瓷基板。筆者推測,其原因可能在于高純度氧化鋁基板表面平整度更佳,不易積聚水汽和污染物,從而有助于提升電阻器在潮濕環(huán)境中的穩(wěn)定性。
| 電阻膜層材料 | 方阻(Ω/sq) | 特性 |
| 氮鉭薄膜 | 10~150 | 極好的抗?jié)駳饽芰?/td> |
| 硅鉻薄膜 | 500~1500 | 適合實(shí)現(xiàn)小尺寸大阻值 |
| 鎳鉻薄膜 | 20~350 | 極好的TCR特性 |
2.是通過添加保護(hù)層,將電阻膜層與外界濕氣有效隔離。
目前常用的保護(hù)涂層主要包括以下兩種:
a)氧化物膜:在電阻膜層沉積完成后,通常需通過熱處理來提高其穩(wěn)定性。若將電阻置于弱氧化氣氛中進(jìn)行該處理,能在電阻最外層形成一層致密且化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的金屬氧化物薄膜,從而提升產(chǎn)品的耐濕性能。然而,氧化物層的厚度不同會(huì)對電阻性能產(chǎn)生不同且不可逆的影響,因此這一工藝對制造廠商的技術(shù)水平提出了較高要求。
b)無機(jī)保護(hù)膜:采用PCVD(化學(xué)氣相沉積)等方法,在電阻膜層表面覆蓋一層致密的無機(jī)薄膜(以二氧化硅和氮化硅為主)。該薄膜能有效阻隔外界水汽與電阻膜層的接觸,在保留鎳鉻膜層優(yōu)異穩(wěn)定性的同時(shí),顯著提升電阻器的抗?jié)衲芰Α?/p>
03電阻器耐濕性能的評估標(biāo)準(zhǔn)
下表是用于測試電阻器產(chǎn)品耐濕性能的常見方式。值得注意的是,為確保準(zhǔn)確評估其耐濕性能,應(yīng)使電阻器內(nèi)部存留一定的水汽。若電阻器在滿功率負(fù)載下運(yùn)行,其內(nèi)部溫度過高,表面及周圍難有水汽殘留,缺乏發(fā)生“電化學(xué)腐蝕”的必要條件,因此“穩(wěn)態(tài)濕熱”測試往往難以準(zhǔn)確反映其耐濕性能。
相比之下,“雙85測試”和“耐濕性測試”均在高溫高濕環(huán)境中進(jìn)行,且加載較低功率或不加載功率,確保了電阻周圍存在一定水汽,從而能夠更真實(shí)地評估耐濕性能。為此,對可靠性要求極高的標(biāo)準(zhǔn)——如“AEC-Q200”和“MIL-PRF-55342”——均將這兩項(xiàng)測試作為評估電阻器耐濕性能的重要依據(jù)。
在同一測試標(biāo)準(zhǔn)下,通常通過比較電阻器在試驗(yàn)前后的阻值變化率來評判其耐濕性能的優(yōu)劣:電阻值變化率越小,表明耐濕性能越強(qiáng);變化率越大,則耐濕性能越弱。
| 測試名 | 測試內(nèi)容 | 測試標(biāo)準(zhǔn) |
| Damp Heat with Load/穩(wěn)態(tài)濕熱 | 在40±2℃,90~95%相對濕度的環(huán)境下,加載額定功率,通電90min,斷電30min,共1000h。 | IEC-60115-1 4.24 |
| Biased Humidity/雙85測試 | 在85℃,85%相對濕度的環(huán)境下,持續(xù)加載1/10額定功率共1000h。 | AEC-Q200 Test 7 |
| Moisture Resistance/耐濕性測試 | 95%RH,在25℃與65℃不加載靜置8h,十天內(nèi)循環(huán)3次。 | MIL-PRF-55342 |
04各貼片薄膜電阻實(shí)際耐濕性能對比
這里我們對不同廠家的貼片薄膜電阻的耐濕性能進(jìn)行對比,下表中數(shù)據(jù)均摘自各產(chǎn)品的規(guī)格書:
| 系列 | 品牌屬地 | 膜層技術(shù) | 測試內(nèi)容 | 結(jié)果 |
| PTFR | 中國大陸 | 鎳鉻薄膜 | 雙85測試 | △R≤±0.05% |
| AT | 中國大陸 | 鎳鉻薄膜 | 雙85測試 | △R≤±0.2% |
| AR-A | 中國臺(tái)灣 | 鎳鉻薄膜 | 雙85測試 | △R≤±0.1% |
| RN73H | 日本 | 鎳鉻薄膜 | 雙85測試 | △R≤±0.1% |
| ERAA | 日本 | 鎳鉻薄膜 | 雙85測試 | △R≤±0.1% |
| RNCE | 美國 | 鎳鉻薄膜 | 雙85測試 | △R≤±0.1% |
| CRT-A | 美國 | 鎳鉻薄膜 | 雙85測試 | △R≤±0.1% |
下圖為開步電子的PTFR系列產(chǎn)品在“雙85測試”中的長時(shí)間性能表現(xiàn)情況,從圖中可以看到發(fā)現(xiàn)PTFR系列產(chǎn)品在該測試條件下測試10000h后,電阻值的變化范圍仍舊在±0.1%以內(nèi),結(jié)合此前對比的各薄膜電阻在”雙85測試“中的測試結(jié)果,我們可以判斷開步電子旗下的PTFR系列產(chǎn)品的耐濕性能極佳,在高濕度的條件下的長期使用性能表現(xiàn)極其穩(wěn)定,因此,當(dāng)需要選擇一款高耐濕性能的貼片精密電阻或產(chǎn)品使用環(huán)境有高濕度風(fēng)險(xiǎn)時(shí),開步電子的PTFR系列是一個(gè)極其可靠的選擇。

審核編輯 黃宇
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