基于Crosslight公司先進的半導體器件設計平臺，我司技術團隊成功開發了可應用于半導體器件的熱學仿真模型，該模型的成功開發有助于科研人員深入分析器件工作過程中熱效應對器件性能的影響，為分析器件內部機理提供了重要的參考價值。

一、熱學仿真模型助力高效率DUV LED芯片開發

基于此模型，我司技術團隊將電導調制效應應用到深紫外發光二極管(DUV LED)中，即利用圖(a)、(b)所示的PNP-AlGaN電流擴展層減小DUV LED的電流擁擠效應，從而實現DUV LED內部的電導調制；該技術方案有助于減小DUV LED的正向工作電壓，降低器件結溫，并大幅提升發光效率；如圖(c)、(d)所示，實驗和仿真計算的光功率和外量子效率高度吻合；此外，根據圖(e)、(f)可知，相比于參考器件LED R而言，LED A有效緩和了器件的熱效應，使其內部熱量分布更加均勻。

二、熱學仿真模型助力高質量VCSEL芯片開發

同時，我司技術團隊成功將該熱學仿真模型應用于GaN基垂直腔面發射激光器(GaN VCSEL)，該模型的成功開發有助于研究人員更好地分析熱量分布對GaN VCSEL激光功率、電光轉換效率以及效率衰減(rollover)的影響，為深入分析VCSEL內部的熱量及溫度分布提供了重要的參考價值。基于此模型，我司技術團隊進一步揭示了PNP-GaN電流擴展層有助于提高GaN VCSEL激光功率并緩和效率衰減效應；此外，根據結溫分布圖可知，當采用PNP-GaN電流擴展層時，器件的熱量分布更加均勻。

以上研究成果極大程度上拓寬了研究人員在高性能半導體光電器件的設計和制備方面研究思路，更好地幫助研究人員了解半導體光電器件的熱學特性，從而有針對性地設計器件結構來改善器件的性能。

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