據悉，蘋果 A12 仿生芯片內部集成 69 億個晶體管，其晶體管密度為 8390 萬個/平方毫米，而 A11 仿生芯片的晶體管密度為 4900 萬個/平方毫米。對比之下，蘋果 A12 仿生芯片每平方毫米
2018-10-05 08:48:55
3996 Intel、三星、臺積電在10nm領域較勁的時候，藍色巨人攜測試版的7nm芯片強勢到來，據悉，相較10nm，使用7nm制程后的面積將所縮小近一半，但同時因為能容納更多的晶體管（200億+），效能也會
2015-07-23 16:38:172542 三星本周宣布，將定于今年晚些時候投產第二代10nm芯片生產工藝。目前，三星已經在美國硅谷開始向多個半導體公司推廣自家的14nm工藝。臺積電計劃在2017年上半年試產7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 2016年各大晶圓廠的主流工藝都是14/16nm FinFET工藝，Intel、TSMC及三星明年還要推10nm工藝，由于Intel也要進軍10nm代工了，這三家免不了一場大戰。但是另一家代工廠
2016-08-17 16:59:403049 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會量產了，Intel的真·10nm處理器也會在明年下半年發布，而GlobalFoundries已經確定跳過10nm節點，他們下一個高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權，是自己研發的。
2016-11-08 11:57:171360 隨著半導體制造工藝的提升，晶體管密度提升越來越困難，摩爾定律的存廢也引起了很大的爭議。14nm工藝的延期打亂了Intel的Tick-Tock戰略，后面的產品也不得不跟著變化，首款14工藝產品
2017-01-02 21:14:081298 三星與臺積電工藝之戰從三星跳過20nm工藝而直接開發14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭，無論誰領先一步，都是半導體工藝的重大突破。 在半導體代工市場上，臺積電一直都以領先的工藝
2017-03-02 01:04:492107 一、前言：14nm的巔峰！Intel主流平臺迎來10核心 曾經有一段時間筆者也難以理解，為什么早在2018年筆記本端的i3-8121U處理器就用上了10nm制程工藝，而桌面上最新十代酷睿還在堅持
2020-07-28 16:27:2120374 
近日，有臺媒對比了半導體工藝10nm及以下制程的技術指標演進對比圖，其中技術指標主要是看晶體管密度，也就是每平方毫米的晶體管數量。由于目前僅有Intel、臺積電、三星等少數幾家廠商掌握了10nm以下
2021-07-17 07:14:005705 臺積電和三星一直都是屬于競爭狀態，近日高通宣布旗下的7nm 5G芯片由三星代工，臺積電再一次落后三星。比較當前的10nm FinFET工藝，7nm會在某些地方更占優勢。
2018-02-24 10:14:531472 三星官方宣布，已經開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產工作。據悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機器采購自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W)，日產能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 3nm工藝，外媒的報道顯示，臺積電是計劃每平方毫米集成2.5億個晶體管。 作為參考，采用臺積電7nmEUV工藝的麒麟9905G尺寸113.31mm2，晶體管密度103億，平均下來是0.9億/mm2，3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個密度形象化比喻一下，就是將奔騰4處理器縮小到
2020-04-20 11:27:495155 晶體管制造工藝在近年來發展得不是非常順利，行業巨頭英特爾的主流產品長期停滯在14nm上，10nm工藝性能也遲遲得不到改善。臺積電、三星等巨頭雖然在積極推進7nm乃至5nm工藝，但是其頻率和性能
2020-07-07 11:38:14
很多晶體管組成的。芯片制程是指在芯片中，晶體管的柵極寬度。因為在整個芯片中，晶體管的柵極是整個電路中最窄的線條。如果柵極寬度為10nm，則稱其為10nm制程。納米數越小，比如從10nm到 7nm，就可以
2019-12-10 14:38:41
方式來改進電容器表現，但穩定性尚未達到預期水平，很可能會拖慢 1c nm 進度。
半導體業內人士表示，“從三星電子的角度來看，剩下的任務是穩定搭載在HBM上的DRAM以及封裝技術。”
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發發表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
以些許性能優勢擊敗三星，并使其16nm工藝于隔年獨拿了Apple的A10處理器(iPhone 7)訂單。2017年，三星卷土重來，自主設計了10nm技術工藝的Exynos8895(名稱源于希臘單詞
2018-06-14 14:25:19
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復合材料又是怎么一回事呢？面對美國的技術突破，中國應該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業內最重要的代工企業臺積電、三星和GF（格羅方德），在半導體工藝的發展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
密度和性能都變得更好，根據臺積電給出的數據，相較于初代7nm工藝，7nm EUV（N7+）可以提供1.2倍的密度提升，同等功耗水平下提供10%的性能增幅，或者同性能節省15%的功耗。 現在三星和臺積電
2020-07-07 14:22:55
10月7日，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管
2016-10-08 09:25:15
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
開始生產。此舉也創下二次擊敗勁敵三星、獨吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年營收持續增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
壇上，其總經理兼聯合CEO劉德音表示，他們早已制造出7nm的SRAM，并確認10nm將在2016年初試產，7nm則預期在2017年Q1開試。報道稱，臺積電非常高興，因為終于超過英特爾了。他們還趁熱預告
2016-01-25 09:38:11
Intel CEO Paul Otellini近日對投資者透露， 半導體 巨頭已經開始了7nm、5nm工藝的研發工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時代的遠景規劃。 他說：我們的研究和開發是相當深遠的，我是
2012-05-14 09:17:51789 
2016年半導體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個節點是10nm，三方都會在明年量產，不過
2016-05-30 11:53:531179 導語：聯發科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產。
2016-07-28 19:00:27868 的10nm訂單都會交給三星，以及Intel將打造10nm ARM芯片，不過代工廠商GlobalFoundries卻爆料，“AMD下代處理器將直奔7nm工藝”。
2016-08-19 14:34:101024 晶體管通道的硅底板進行的從負極流向正極的運動，也就是漏電。在柵長大于7nm的時候一定程度上能有效解決漏電問題。不過，在采用現有芯片材料的基礎上，晶體管柵長一旦低于7nm，晶體管中的電子就很容易產生隧穿效應。
2016-10-10 16:49:396418 近日，三星電子宣布已經開始采用10nm FinFET工藝量產邏輯芯片，三星也成為了業內首家大規模采用10納米工藝的廠商。前段時間，韓國《電子時報》報道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101451 特爾的10nm工藝可是要完全領先臺積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 Intel宣布投資70億美元升級Fab 42工廠，3-4年后準備生產7nm工藝，拉開了下下代半導體工藝競爭的帷幕。 Intel宣布投資70億美元升級Fab 42工廠，3-4年后準備生產7nm工藝
2017-02-11 02:21:11563 
%的性能提升。 那么我們不禁要問，Intel的10nm怎么了? 先就本次投資會議，Intel表示，數據中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾證實，搭載10nm芯片筆記本產品會在今年底出貨。 這其實不難理解。由于8代酷睿還是下半年上市，局面很可能是
2017-02-11 02:23:11431 近日有韓國媒體透露，為了爭奪2018年的蘋果A系列芯片訂單，三星已經在加速7nm工藝的開發進程。而且，三星還對自己的工藝和日后的搶單行動非常有信心。這個時候，蘋果A10芯片供應商臺積電就有話要說了。臺積電日前向媒體透露，其第一代7nm工藝所生產的芯片良品率已經高達76%。
2017-03-20 09:26:01881 英特爾此前已經談論過多次 10 納米的 Cannon Lake 芯片了，超級10nm領先一切對手,性能升25%功耗降45%,英特爾已經有能力在1平方毫米中塞下1億個晶體管，絕對是行業歷史上史無前例的。
2017-04-05 18:01:142446 臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 工藝制程的進步是摩爾定律的關鍵一環，目前商用的最先進是10nm，下一個關鍵節點是7nm，后者將宣告半導體正式邁進入10nm階段。
2017-07-25 15:13:241223 作為科技行業著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm制程已經跳票三年之久，每當一款新的處理器發布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091 Intel的第一款10nm CPU已經公布為i3-8121U，一款TDP只有15W的移動版產品，其中聯想IdeaPad 330拿下了首發，產品已經開賣；后續，還有下個月的Crimson Canyon NUC要使用。
2018-05-18 11:49:001063 Intel就這么低調地公布了首款10nm處理器，型號i3-8121U。
2018-05-17 15:38:003449 
關鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭，三星此前也已經宣布了其7nm LPP工藝將會在2018年下半年投入生產，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術。
2018-05-25 11:09:004079 由于晶體管制造的復雜性，每代晶體管制程針對不同用途的制造技術版本，不同廠商的代次間統計算法也完全不同，單純用代次來比較并不準確。根據目前業界常用晶體管密度來衡量制程水平，英特爾最新10nm制程的晶體管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。
2018-07-10 16:31:004668 
Intel的10nm CPU的大規模出貨拖延到明年，目前只有一款Core i3-8121U用在聯想的筆記本上，而且相當低調，完全沒有大規模宣傳。
2018-06-28 11:38:00827 CPU 采用了 10-nm 的 Cannon Lake 架構，更令人驚訝的是，它還整合了尚未發布的 Radeon 550 GPU 。此前消息稱，酷睿 i3-8121U 芯片為雙核 / 四線程 @ 2.2GHz，但 WinFuture 指出該 CPU 不支持睿頻。
2018-06-14 10:45:003514 Cannonlake架構的Core i3-8121處理器，通過分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達到了100MTr/mm2，是14nm節點的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
2018-06-14 11:08:006886 46屆Cowen技術大會上，AMD技術總監Mark Papermaster再一次向外公布朝向7nm工藝技術的發展，他表示7nm技術將會在晶體管密度和功耗上提升巨大，他還透露稱目前研發的7nm產品有三款，之后的產品都會應用7nm，下半年將會正式采樣。 本文引用地址: AMD現階段的12nm工藝
2018-07-06 10:33:00986 在說明AMD 7nm處理器和Intel 7nm處理器的分別之前，我們必須了解一點就是，由于10nm的難產，Intel在7nm工藝上遠遠落后于AMD，如果是在7nm制作工藝上沒什么對比性，當然實際性能就不一定了，因此我們可以主要來談談AMD的7nm處理器有什么改變。
2018-07-23 10:04:2320462 與16nm FF工藝相比，臺積電的7nm工藝（代號N7）將提升35%的性能，降低65%的能耗，同時晶體管密度是之前的三倍。2019年初則會推出EUV工藝的7nm+（代號N7+）工藝，晶體管密度再提升20%，功耗降低10%，不能性能沒有變化。
2018-08-17 10:28:3019290 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進入量產，并表示基于EUV光刻技術的7LPP工藝對比現有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 近日，SIA發了個聳人聽聞的新聞，說intel放棄了10nm工藝的研發，當然這肯定是假消息就是了，今天intel也出面辟謠。不過相信很多人也會覺得奇怪，那邊TSMC 7nm都量產了，三星也宣布風險試產了還上了EUV，為什么intel的10nm如此舉步維艱？
2018-10-25 09:34:447360 晶圓代工領域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯電和格芯相繼擱置7nm及以下先進制程的研發后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續與臺積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 原定2016年底量產的10nm拖到了2019年底，Intel目前僅敢在公開市場拿出Cannon Lake家族的“獨苗”i3-8121U撐門面。可是它僅僅雙核設計，甚至連核顯還給屏蔽了，足見產能的尷尬。
2018-12-07 14:36:471644 三星電子今天宣布，開始量產業界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 無疑這收獲了業界潮水般的質疑，為何其10nm一直難以出師？有分析稱，10nm工藝之難產的一個關鍵是最初指標定的太高。相比14nm工藝，10nm工藝的晶體管密度是前者的2.7倍，也就是2.7x的縮放水平
2018-12-18 10:37:333103 %的面積。作為對比，臺積電7nm工藝的驍龍855為73.27平方毫米、麒麟980為74.13平方毫米、蘋果A12為83.27平方毫米。顯然，介于10nm LPP和7nm LPP EUV工藝之間的三星8nm LPP工藝并不占優。
2019-03-14 16:19:483644 Intel雖然承諾將在今年底大規模量產10nm工藝產品，但從目前跡象看，初期還是集中在筆記本和低功耗領域，比如針對輕薄本的Ice Lake、首次采用3D Foveros封裝的Lakefield，服務器平臺更是要到2021年才會用上10nm。
2019-03-15 11:18:092973 
7nm工藝世代，天字一號代工廠臺積電可謂一騎絕塵，籠絡了幾乎所有大客戶的重要產品，而同期的三星只拿到了零星訂單，Intel甚至連10nm還沒搞出來，GlobalFoundries干脆宣布7nm及之后就不玩了。
2019-04-08 15:52:273710 在今天的投資者會議上，Intel向外界展示了未來三年的雄心壯志，在制程工藝上Intel還會繼續堅持三條路——14nm不放棄、10nm量產、7nm加速。10nm工藝這幾年來讓Intel吃盡了苦頭，不過
2019-05-09 15:19:032265 三星的3nm工藝節點采用的GAAFET晶體管是什么？
2019-05-17 15:38:5412185 
在上周的美國SFF晶圓代工論壇上，三星發布了新一代的邏輯工藝路線圖，2021年就要量產3nm工藝了，而且首發使用新一代GAA晶體管工藝，領先對手臺積電1年時間，領先Intel公司至少2-3年時間。
2019-05-20 16:43:4512335 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進工藝的良率學習平臺設計取得了重大突破，這將為三星后續5nm、4nm、3nm工藝的量產和良品率的提升奠定堅實基礎。
2019-07-09 17:13:485070 7nm工藝計劃2021年推出，相比10nm工藝晶體管密度翻倍，每瓦性能提升20%，設計復雜度降低了4倍。
2019-07-19 10:49:363405 今年AMD確實大打翻身仗，7nm銳龍3000系列處理器讓AMD在CPU處理器的工藝上首次超越了Intel。而當時Intel還在深耕14nm，好在最近Intel開始量產10nm工藝，而且7nm工藝也已經走上正軌。
2019-09-08 09:45:531222 7nm+ EUV節點之后，臺積電5nm工藝將更深入地應用EUV極紫外光刻技術，綜合表現全面提升，官方宣稱相比第一代7nm EDV工藝可以帶來最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:115945 Intel 10nm工藝遲到三年之后，仍然局限在低功耗移動領域，而且還需要14nm工藝的輔助，甚至一度有傳聞稱，Intel將在桌面上放棄10nm工藝，繼續使用14nm堅持兩年后將直接轉入7nm。
2019-11-03 10:03:40959 Intel 10nm工藝遲到三年之后，仍然局限在低功耗移動領域，而且還需要14nm工藝的輔助，甚至一度有傳聞稱，Intel將在桌面上放棄10nm工藝，繼續使用14nm堅持兩年后將直接轉入7nm。
2019-11-06 17:37:243663 高通今年發布的驍龍765系列處理器使用了三星的7nm EUV，這意味著三星的7nm工藝也可以量產了，這對其他半導體公司來說也是一個機遇，因為臺積電的7nm產能現在要搶，AMD的銳龍3000高端型號也遭遇了供不應求的問題，那AMD會使用三星代工嗎？
2019-12-12 10:54:243665 集微網消息，據外媒wccftech報道，英特爾在最近舉行的UBS會議上對外界澄清，該公司將不會跳過10nm直接采用7nm制程。
2019-12-16 14:52:172342 由于在7nm節點激進地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產。在這之后，三星已經加快了新工藝的進度，日前6nm工藝也已經量產出貨，今年還會完成3nm GAE工藝的開發。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm節點激進地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產。
2020-01-06 16:31:033601 根據三星的計劃，到2020年底，V1生產線的累計總投資將達到60億美元，預計7nm及以下工藝節點的總產能將比2019年增長三倍，目前的計劃是在第一季度開始交付其基于6nm和7nm的移動芯片。
2020-02-21 09:00:352667 Intel之前已經宣布在2021年推出7nm工藝，首發產品是數據中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因為Intel在這個節點會放棄FinFET晶體管轉向GAA晶體管。
2020-03-11 09:51:096774 
根據外媒WCCFTECH的報道，爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構將基于三星10nm制程，而不是之前報道的臺積電7nm工藝，據稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情，其晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm2！
2020-04-20 09:02:365294 近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情，其晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm2！
2020-04-20 09:09:154142 據國外媒體報道，圖形處理器廠商英偉達周四推出了他們首款基于安培架構的GPU英偉達A100，采用7nm工藝制造，集成超過540億個晶體管。
2020-05-15 10:33:423246 在近日的GTC上，Nvidia發布了最新的安培架構，以及基于安培架構的A100 GPU。A100 GPU使用臺積電7nm工藝實現，包含了542億個晶體管，據官方消息可以實現比起上一代V100高7倍的性能。
2020-05-20 10:17:503124 EUV，依靠現有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結合，用于量產旗下首批16Gb容量的LPDDR5內存芯片。 據悉，三星的新一代內存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應的其實是
2020-09-01 14:00:293544 關于芯片工藝，Intel前幾天還回應稱友商的7nm工藝是數字游戲，Intel被大家誤會了。不過今年Intel推出了新一代的10nm工藝，命名為10nm SuperFin工藝，簡稱10nm SF，號稱是有史以來節點內工藝性能提升最大的一次，沒換代就提升15%性能，比其他家的7nm還要強。
2020-09-27 10:35:064358 
最早規劃的一代10nm是Cannon Lake，可因為工藝延期，原本SKU豐富的這一代最終砍掉了孤獨的一款，那就是Core i3-8121U。 在公開市場，Core i3-8121U僅用在了聯想面向
2020-10-16 18:07:543533 這幾天發布Q3季度財報之后，Intel的股價跳水了10%，損失了1700多億的市值，一方面是Q3利潤下滑，一方面還是跟Intel工藝有關，10nm產能還在提升，但是7nm延期了半年到一年。
2020-10-25 10:13:531906 這幾天發布Q3季度財報之后，Intel的股價跳水了10%，損失了1700多億的市值，一方面是Q3利潤下滑，一方面還是跟Intel工藝有關，10nm產能還在提升，但是7nm延期了半年到一年。
2020-10-26 10:27:541699 平方毫米，密度為1.34億個晶體管/平方毫米。 作為對比，上代A13使用的是臺積電7nm工藝，集成85億個晶體管，內核面積94.48平方毫米，密度為8997萬個晶體管/平方毫米。更早的A12也是臺積電7nm工藝，集成69億個晶體管，內核面積83.27平方毫米，密度為8286萬個晶體管/平方毫米。 根據
2020-11-06 09:58:112359 的樂觀和自信，其將在2021年加速 10nm工藝的推出進程。 Intel還表示，計劃在2021年第三季度推出Alder Lake系列，且Sapphire Rapids系列也將在明年年底開始取樣，并在
2020-11-18 09:14:561593 臺積電、三星在2022年就有可能將制程工藝推到2nm，AMD、蘋果、高通、NVIDIA等公司也會跟著受益，現在自己生產芯片的就剩下Intel了，然而它們的7nm工藝已經延期到至少2021年了。
2020-11-18 10:02:442079 最快明年1月份，Intel就要發布代號Rocket Lake-S的11代酷睿桌面版了，這次真的是最后一代14nm工藝了，明年Intel主力就會轉向10nm，產能也會歷史性超過14nm工藝，成為第一大主力。
2020-12-21 09:07:572523 隨著Tiger Lake處理器的量產，Intel的10nm工藝已經解決了產能、性能等問題，現在使用的是10nm SuperFin（以下簡稱10nm SF）工藝，下半年則會有更新的增強版10nm SF工藝，12代酷睿會首發。
2021-01-14 09:48:283786 
則是早早的用上了臺積電7nm工藝，晶體管集成度提高，性能和能耗比也有大幅提升。 近期，據驅動之家報道，半導體業內人士稱，Intel將其南橋芯片組的生產外包給了三星，GPU芯片則委托給臺積電代工生產，將使用臺積電的4nm工藝。 ? 這幾年Intel銷量占比持續下降，為了提高市場占
2021-01-25 17:58:532224 臺積電的5nm芯片每平方毫米約有1.73億個晶體管，三星的5nm芯片每平方毫米約有1.27億個晶體管。這樣對比來看，IBM 2nm晶體管密度達到了臺積電5nm的2倍。
2021-05-10 14:22:343501 
每平方毫米3.3 億個。而臺積電和三星的7納米芯片容納的晶體管數量大約在每平方毫米9，000萬個;三星的5LPE為1.3億個;臺積電的5納米芯片則是1.7億個。 IBM 2nm芯片的性能/功耗提升靠
2021-05-19 16:14:213888 
不小，三星的3nm工藝密度才跟Intel的7nm差不多。 Digitimes日前發表了研究報告，分析了三星、臺積電、Intel及IBM四家的半導體工藝密度問題，對比了10nm、7nm、5nm、3nm
2021-07-15 09:36:392460 
三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠低于預期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠不及公司期望的目標。
2022-04-20 10:43:132740 完成3nm工藝的量產，還要在3nm工藝的質量上勝過臺積電。 據了解，三星3nm工藝將采用GAAFET全柵極場效應晶體管，相較于之前的FinFET鰭式場效應晶體管更為先進，與7nm工藝相比，三星的3nm工藝將會降低50%功耗，提高35%性能，并且大小僅為7nm的5
2022-06-29 17:01:531839 IBM的2nm制程芯片采用的是什么技術？IBM 2nm制程芯片采用GAA環繞柵極晶體管技術，晶體管密度可達5nm兩倍，每平方毫米容納3.3億個晶體管，2nm芯片將計算速度要提高45%，能源效率更是提高75%，電池續航時間提升至之前的4倍。
2022-06-29 17:43:081686 日前，三星放出了將在6月30日正式量產3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經開始了3nm工藝芯片的量產。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經在韓國華城工廠開始量產。 現在全球
2022-06-30 16:36:272953 ？2nm芯片何時量產呢？ 據了解，IBM所研制的這顆2nm芯片僅有人的指甲大，但是其內部包含著高達500億個晶體管，平均每平方毫米內包含著3.3億個晶體管，而蘋果著名的A15處理器采用了臺積電N5工藝，其內部每平方毫米有1.7億個晶體管，這樣一對比
2022-07-06 11:28:203219 IBM于2021年完成了2納米技術的突破。據預計，IBM 2nm工藝或能在每平方毫米芯片上集成3.33億個晶體管。
2022-07-06 14:43:451664 在芯片設計和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4628010 而在臺積電3nm量產之前，三星已經在今年6月30日宣布，其采用全環繞柵極晶體管架構的3nm制程工藝，在當日開始初步生產芯片，據外媒報道，三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片，定于7月25日出貨。臺積電、三星的3nm之爭似乎已經拉開帷幕。
2022-08-18 11:57:192174
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